公开(公告)号：CN111540741B

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN202010401242.7

申请日：2020-05-13

Applicant: 复旦大学 ,  上海集成电路制造创新中心有限公司

Inventor： 朱宝 ,  陈琳 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: 本发明属于集成电路存储器技术领域，具体为基于浮栅与控制栅连接通道的半浮栅存储器及其制备方法。本发明基于浮栅与控制栅连接通道的半浮栅存储器，在半导体衬底形成第一U型槽用于形成浮栅晶体管的沟道，在浮栅表面形成第二U型槽；控制栅、第二U型槽侧壁的第二栅介质以及浮栅构成纵向隧穿晶体管，而且控制栅与浮栅之间有连接通道。该纵向隧穿晶体管对半浮栅存储器的浮栅进行写入和擦除操作，能够有效提高集成度。此外，在对浮栅充放电过程中，只需要对控制栅施加电压，可大大降低功耗。

公开(公告)号：CN111490045B

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN202010346659.8

申请日：2020-04-27

Applicant: 复旦大学 ,  上海集成电路制造创新中心有限公司

Inventor： 朱宝 ,  陈琳 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L27/105 ,  H01L29/24 ,  H01L29/417 ,  H01L29/43

Abstract: 本发明属于半导体存储器技术领域，具体为一种基于二维材料的半浮栅存储器及其制备方法。本发明半浮栅存储器包括：L型底栅；覆盖底栅表面的阻挡层；L型半浮栅层，为第一类二维材料，顶部与底栅的顶部持平；半浮栅底部上的半闭合隧穿层，为第二类二维材料，其上表面与半浮栅的顶部相持平；覆盖半浮栅和半闭合隧穿层的沟道层，为第三类二维材料，其上表面与阻挡层的顶部相持平；沟道表面的源极和漏极，为第四类二维材料；第一类二维材料和第三类二维材料构成二极管，第一类二维材料、第三类二维材料与阻挡层、底栅构成栅控二极管。本发明器件可靠性好，数据擦写速度快，且可增加数据保持时间；此外，器件具有较小的体积，适合用于超薄电子设备中。

公开(公告)号：CN111477627B

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN202010346231.3

申请日：2020-04-27

Applicant: 复旦大学 ,  上海集成电路制造创新中心有限公司

Inventor： 朱宝 ,  陈琳 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: 本发明属于集成电路存储器技术领域，具体为一种基于双浮栅材料的半浮栅存储器及其制备方法。本发明的半浮栅存储器包括：半导体衬底，具有第一掺杂类型；半浮栅阱区，具有第二掺杂类型，位于半导体衬底的上层区域；U型槽，贯穿所述半浮栅阱区，底部处于所述半浮栅阱区的下边界；第一栅极叠层，包括第一栅介质、第一金属栅、富含缺陷的绝缘材料层和金属纳米晶；第二栅极叠层，包括第二栅介质层和第二金属栅；栅极侧墙，位于所述第一栅极叠层和第二栅极叠层两侧；源极和漏极，具有第二掺杂类型，位于第一、第二栅极叠层两侧。本发明利用拥有大量缺陷的绝缘材料和彼此相互分离的金属纳米晶作为双浮栅，有利于数字信号的分辨，增加存储器刷新时间。

公开(公告)号：CN112466841B

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202011329628.8

申请日：2020-11-24

Applicant: 复旦大学 ,  上海集成电路制造创新中心有限公司

Inventor： 朱宝 ,  陈琳 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供了一种内嵌电容器的TSV结构及其制备方法，所述TSV结构包括：衬底结构；硅通孔，所述硅通孔贯穿所述衬底结构；电容器结构，所述电容器结构设置在所述衬底结构内部，且所述电容器结构设置在所述硅通孔结构的内壁；铜互连结构，所述铜互连结构安装在所述硅通孔内部；其中，所述电容器结构上设置有第一顶部接触层和第一底部接触层，所述铜互连结构顶端设置有第二顶部接触层，所述铜互连结构底端设置有第二底部接触层，本发明的TSV结构实现了芯片之间的垂直互连，同时能够得到更高电容密度的电容器。

公开(公告)号：CN112908991B

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202110106352.5

申请日：2021-01-26

Applicant: 复旦大学 ,  上海集成电路制造创新中心有限公司

Inventor： 陈琳 ,  朱宝 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L27/08 ,  H01L21/822

Abstract: 本发明提供了一种三维集成结构。包括第一纳米电容、第二纳米电容和导电件；通过在硅衬底上制备第一纳米电容，保证了集成结构的强度，并且第一隔离介质将第一底部金属电极层和硅衬底分隔开，避免了第一纳米电容可能存在短路情况，保证了第一纳米电容的可靠性，第二纳米电容采用绝缘衬底制成，由于自身的绝缘属性，第二底部金属电极层可直接设置在绝缘衬底，减少了加工工艺，并且第二底部金属电极层通过第一连接孔与第一底部金属电极层直接连接，使加工工艺更加简单，缩短了制备集成结构的时间。另外，本发明还提供了三维集成结构的制造方法。

