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公开(公告)号:CN103904166A
公开(公告)日:2014-07-02
申请号:CN201410163618.X
申请日:2014-04-23
申请人: 桂林理工大学
CPC分类号: Y02P70/521 , H01L21/02425 , B82Y30/00 , H01L21/0256 , H01L21/02562 , H01L21/02601 , H01L21/02628
摘要: 本发明公开了一种CdSexTey量子点光电薄膜的制备方法。(1)称取0.4317~1.2953gCd(NO3)2·4H2O于烧杯中,加入0.2689~0.8069g柠檬酸作为络合剂,再加入水,配成10mL络合水溶液A;(2)称取0.0399~0.1197gTeO2于烧杯中,滴加1mol/LNaOH溶液,直至TeO2全部溶解,再加入0.0432~0.1297gNa2SeO3和水,配成10mL溶液B;(3)将络合水溶液A和溶液B混合起来得溶液C;(4)将溶液C放入45~55℃水浴中,以ITO导电玻璃为阴极,铂片为阳极,在2.5~3.5V直流电压及磁力搅拌下电沉积20~40分钟。本发明最显著的特点是电化学共沉积法获得CdSexTey量子点光电薄膜,制备工艺简便高效、无污染、低成本,所得CdSexTey量子点光电薄膜具有较高光电压值。
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公开(公告)号:CN103563088A
公开(公告)日:2014-02-05
申请号:CN201280023564.6
申请日:2012-03-15
申请人: 迅力光能26有限责任公司
发明人: 维克多·V·普洛特尼科夫 , 查德·W·卡特 , 约翰·M·斯塔彦丘 , 艾尔文·D·卡姆帕恩
IPC分类号: H01L31/00
CPC分类号: H01L31/02021 , H01L21/02562 , H01L21/02631 , H01L31/022425 , H01L31/02245 , H01L31/022491 , H01L31/0468 , H01L31/073 , H01L31/1828 , Y02E10/543
摘要: 本发明描述了本质上半透明的光伏电池和组件及其制造方法。制造的关键步骤包括在适当的条件下使用磁控溅射,超薄半导体吸收物层的淀积,以及透明背接触的制造。
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公开(公告)号:CN102076882B
公开(公告)日:2013-12-25
申请号:CN200980124332.8
申请日:2009-04-23
申请人: ASM国际公司
IPC分类号: C23C16/44 , C23C16/06 , C23C16/16 , H01L21/205
CPC分类号: C07F11/005 , C23C16/306 , C23C16/45553 , H01L21/0256 , H01L21/02562 , H01L21/0262 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1616 , Y02P20/582
摘要: 提供了形成含Te薄膜的原子层沉积(ALD)方法,所述含Te薄膜如Sb-Te、Ge-Te、Ge-Sb-Te、Bi-Te和Zn-Te薄膜。也提供了形成含Se薄膜的ALD法,所述含Se薄膜如Sb-Se、Ge-Se、Ge-Sb-Se、Bi-Se和Zn-Se薄膜。优选使用式(Te,Se)(SiR1R2R3)2的Te和Se前体,其中R1、R2和R3是烷基基团。也提供了合成这些Te和Se前体的方法。也提供了在相变存储器设备中应用Te和Se薄膜的方法。
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公开(公告)号:CN101884119B
公开(公告)日:2013-09-25
申请号:CN200880118729.1
申请日:2008-09-17
CPC分类号: H01L31/1828 , C23C14/0629 , C23C14/30 , H01L21/02422 , H01L21/02425 , H01L21/02491 , H01L21/02557 , H01L21/02562 , H01L21/0262 , H01L21/02628 , H01L21/02631 , Y02E10/543
摘要: 本发明涉及一种用于制备太阳能电池的方法,该太阳能电池包括支撑体、硫化镉(CdS)层、碲化镉(CdTe)层、透明导电氧化物(TCO)层、导电金属层和任选的缓冲材料层,CdS层和CdTe层通过脉冲等离子沉积(PPD)方法沉积。本发明还涉及一种能通过所述方法得到的太阳能电池。
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公开(公告)号:CN101611496B
公开(公告)日:2012-11-28
申请号:CN200780051559.5
申请日:2007-12-10
申请人: 伊斯曼柯达公司
发明人: K·B·卡亨
IPC分类号: H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/06 , H01L21/225
CPC分类号: H01L29/868 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L21/02381 , H01L21/02524 , H01L21/02538 , H01L21/02551 , H01L21/0256 , H01L21/02562 , H01L21/02568 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02581 , H01L21/02601 , H01L21/02628 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/861 , H01L33/18 , Y10S977/892
摘要: 公开了用于电子设备中的掺杂半导体结和制造该结的方法。该结包括:在基材之上的用施体或受体掺杂的第一种多晶半导体层,要求该第一种掺杂半导体层具有第一种极性,该第一层包括熔结半导体纳米颗粒;和第二层,它与基材上的第一种半导体层发生接触以形成半导体结。
