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公开(公告)号:CN110577239B
公开(公告)日:2020-08-04
申请号:CN201910827673.7
申请日:2019-09-03
Abstract: 本发明公开了属于二维金属氧化物制备技术领域的一种利用层间限域策略制备二维金属氧化物纳米片的方法。包括以下步骤:(1)硅酸四乙酯与四甲基氢氧化铵经水热反应制得模板RUB‑15;(2)混合金属卤化盐前驱体与步骤(1)所述模板RUB‑15,然后研磨均匀得到前体混合物,煅烧所述前体混合物,得到混合物;(3)刻蚀步骤(2)所述混合物中模板RUB‑15,得到所述二维金属氧化物纳米片。本发明方法原料成本低廉、合成过程简单,为二维结构纳米材料的合成开辟了一个全新的视野。
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公开(公告)号:CN110577239A
公开(公告)日:2019-12-17
申请号:CN201910827673.7
申请日:2019-09-03
Abstract: 本发明公开了属于二维金属氧化物制备技术领域的一种利用层间限域策略制备二维金属氧化物纳米片的方法。包括以下步骤:(1)硅酸四乙酯与四甲基氢氧化铵经水热反应制得模板RUB-15;(2)混合金属卤化盐前驱体与步骤(1)所述模板RUB-15,然后研磨均匀得到前体混合物,煅烧所述前体混合物,得到混合物;(3)刻蚀步骤(2)所述混合物中模板RUB-15,得到所述二维金属氧化物纳米片。本发明方法原料成本低廉、合成过程简单,为二维结构纳米材料的合成开辟了一个全新的视野。
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