线型非对称超级电容器的制备方法及由该方法制备的超级电容器

    公开(公告)号:CN104934234A

    公开(公告)日:2015-09-23

    申请号:CN201510337041.4

    申请日:2015-06-17

    申请人: 苏州大学

    IPC分类号: H01G11/84 H01G11/86

    CPC分类号: Y02E60/13 H01G11/84 H01G11/86

    摘要: 本发明涉及一种线型非对称超级电容器的制备方法及由该方法制备的超级电容器,它包括以下步骤:(a)取第一钛丝和第二钛丝清洗干净;(b)向去离子水中加入Ni(NO3)·6H2O和CoCl2·6H2O,溶解得混合溶液;(c)将混合溶液加入三电极电解池中,并将所述第一钛丝浸入其中,在0.1~0.3 mV/cm的电流密度下沉积30~60min,得表面形成层状Ni-Co双氢氧化物的第一钛丝,即为正极;(d)将所述第二钛丝弯曲成螺旋管状,并在其表面涂覆包含石墨烯、聚偏二氟乙烯和乙炔黑的混合物,即为负极;(e)将所述正极插入所述负极中,并在所述正极和所述负极之间以及所述负极外包裹PVA/KOH固态电解质,即得线型非对称超级电容器。金属双氢氧化物电极可以获得更高的比容量、能量密度和功率密度。

    使用冶金级硅制备多孔硅纳米线的方法

    公开(公告)号:CN104445204A

    公开(公告)日:2015-03-25

    申请号:CN201410767151.X

    申请日:2014-12-12

    申请人: 苏州大学

    发明人: 晏成林 刘杰 钱涛

    摘要: 本发明涉及一种使用冶金级硅制备多孔硅纳米线的方法,它包括以下步骤:(a)将冶金级硅浸入不同有机溶液中,分别超声处理15~30分钟;(b)将超声处理后的冶金级硅浸入氧化溶液中,在50~90℃条件下反应0.5~5小时得氧化冶金级硅;(c)置于质量浓度为10~30%氢氟酸溶液;(d)真空溅射30~60秒得到银沉积冶金级硅;(e)将所述银沉积冶金级硅浸入氢氟酸与强氧化物的混合溶液中,在40~80℃条件下超声1~5小时后取出放入管式炉中通含氟气体2~3小时并进行干燥;(f)表面进行剥离得到多孔硅纳米线。一方面离子溅射仪沉积的银纳米粒子颗粒均匀,有利于在硅纳米线上形成孔径均匀的多孔结构;另一方面缩短时间、提高效率;而且该发明简单易行,适于大规模生产。