公开(公告)号：CN102602920A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201210087953.7

申请日：2012-03-29

申请人： 南京大学

发明人： 张豹山 ,  黄琪惠 ,  唐东明 ,  杨燚

IPC分类号： C01B31/04 ,  C23C16/16

摘要： 铁包覆石墨烯纳米复合材料的制备方法，包括以下步骤：(1)将氧化石墨在高温下进行热膨胀剥离处理，得到多层石墨烯；(2)将多层石墨烯与有机溶剂放入四口烧瓶，机械搅拌混合均匀；(3)在不断搅拌保护气氛下，将五羰基铁蒸气导入混合溶液中进行热分解；(4)热分解过程在回流冷凝过程中进行；(5)反应完毕后，氮气保护冷却至室温，用磁铁将产物分离，然后采用有机溶剂清洗，氮气保护下干燥后得到铁包覆石墨烯纳米复合材料。本发明能够在石墨烯片层上均匀包覆尺寸为20-50nm的Fe纳米颗粒。本发明工艺简单可控，价格低廉，有利于工业生产。

公开(公告)号：CN102317499A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201080008213.9

申请日：2010-01-28

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 小岛康彦 ,  桧皮贤治

IPC分类号： C23C16/18 ,  C23C16/16 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L23/53238 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/18 ,  C23C16/45557 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76876 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 在腔室(1)内收纳具有CVD-Ru膜的晶片W，在腔室(1)内以气相状态导入含有作为Cu配位化合物的Cu(hfac)TMVS的成膜原料，其中，作为成膜中产生的副产物Cu(hfac)2的蒸汽压低于成膜原料的蒸汽压，在形成于晶片W的CVD-Ru膜上形成CVD-Cu膜时，将腔室1内压力控制为吸附于CVD-Ru膜表面的Cu(hfac)2的进行脱离和扩散的压力。

公开(公告)号：CN102112649A

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN200980129915.X

申请日：2009-08-04

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 五味淳 ,  水泽宁 ,  波多野达夫 ,  原正道 ,  山本薰 ,  多贺敏

IPC分类号： C23C16/16 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  H01L21/205 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/683

CPC分类号： C23C16/52 ,  C23C16/16 ,  C23C16/45514 ,  C23C16/45521 ,  C23C16/45597 ,  C23C16/4585 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/68785

摘要： 本发明提供一种载置台构造。为了使用产生具有可逆性的热分解反应的原料气体在处理容器内在被处理体上形成薄膜，该载置台构造设置在上述处理容器内来载置上述被处理体，其特征在于，包括：载置台，其用于在作为其上表面的载置面载置上述被处理体；分解抑制气体供给部件，其设置在上述载置台内，用于朝向载置于上述载置台的载置面的上述被处理体的周边部供给用于抑制上述原料气体的热分解的分解抑制气体。

公开(公告)号：CN100472724C

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200480028499.1

申请日：2004-09-07

申请人： 东京毅力科创株式会社 ,  国际商业机器公司

发明人： 松田司 ,  池田太郎 ,  波多野达夫 ,  立花光博 ,  山崎英亮 ,  格特·J·莱乌辛克 ,  芬顿·R·麦克非 ,  桑德拉·G·马尔霍特拉 ,  安德鲁·H·西蒙 ,  约翰·J·尤尔坎斯

IPC分类号： H01L21/285 ,  C23C16/16 ,  H01L21/768

CPC分类号： C23C16/4408 ,  C23C16/16 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/28562

摘要： 本发明提供了一种利用连续流沉积工艺来沉积具有良好表面形貌的金属层的方法，该方法包括使处理室中的衬底交替暴露于金属-羰基前驱气和还原气中。在暴露于金属-羰基前驱气过程中，通过热分解在衬底上沉积薄金属层，随后使该金属层暴露于还原气中以利于从该金属层中除去反应副产物。可以重复金属-羰基前驱气和还原气暴露步骤直到形成期望厚度的金属层。金属羰基前驱体例如可以选自W(CO)6、Ni(CO)4、Mo(CO)6、Co2(CO)8、Rh4(CO)12、Re2(CO)10、Cr(CO)6和Ru3(CO)12。

公开(公告)号：CN101164161A

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200680010435.8

申请日：2006-03-23

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 铃木健二

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  C23C16/16 ,  C23C16/448

CPC分类号： H01L23/53238 ,  C23C16/045 ,  C23C16/16 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76871 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 提供了一种用于沉积低电阻率钌金属层(440、460)的低温化学气相沉积工艺，这种低电阻率钌金属层(440、460)可以在Cu金属化方案中用作阻挡/晶种层。该方法(300)包括在沉积系统(1、100)的处理室(10、110)中提供衬底(25、125)，形成包含羰基钌前驱体蒸汽和含CO气体的处理气体，以及将衬底(25、125)暴露于处理气体以通过热化学气相沉积工艺在衬底(25、125)上沉积低电阻率钌金属层(440、460)，其中衬底(25、125)在所述暴露期间被维持在约100℃和约300℃之间的温度。还提供了包含钌金属层(440、460)的半导体器件，钌金属层(440、460)形成在包含一个或多个过孔或沟槽(430)或其组合的图案化衬底(402、404、406、408)上。

