电容器等电位投切可控硅触发电路

    公开(公告)号:CN1595800A

    公开(公告)日:2005-03-16

    申请号:CN200410025382.X

    申请日:2004-06-24

    CPC classification number: Y02E40/30

    Abstract: 一种电容器等电位投切可控硅触发电路,包括被触发后导通主电路的高压可控硅、为高压可控硅提供被触发条件的控制光耦以及为高压可控硅提供触发电流的辅助电源,并采用了触发电流控制三极管、放大三极管、电压过零检测三极管及触发电流旁路三极管。主电路电压经过整流后加到高压可控硅两端,辅助电源是交流供电经整流滤波后的直流电源,加在与触发电流控制三极管集电极相连的电阻上而产生高压可控硅的触发电流,高压可控硅在同时满足控制光耦导通和主电路电压过零两个条件时被触发。本发明实现了在高压下的主电路电压过零触发的功能,不需要接入等待时间,使电容器等电位投切得以实现,避免了电容器接入电网时的冲击电流。

    电容器等电位投切可控硅触发电路

    公开(公告)号:CN1271784C

    公开(公告)日:2006-08-23

    申请号:CN200410025382.X

    申请日:2004-06-24

    CPC classification number: Y02E40/30

    Abstract: 一种电容器等电位投切可控硅触发电路,包括被触发后导通主电路的高压可控硅、为高压可控硅提供被触发条件的控制光耦以及为高压可控硅提供触发电流的辅助电源,并采用了触发电流控制三极管、放大三极管、电压过零检测三极管及触发电流旁路三极管。主电路电压经过整流后加到高压可控硅两端,辅助电源是交流供电经整流滤波后的直流电源,加在与触发电流控制三极管集电极相连的电阻上而产生高压可控硅的触发电流,高压可控硅在同时满足控制光耦导通和主电路电压过零两个条件时被触发。本发明实现了在高压下的主电路电压过零触发的功能,不需要接入等待时间,使电容器等电位投切得以实现,避免了电容器接入电网时的冲击电流。

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