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公开(公告)号:CN102534509A
公开(公告)日:2012-07-04
申请号:CN201110452844.6
申请日:2011-12-20
申请人: 初星太阳能公司
发明人: S·D·费尔德曼-皮博迪 , M·J·帕沃尔
IPC分类号: C23C14/24 , C23C16/448 , H01L31/18
CPC分类号: H01L31/1828 , C23C14/0629 , C23C14/243 , C23C14/246 , C23C14/56 , H01L21/02562 , H01L21/02573 , H01L21/02581 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , Y02E10/543 , Y02P70/521
摘要: 本发明涉及掺杂薄膜层在衬底上的连续沉积的气相沉积装置和方法,具体而言,提供了用于将升华的源材料作为掺杂的薄膜气相沉积在光伏(PV)模块衬底上的装置和相关的方法。容器设置在真空头室内,并构造为用于接受从第一进料管道供给的源材料。第二进料管道可将掺杂剂材料提供至沉积头中。加热的分配歧管设置在容器下面,并且包括多个贯穿其中限定的通道。容器被分配歧管间接加热至足以使源材料在容器内升华的程度。分配板设置在分配歧管下面,并且位于通过装置传送的衬底的水平面以上的限定距离处,从而将穿过分配歧管的升华的源材料进一步分配到下层衬底的上表面上。
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公开(公告)号:CN102453875A
公开(公告)日:2012-05-16
申请号:CN201110355965.9
申请日:2011-10-26
申请人: 初星太阳能公司
发明人: S·D·费尔德曼-皮博迪
CPC分类号: C23C14/3414 , B22F3/02 , B22F3/12 , C22C28/00 , C22C32/0089 , C23C14/0629 , C23C14/3464 , H01L21/02406 , H01L21/02474 , H01L21/0248 , H01L21/02505 , H01L21/0251 , H01L21/02562 , H01L21/02631 , H01L31/0296 , H01L31/073 , H01L31/1828 , Y02E10/543 , Y02P70/521
摘要: 本发明名称为“硫化镉和碲化镉的混和溅射靶以及它们使用的方法”。一般地公开了混和靶(64),用于溅射硫化镉和碲化镉的混合层(19)。混和靶(64)可包括硫化镉和碲化镉。还提供了形成混和靶(64)的方法。例如,可从粉末状硫化镉和粉末状碲化镉形成粉末状混和物,并且将该混和物压入到混和靶(64)中。还一般地公开了用于制造具有混合层(19)的、基于碲化镉的薄膜光伏器件(10)的方法。例如,硫化镉和碲化镉的混和靶(64)可直接溅射在硫化镉层(18)上,以形成混合层(19),并且可在混合层(19)上形成碲化镉层(20)。
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公开(公告)号:CN102405526A
公开(公告)日:2012-04-04
申请号:CN201080017475.1
申请日:2010-02-19
申请人: 第一太阳能有限公司
发明人: 安克·阿肯
IPC分类号: H01L25/00
CPC分类号: H01L31/1836 , H01L21/02422 , H01L21/02474 , H01L21/02557 , H01L21/02562 , H01L21/02581 , H01L31/022475 , H01L31/02963 , H01L31/0336 , H01L31/073 , H01L31/1884 , Y02E10/543 , Y02P70/521
摘要: 光伏电池可以包括具有铜掺杂半导体层的基板。可以利用盐介入掺杂步骤。
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公开(公告)号:CN102097537A
公开(公告)日:2011-06-15
申请号:CN201010592142.3
申请日:2010-12-10
申请人: 通用电气公司
发明人: B·A·科雷瓦尔
IPC分类号: H01L31/18
CPC分类号: H01L31/186 , H01L21/02557 , H01L21/02562 , H01L21/02568 , H01L21/02664 , H01L31/1836 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要: 提供制作薄膜太阳能电池部件的过程。该过程包括下列顺序的制作上述部件的步骤:在透明衬底上沉积吸收层,在吸收层上沉积背接触层且活化吸收层。吸收层包含碲。还呈现制作薄膜太阳能电池的过程。
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公开(公告)号:CN102076882A
公开(公告)日:2011-05-25
申请号:CN200980124332.8
申请日:2009-04-23
申请人: ASM国际公司
IPC分类号: C23C16/44 , C23C16/06 , C23C16/16 , H01L21/205
CPC分类号: C07F11/005 , C23C16/306 , C23C16/45553 , H01L21/0256 , H01L21/02562 , H01L21/0262 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1616 , Y02P20/582
摘要: 提供了形成含Te薄膜的原子层沉积(ALD)方法,所述含Te薄膜如Sb-Te、Ge-Te、Ge-Sb-Te、Bi-Te和Zn-Te薄膜。也提供了形成含Se薄膜的ALD法,所述含Se薄膜如Sb-Se、Ge-Se、Ge-Sb-Se、Bi-Se和Zn-Se薄膜。优选使用式(Te,Se)(SiR1R2R3)2的Te和Se前体,其中R1、R2和R3是烷基基团。也提供了合成这些Te和Se前体的方法。也提供了在相变存储器设备中应用Te和Se薄膜的方法。
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