公开(公告)号：CN101012547A

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN200610156074.X

申请日：2006-12-30

申请人： 江苏天一超细金属粉末有限公司

发明人： 高为鑫 ,  王斌 ,  柯尊斌

IPC分类号： C23C16/16 ,  C23C16/02 ,  C23C16/56

摘要： 本发明公开了一种金刚石、立方氮化硼颗粒表面镀钨、铬、钼的方法及设备，该方法包括以下步骤：首先在加热室(6)对清洁的金刚石、立方氮化硼颗粒预加热，加热温度下限应高于用于镀膜的羰基金属络合物沸点温度，加热温度上限视所需镀膜厚度，以不降低金刚石、立方氮化硼的强度为限；然后将加热的颗粒输送至到带有振动或搅拌器(11)的镀膜室(7)中，通入羰基金属络合物蒸汽镀膜；最后将完成镀膜的金刚石、立方氮化硼颗粒输送至冷却钝化室(8)中冷却、钝化或送入下一轮加热镀膜。所述方法均匀连续地对金刚石、立方氮化硼颗粒实施钨、铬、钼的单层、多层或复合镀膜，使磨料与金属胎体的结合加强，延长了金刚石、立方氮化硼制品的使用寿命。

公开(公告)号：CN1938450A

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN200580010029.7

申请日：2005-02-15

申请人： 东京毅力科创株式会社 ,  国际商业机器公司

发明人： 中村和仁 ,  考利·瓦吉达 ,  恩里科·莫斯卡 ,  格特·莱乌辛克 ,  芬顿·R·麦克非 ,  河野有美子 ,  桑德拉·G·马尔霍特拉

IPC分类号： C23C16/16 ,  C23C16/458

CPC分类号： C23C16/4581 ,  C23C16/16

摘要： 本发明涉及在处理室(10)中的陶瓷衬底加热器(20，600，700)上处理衬底(25，620，720)的方法。所述方法包括：在所述处理室(10)中的所述陶瓷衬底加热器(20，600，700)上形成保护涂层(730，790)，并在所述经涂敷的衬底加热器上处理衬底(25，620，720)。所述方法可以包括将待处理的衬底(25，620，720)提供到所述经涂敷的陶瓷衬底加热器上，通过将所述衬底(25，620，720)暴露于处理气体中对所述衬底(25，620，720)进行处理，并将所述经处理的衬底从所述处理室(10)中取出。

公开(公告)号：CN1906325A

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN200580001875.2

申请日：2005-02-08

申请人： 东京毅力科创株式会社 ,  国际商业机器公司

发明人： 池田太郎 ,  松田司 ,  芬顿·R·麦克非 ,  桑德拉·G·马尔霍特拉 ,  安德鲁·H·西蒙 ,  约翰·J·尤尔坎斯

IPC分类号： C23C16/02 ,  C23C16/16

CPC分类号： C23C16/5096 ,  C23C16/02 ,  C23C16/16

摘要： 本发明提供了一种用于在衬底上形成具有改进的形态的金属层的方法和处理设备。该方法包括：通过将衬底暴露至等离子体中的受激态物质来预处理衬底；将预处理的衬底暴露至包含羰络金属前体的处理气体；并且通过化学气相沉积处理在预处理的衬底表面上形成金属层。所述羰络金属前体包括W(CO)6、Ni(CO)4、Mo(CO)6、Co2(CO)8、Rh4(CO)12、Re2(CO)10、Cr(CO)6或Ru3(CO)12或其任意组合，并且金属层可以分别包含W、Ni、Mo、Co、Rh、Re、Cr或Ru或其任意组合。

公开(公告)号：CN1696339A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200510016817.9

申请日：2005-05-26

申请人： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

发明人： 冯秋菊 ,  申德振 ,  张吉英 ,  吕有明 ,  范希武 ,  李炳生

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/06 ,  C23C16/16 ,  C23C16/02

摘要： 本发明涉及用低压MOCVD设备制备磁性薄膜的方法。首先放入清洗好的半绝缘衬底，在机械泵和低压控制器作用下将生长室压力控制在2.0×103Pa－104Pa，依次在生长室内通入由高纯氢气携带的反应源，生长温度为250℃－350℃，生长时间为30分钟，即可在低压的条件下完成FeSe薄膜的生长。本发明利用低压金属有机化学气相沉积制备磁性材料，与前人报道的硒化等方法制备的FeSe薄膜在质量上有本质的区别，本发明通过控制生长温度、生长压力、流量等参数来获得高质量FeSe薄膜的方法，用这种方法制备出的FeSe薄膜为下一步自旋器件的制备及实现奠定了物质基础。此外，本发明采用MOCVD设备不仅适于科学研究，它更适于规模化生产。本发明的制备方法适于宽带II－VI族磁性材料的生长制备。

公开(公告)号：CN116988040A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202310708393.0

申请日：2023-06-14

申请人： 上海应用技术大学

发明人： 卢建宁

IPC分类号： C23C16/14 ,  C23C16/16 ,  C23C16/18 ,  C23C16/22 ,  C23C16/44

摘要： 本发明公开了一种过渡性膜层及其制备方法，过渡性膜层生长于底层镀膜基材上，所述过渡性膜层为所述底层镀膜基材与上层目标膜层的过渡层，所述过渡性膜层为铁基膜。本发明通过在不兼容的底层镀膜基材和上层目标膜层之间引入中间过渡性膜层，利用过渡性膜层和底层镀膜基材以及上层目标膜层均兼容的特点，克服了上层目标膜层在这些底层镀膜基材上生长不良的问题，解决了现有技术中在高铝、高镍、高铜等基材上进行硅材膜镀膜时，硅材膜生长不良的问题。