公开(公告)号：CN111540740B

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202010400726.X

申请日：2020-05-13

Applicant: 复旦大学 ,  上海集成电路制造创新中心有限公司

Inventor： 朱宝 ,  陈琳 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: 本发明属于集成电路存储器技术领域，具体为基于pn结和肖特基二极管的半浮栅存储器及其制备方法。本发明公开的半浮栅存储器，是在浮栅晶体管内部同时嵌入pn结和肖特基二极管，分别作为电荷擦写的通道；pn结具有整流特性，即正向导通、反向截止，而且开启电压非常小；利用pn结作为电荷擦除的通道，可以极大提高擦除速度；肖特基二极管同样具有整流特性，而且开启电压也非常小；利用肖特基二极管作为电荷写入的通道，可以极大提高电荷写入速度。

公开(公告)号：CN112201655B

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202010944488.9

申请日：2020-09-10

Applicant: 复旦大学 ,  上海集成电路制造创新中心有限公司

Inventor： 朱宝 ,  陈琳 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L27/08 ,  H01L21/822

Abstract: 本发明公开一种纳米电容三维集成结构及其制作方法。该纳米电容三维集成结构包括形成在铝箔正面和背面的第一纳米电容结构和第二纳米电容结构，第一纳米电容结构的第一顶部金属电极层通过第一沟槽结构、第二沟槽结构、铝通孔结构、第四沟槽结构、第五沟槽结构与第二纳米电容结构的第二顶部金属电极层电气连通；第一纳米电容结构的第一底部金属电极层通过第三沟槽结构、铝箔、第六沟槽结构与第二纳米电容结构的第二底部金属电极层电气连通。本发明能够显著增大电容密度缩短互连线长度，从而有利于减小互连电阻和能量损耗，此外，能够减少工艺步骤，降低工艺复杂度，从而有效降低生产成本。

公开(公告)号：CN112151538B

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202010944489.3

申请日：2020-09-10

Applicant: 复旦大学 ,  上海集成电路制造创新中心有限公司

Inventor： 朱宝 ,  陈琳 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L27/08 ,  H01L21/822

Abstract: 本发明公开一种纳米电容三维集成结构及其制造方法。该纳米电容三维集成结构制造方法在低阻硅衬底的正面和背面分别形成正面沟槽和背面沟槽，并在其中形成第一纳米电容结构和第二纳米电容结构，并且正面沟槽和背面沟槽之间形成有硅通孔结构。硅通孔结构直接电气连通第一纳米电容结构和第二纳米电容结构的下电极，低阻硅衬底直接电气连通第一纳米电容结构和第二纳米电容结构的上电极，可以缩短互连线长度，从而有利于减小互连电阻和能量损耗。

公开(公告)号：CN112018071B

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202010754764.5

申请日：2020-07-31

Applicant: 复旦大学 ,  上海集成电路制造创新中心有限公司

Inventor： 朱宝 ,  陈琳 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明公开了一种多功能TSV结构及其制备方法。该多功能TSV结构包括通过绝缘介质进行隔离的高密度电容器和TSV互连结构，TSV互连结构不仅充当芯片之间垂直互连的导电通道，同时还作为电容器的基底。由于TSV结构具有高深宽比，所以具有较大的比表面积，从而在TSV结构内部制备电容器可以获得较高的电容密度，这有利于电容器作为滤波、旁路、震荡以及能量存储应用器件。

公开(公告)号：CN114203706A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202111528268.9

申请日：2021-12-14

Applicant: 复旦大学 ,  上海集成电路制造创新中心有限公司

Inventor： 丁荣正 ,  俞少峰 ,  朱小娜 ,  朱宝 ,  尹睿

IPC: H01L27/11

Abstract: 本发明提供了一种静态随机存取存储器的存储单元结构，晶体管单元包括沿第一方向依次设置的第一传输管、第一共栅互补场效应晶体管、第二共栅互补场效应晶体管和第二传输管，使得静态随机存取存储器的存储单元结构在制造时能够使用连续的鳍式结构，无需切断鳍式结构工艺，降低了工艺风险，降低了成本，并且所述第一位线、所述第二位线、所述第一互连线、所述第二互连线、所述第一电源线和所述第二电源线平行于所述第一方向，所述字线垂直于所述第一方向，结合场效应晶体管，极大的降低了所占用的面积，提高了电路集成度，进一步降低了成本。本发明还提供了一种存储器。