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公开(公告)号：CN100524468C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200510115616.4
申请日：2005-11-07
申请人： 国际商业机器公司
发明人： I·E·T·伊本
CPC分类号： G11B5/455 , G11B5/40 , G11B33/1493
摘要： 一种用于保护例如MR磁头的电子器件免受ESD/EOS的损坏的保护装置，包括：电缆，其具有耦合到所述电子器件的引线、以及提供对该引线的接触的第一端口。具有到所述电缆的每根引线的一一对应电连接的第二端口，提供了到全部所述引线的第二电接触。短路装置被耦合到所述两端口之一，从而在所述电缆引线和延伸部分引线之间形成短路。另一端口可以用于耦合到外部装置，例如测试器或最终装置，同时所述短路装置提供ESD/EOS保护。
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公开(公告)号：CN101207283A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200710186636.X
申请日：2007-11-14
申请人： 国际商业机器公司
CPC分类号： G11B33/1493
摘要： 根据本发明的一个实施例的一种系统，用于保护电子器件使其免于电故障，如，静电放电和其他干扰事件，该系统包括第一和第二用于传递电流通过电子器件的导线，耦合到该导线的第一二极管保护机构，使得当导线耦合到电子器件时，第一二极管保护机构与电子器件并联，还包括第二二极管保护机构，当所述导线耦合到电子器件时，第二二极管保护机构与电子器件串联耦合。
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公开(公告)号：CN101040325A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200580035047.0
申请日：2005-09-29
申请人： 罗姆股份有限公司
CPC分类号： H03F1/56 , G11B5/40 , H03F3/45179 , H03F2200/381 , H03G11/00
摘要： 在磁记录再现装置中保护再现头而不会对电路工作产生影响。磁记录再现装置(100)是对未图示的磁盘写入、或读出信息的硬盘装置，包含再现头(10)、记录头(12)、磁头驱动电路(200)。磁头驱动电路(200)是用于驱动控制再现头(10)以及记录头(12)的电路，将再现头(10)、记录头驱动电路(16)、控制部分(18)、可变阻抗元件(20)集成为一体。该磁头驱动电路(200)进行分时切换，以在再现工作时切换为读模式，在记录工作时切换为写模式。控制部分(18)在写模式时降低可变阻抗元件(20)的阻抗。
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公开(公告)号：CN100336105C
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN03152344.7
申请日：2003-07-29
申请人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
发明人： 托马斯·R·阿尔布莱克特 , 查尔斯·A·布朗 , 格瑞德·P·赛恩 , 赫尔曼·鲁塞尔·温迪特
CPC分类号： G11B5/6005
摘要： 一种磁记录盘片驱动器，具有自限磨损接触类型的空气支承滑块，它们支撑着读/写磁头。读/写磁头的磁性元件延伸到可磨损点内并被其围绕，该点突出到超过滑块的空气支承表面。在滑块制造和磁盘驱动器安装期间，突出垫的端点和磁性元件的端点覆盖着保护磁性元件的防锈涂层。在磁盘驱动器内安装带有外涂层之突出垫的滑块时，是在一种特殊的环境下，典型情况下是空气中的湿度控制在磁性元件会发生锈蚀的水平以下。然后驱动器进行密封，并在突出垫与磁盘接触的情况下运行，直到外涂层和突出垫的一部分被磨掉或者说被抛光。在受控的环境下将带有突出垫的空气支承滑块与密封的磁盘驱动器组合在一起，以及或者在驱动器已经被密封之后，或者在受控的湿度条件下在密封之前抛光磁头外涂层，使得磁盘驱动器制造中能够实现非常小的磁间距。
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公开(公告)号：CN1296896C
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN99126328.6
申请日：1999-11-11
申请人： TDK株式会社
CPC分类号： G11B5/4853 , G11B5/486
摘要： 本发明提供一种磁头装置，其中磁头IC芯片可以更加靠近磁头，并且可把热影响控制在允许范围内。该磁头装置包含：其上具有磁头的磁头滑块；悬臂元件，其由薄弹性材料构成并在其一端承载所述磁头滑块；以及磁头IC芯片，其中：悬臂元件的另一端固定在另一元件上。磁头IC芯片安装在悬臂元件上。若选择IC芯片使其面向磁盘一侧具有适当的面积并安装在悬臂元件上，IC芯片本身的温度可以维持在允许范围内，磁头的温度也可以维持较低。
