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公开(公告)号：CN116253850A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202111508924.9
申请日：2021-12-10
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高导热高粘接性聚氨酯树脂及其制备方法，属于聚氨酯复合材料技术领域。本发明采用环氧氯丙烷和端氨基聚醚多元醇合成环氧氯丙烷‑聚醚多元醇，再与异氰酸酯反应合成聚氨酯树脂，并向树脂中填入氧化石墨烯，制成高导热高粘接性聚氨酯树脂。本发明将含有氯的环氧氯丙烷应用于聚氨酯合成过程中，不但能提高固化物的力学性能，还通过富含活性羟基的氧化石墨烯的引入提升其热学性能且所用异氰酸酯可以有针对性地选择，对于不同的使用环境可以运用不同结构的异氰酸酯，从而使材料可以灵活的改变结构变现为偏柔性或偏刚性。
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公开(公告)号：CN113861596B
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202111022078.X
申请日：2021-09-01
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种高介电常数低介电损耗的聚偏氟乙烯基复合薄膜及其制备方法和应用，属于嵌入式电容器和半导体存储器件等的应用领域。现有聚偏氟乙烯还难以满足现在嵌入式电容器以及半导体储存器件生产应用的需求。本发明包括制备多形貌的棒状、线状、球状和立方状纳米银@二氧化硅核壳无机粉体，同时用多形貌的纳米银@二氧化硅核壳粉体改性聚偏氟乙烯，得到一种高介电常数低介电损耗的聚合无机复合材料。可用于制作现代嵌入式电容器和半导体存储器件等的原材料。
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公开(公告)号：CN115725115A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211467335.5
申请日：2022-11-22
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种磁性取向核壳粒子BN@Fe3O4粉体填充环氧树脂复合材料制备方法，属于电子封装导热型绝缘防腐防辐密封材料领域。本发明解决了高填充型环氧树脂机械性能低、粒子在材料有序性差难以构建导热通路、灌封胶在密封时易出现气泡的问题。本发明将微米级氮化硼、水、无水乙醇、聚乙烯吡咯烷酮混合超声搅拌。加入硅烷偶联剂，机械搅拌，离心洗涤，干燥。干燥后的粉体分散在水中，加入氯化铁、硫酸亚铁，充分搅拌。注射加入氢氧化钠，调节pH大于11，待搅拌充分反应后，静置，离心洗涤，干燥，得到BN@Fe3O4磁性粉体；最后将粉体填充到环氧树脂中。本发明主要灌封到电子芯片中用于制作导热型绝缘防腐防辐密封材料。
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公开(公告)号：CN113912966B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202111136204.4
申请日：2021-09-27
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: C08L27/16 , C08K9/06 , C08K7/10 , C08K7/08 , C08J5/18 , B32B27/30 , B32B27/20 , B32B27/06 , B32B37/10
Abstract: 本发明公开了一种高介电性能三元复合材料及其制备方法，属于嵌入式电容器和半导体存储器件等的应用领域。本发明复合材料由聚偏氟乙烯和填料组成，填料为硅烷偶联剂KH550改性碳化硅纳米线和硅烷偶联剂KH570改性四针状氧化锌晶须；是按下述步骤进行的：将KH550‑SiCNWs和KH570‑T‑ZnOw溶于N,N二甲基甲酰胺中，室温超声震荡至少2h，加入PVDF粉末，在室温下超声溶解反应至少4h，得到掺杂改性填料溶胶；然后进行抽滤和抽气泡，然后铺膜，然后烘干，得到复合薄膜；积叠放后热压，得高介电性能三元复合材料。相较于SiCNWs/PVDF二元复合材料，本发明的三元复合材料具有更加优异的介电性能。
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公开(公告)号：CN113881079A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111061524.8
申请日：2021-09-10
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种高介电常数和低介电损耗的聚合物复合薄膜及其制备方法和应用，属于嵌入式电容器和半导体存储器件等应用领域。本发明要解决相比无机陶瓷材料的高介电常数，聚偏氟乙烯及其共聚物还难以满足现在嵌入式电容器以及半导体储存器件生产应用的需求。本发明所述CNT@PDA是由多巴胺(DA)在碳纳米管(CNT)表面自聚生成聚多巴胺(PDA)而制备，同时改变基体聚合物的种类和填料的添加量，得到一种高介电常数低介电损耗的聚合无机复合材料。本发明广泛用于现代嵌入式电容器和半导体存储器件等的领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113861596A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111022078.X
