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公开(公告)号：CN105449225A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510874624.0
申请日：2015-12-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01M4/80
CPC classification number: H01M4/80
Abstract: 一种三维多孔结构铝集电极的制备方法，本发明涉及电极的制备方法。本发明要解决现有多孔铝集电极存在铝箔表面采用机械加工的方式冲孔，但是充放电过程中容易发生活性物质脱落现象的问题。本发明的方法：对铝箔进行阳极氧化，得到表面覆有氧化层的铝箔，再将铝箔上氧化层刻蚀掉，得到三维多孔结构铝集电极。本发明用于三维多孔结构铝集电极的制备方法。
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公开(公告)号：CN104860308A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510259037.0
申请日：2015-05-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种应用燃烧合成法制备掺氮石墨烯的方法，所述方法步骤如下：（1）将称取好的镁粉、固体碳源和氮源均匀混合，得到混合粉体，所述混合粉体中镁粉、固体碳源与氮源的质量比为19.95~99：40~79.95：1~39.5；（2）将步骤（1）所得到的混合粉体在特定气氛中进行燃烧合成反应，反应产物经提纯后，得到掺氮石墨烯。本发明原料来源广泛，所制得的掺氮石墨烯片层结构完整，溶剂中分散性好，有效比表面积大，并且通过氮掺杂能使掺氮石墨烯具备铁磁性。
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公开(公告)号：CN103979955B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201410200916.1
申请日：2014-05-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , C04B41/88
Abstract: 锂-铝离子对掺杂改性的钛酸钡基无铅压电陶瓷材料的制备方法，它涉及具有高压电性能钛酸钡基无铅压电陶瓷材料的制备方法。本发明要解决利用普通原料和传统固相合成法制备的钛酸钡基无铅压电陶瓷压电性能较差的问题。本发明的钛酸钡基陶瓷组成为Ba1-x(Li0.5Al0.5)xTi1-xSixO3，其中0.02≤x≤0.08mol。本发明采用普通原料和传统固相合成法制备钛酸钡基无铅压电陶瓷，该体系为钙钛矿相，当x＝2-8mol％时，陶瓷中存在Li+-Al3+离子对，使压电常数d33达300-400pC/N，机电耦合系数kp达0.35-0.45。其制备工艺简单，成本低廉。
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公开(公告)号：CN102838110B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201210344115.3
申请日：2012-09-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 一种石墨烯粉体的制备方法，它涉及碳结构材料的制备方法。本发明是要解决现有石墨烯的制备方法无法同时具备原料易保存运输、操作方法简单、成本低、可连续生产、环保的优点以及现有方法制备的石墨烯缺陷多、耗能高的问题。制备方法：通过研磨混合，制备镁粉和碳酸盐粉末的混合粉体，将该混合粉体进行燃烧合成反应，得到石墨烯粉体。本发明的石墨烯粉体的制备方法同时具备原料易保存和运输、操作方法简单、成本低、可连续生产、环保的优点，制备出的石墨烯粉体缺陷较少且厚度较小。本发明适用于石墨烯的工业化生产。
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公开(公告)号：CN103540131A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310469851.6
申请日：2013-10-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: C08K3/04 , C08G73/1007 , C08J5/18 , C08J2379/08 , C08K9/00 , C08L2203/16 , C08L79/08
Abstract: 聚酰亚胺/石墨烯X射线窗口薄膜及其制备方法，它涉及X射线应用的材料测试领域，具体涉及一种X射线窗口薄膜及其制备方法。本发明的目的是要解决现有技术制备的铍窗口因有毒不能在裸露空气中使用，且加工困难的问题。聚酰亚胺/石墨烯X射线窗口薄膜由石墨烯或氧化石墨烯、二胺单体、二酐单体和有机溶剂制备而成。方法：一、预混合，得到预混液；二、终混，得到待涂膜胶体；三、涂膜和热亚胺化处理，即得到聚酰亚胺/石墨烯X射线窗口薄膜。本发明主要用于制备聚酰亚胺/石墨烯X射线窗口薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103467988A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310469852.0