申请日：2021-09-01
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种高介电常数低介电损耗的聚偏氟乙烯基复合薄膜及其制备方法和应用，属于嵌入式电容器和半导体存储器件等的应用领域。现有聚偏氟乙烯还难以满足现在嵌入式电容器以及半导体储存器件生产应用的需求。本发明包括制备多形貌的棒状、线状、球状和立方状纳米银@二氧化硅核壳无机粉体，同时用多形貌的纳米银@二氧化硅核壳粉体改性聚偏氟乙烯，得到一种高介电常数低介电损耗的聚合无机复合材料。可用于制作现代嵌入式电容器和半导体存储器件等的原材料。
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公开(公告)号：CN113773536A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202111055221.5
申请日：2021-09-09
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高介电、低损耗和高击穿强度的聚偏氟乙烯基复合材料及其制备方法和应用，属于高性能电容器和储能器件等应用领域。本发明要解决PVDF介电常数有限难以满足电容器和储能器件对高介电性能要求的技术问题。本发明是先用硅烷偶联剂改性的纳米钛酸铋钠，纳米钛酸铋钠的形貌为球状，以聚偏氟乙烯作为基体；方法：将硅烷偶联剂改性的纳米钛酸铋钠加入N,N‑二甲基甲酰胺中，超声搅拌2h，加入聚偏氟乙烯粉末，超声搅拌反应2h；铺膜，烘干；热压。本发明用于制作电容器和储能器件。
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公开(公告)号：CN111618312A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010349859.9
申请日：2020-04-28
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了棒状Ag粉体的制备方法及棒状Ag@BST核壳粒子的制备方法和应用；属于微电容器的技术领域。本发明要解决棒状纳米银作为单一填料时，当达到渗流阈值时，提高介电常数的同时也会降低击穿强、增大介电损耗，进而降低储能密度的问题，这限制了其在电容器领域的应用。本发明以硝酸银和聚乙烯吡咯烷酮为原料制备棒状纳米Ag，然后通过溶胶凝胶水热法在Ag棒外面包覆一层Ba0.6Sr0.4TiO3，最后洗涤、离心、烘干得到棒状Ag@BST粉体。本发明棒状Ag@BST粉体在可以提高介电常数的同时并且保持一定的击穿场强，这种新型复合材料具有良好的介电性能和储能性能，在静电电容器等储能应用领域具有巨大的潜力。
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公开(公告)号：CN106833288B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201710138704.9
申请日：2017-03-09
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: C09D163/00 , C09D183/04 , C09D5/08 , C09D7/61 , C09D7/65 , C08G63/49
Abstract: 围栏用自清洁疏水防腐涂料的制备方法，涉及一种疏水防腐涂料的制备方法。本发明是要解决现有涂料中环氧乳液会影响环氧树脂的耐盐雾时间，不利于基体耐腐蚀性能的提升的问题。方法：一、植物油中加入甘油醇解，加入水性功能单体接枝，制备得到乳化剂；二、将环氧树脂和乳化剂置于反应釜中，搅拌均匀，先逐滴加入部分水，粘度突变时加入剩余的水，恒温乳化，超声分散得到环氧乳液；三、在环氧乳液中加入有机硅乳液、颜料和玻璃微片，超声，得A组分；四、将A组分与固化剂B组分混合，得到围栏用自清洁疏水涂料。本发明的涂料涂膜干燥后具有防腐能力，同时具有较高的接触角和较低的滚动角，疏水性较好。本发明用于制备涂料。
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公开(公告)号：CN105218739B
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201510712304.5
申请日：2015-10-28
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: C08F220/18 , C08F220/14 , C08F212/08 , C08F220/58 , C09J133/08
Abstract: 可擦拭型丙烯酸酯压敏胶的制备方法，涉及一种压敏胶的制备方法。本发明是要解决现有丙烯酸酯压敏胶剥开后会有一部分残胶留在被粘物表面很难清除干净，甚至会损坏被粘物表面的问题。方法：一、将单体、引发剂、链转移剂和溶剂混合，得混合液；二、将三分之一的混合液升温，保温；三、在温度60～90℃下，逐滴加入剩余三分之二的混合液，保温，补加一次引发剂，继续保温；四、降温，出料，得树脂；稀释，即得到可擦拭型丙烯酸酯压敏胶。使用本方法制备的可擦拭型丙烯酸酯压敏在使用过程中出现的残胶可用水擦拭干净。用于制备丙烯酸酯压敏胶。
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