申请日：2013-10-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种聚酰亚胺/碳纤维X射线窗口薄膜及其制备方法，它涉及X射线应用的材料测试领域，具体涉及一种X射线窗口薄膜及其制备方法。本发明的目的是要解决现有技术制备的铍窗口因有毒不能在裸露空气中使用，且加工困难的问。聚酰亚胺/碳纤维X射线窗口薄膜由改性碳纤维、二胺单体、二酐单体和有机溶剂制备而成。方法：一、预混合，得到预混液；二、终混，得到待涂膜胶体；三、涂膜和热亚胺化处理，即得到聚酰亚胺/碳纤维X射线窗口薄膜。本发明主要用于制备聚酰亚胺/碳纤维X射线窗口薄膜。
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公开(公告)号：CN101792308B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201010109339.7
申请日：2010-02-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/628
Abstract: 一种壳-芯结构CaCu3Ti4O12陶瓷材料及其制备方法，它涉及一种CaCu3Ti4O12陶瓷材料及其制备方法。本发明解决现有CaCu3Ti4O12陶瓷材料在介电损耗降低同时，不能保持高介电常数的问题。本发明陶瓷材料由晶粒和晶界构成，其中晶粒由CCTO组成，晶界由Ga1-xLaxCu3Ti4O12组成，其中x＝0.1～0.5。本发明制备方法：一、制备CCTO溶胶；二、制备La掺杂CCTO溶胶；三、制备CCTO粉末晶体；四、制备壳-芯结构CCTO半成品；五、制备壳-芯结构CCTO陶瓷材料。本发明陶瓷材料的介电常数达到9×103，介电损耗达到0.3。制备方法简单。可用于高频电容器介电元器件。
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公开(公告)号：CN101857195A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN201010179151.X
申请日：2010-05-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 高效率机械剥离层状化合物的方法，它涉及剥离层状化合物的方法。本发明解决了现有高能球磨、砂磨等机械法剥离层状化合物存在剥离层状化合物效率低、难以获得大量的1~10层的纳米薄片、易破坏层状化合物的晶格等缺点，同时解决了过细的研磨介质难分离的缺点。本发明利用固体颗粒和液体工作介质（或气体工作介质）采用机械剥离层状化合物后分离；完成了层状化合物的剥离。本发明具有研磨效率高、获得大量的1~10层的纳米薄片、层状化合物的晶格不发生改变及研磨介质容易分离的优点。
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公开(公告)号：CN101792308A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN201010109339.7
申请日：2010-02-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/628
Abstract: 一种壳-芯结构CaCu3Ti4O12陶瓷材料及其制备方法，它涉及一种CaCu3Ti4O12陶瓷材料及其制备方法。本发明解决现有CaCu3Ti4O12陶瓷材料在介电损耗降低同时，不能保持高介电常数的问题。本发明陶瓷材料由晶粒和晶界构成，其中晶粒由CCTO组成，晶界由Ga1-xLaxCu3Ti4O12组成，其中x＝0.1～0.5。本发明制备方法：一、制备CCTO溶胶；二、制备La掺杂CCTO溶胶；三、制备CCTO粉末晶体；四、制备壳-芯结构CCTO半成品；五、制备壳-芯结构CCTO陶瓷材料。本发明陶瓷材料的介电常数达到9×103，介电损耗达到0.3。制备方法简单。可用于高频电容器介电元器件。
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公开(公告)号：CN101607248A
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200910072484.X
申请日：2009-07-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B05D7/24 , B05D1/36 , B05D3/02 , C04B35/462 , C04B35/472 , B32B9/00
Abstract: 一种高铁电性能复合钛酸铅基铁电薄膜的制备方法，它涉及一种钛酸铅基铁电薄膜的制备方法。它解决了现有方法制备出的钛酸铅基薄膜在晶化过程中易与电极发生互扩散，在界面处产生缺陷，从而导致铁电性能下降的问题。制备方法：一、在基底上沉积钛酸铅镧钙系铁电薄膜；二、在钛酸铅镧钙系铁电薄膜上沉积钛酸铅系铁电薄膜，然后进行热处理，即得高铁电性能复合钛酸铅基铁电薄膜。本发明制备过程中基底中间界面层生成了非连续的岛状结构，这种非连续结构的生成增加了钛酸铅基铁电薄膜的形核质点，使铁电薄膜的极化反转更加容易，极大地提高了铁电性能。本发明工艺简单、设备简单及所用原材料价格低廉、成本低，并易于器件集成，适合于工业化生成。
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