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公开(公告)号：CN1292402C
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN01811245.5
申请日：2001-04-13
申请人： 西加特技术有限责任公司
CPC分类号： B82Y10/00 , B82Y30/00 , C23C14/022 , C23C14/0605 , G11B5/3106 , G11B5/40 , G11B5/484 , G11B5/72 , G11B5/74 , G11B5/8408 , G11B11/10584 , G11B11/10586 , Y10S428/90 , Y10S977/847 , Y10S977/896
摘要： 改进的磁性介质(100，110)具有金属或半导体的表面(102，114)，其中磁性介质的表面具有键合在金属或半导体表面的近似单层的富勒烯分子(104，116)。在富勒烯分子和表面之间的键合强度强于富勒烯一富勒烯相互分子间的键合强度。磁性介质可以用于数据存储系统(200)的部件制造中，尤其用于具有磁性传感器的磁头(218，250)和磁或光磁磁盘(208，300，326)。在形成富勒烯涂层的方法中，近似单层富勒烯分子沉积在几乎没有污染物的金属或半导体表面上。
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公开(公告)号：CN1637858A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410082415.4
申请日：2004-09-17
申请人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
CPC分类号： G11B5/39
摘要： 磁阻效应型磁头的击穿电压低至0.3伏时，忽略制造或使用过程中产生的即使是非常少量的静电是不切实际的。通过以下步骤来制造所期望的磁头：在Si浮动块31上形成SiO2层32，从而形成SOI基板30；在该SOI基板30上形成用来保护TMR元件203免受过压损害的电路33，34，35和读写回路(未图示)；从Si半导体层(该Si半导体层通过减少SiO2层32或在SiO2层32上外延生长而形成)形成场效应晶体管33，34；在Si半导体层上形成三个电极(源极，栅极，漏极)；通过与Si半导体层肖特基接触(金属)形成肖特基二极管35；在SOI基板30上形成铝布线36的过压保护电路33，34，35；最后形成TMR元件203。
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公开(公告)号：CN1199153C
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN00811407.2
申请日：2000-04-10
申请人： 阿尔卑斯电气株式会社 , 油化电子株式会社
IPC分类号： G11B5/40 , G11B5/39 , C08K7/06 , C08L101/00
摘要： 磁盘用磁阻效应头运送托盘由在热塑性树脂材料中掺入碳原纤维(carbon fibrils)的树脂合成物模塑而成，该碳原纤维的纤维直径为100nm以下，纤维长度与纤维直径之比为5以上，每100份重量的热塑性树脂材料中加进0.1～8份重量的碳原纤维，该运送托盘的表面电阻值可稳定在104～1012Ω/□范围内，而且表面状态均匀，极少发生由于刮划、摩擦以及清洗而造成的微粒脱落。
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公开(公告)号：CN1577494A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410059033.X
申请日：2004-07-29
申请人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
CPC分类号： G11B5/3136 , G11B5/012 , G11B5/17 , G11B5/3116 , G11B5/313 , G11B5/40
摘要： 公开具有减小的电阻以减小热突起的写线圈构造的磁头。在一种说明性实例中，磁头包括磁轭；在磁轭的上和下极之间形成的写间隙层；以及具有多个线圈层的写线圈。写线圈的每个线圈层在上和下极之间连续延伸通过由写间隙层定义的平面。优选地，写线圈使用金属镶嵌过程形成，使得每个线圈层比每个线圈分隔层宽。这种构造规定相对大量的线圈材料被使用，这减小线圈的电阻。这又减小操作期间由写线圈产生的热量。另外，下和上极的一个或两个可以包括交替的磁性和非磁性介电层的水平层压结构，以进一步减小由涡流损耗引起的加热。因为热突起减小，磁头的飞行高度可以制造得相对小，且具有磁头到磁盘撞击和磁盘擦伤的减小危险。
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公开(公告)号：CN1451157A
公开(公告)日：2003-10-22
申请号：CN00816655.2
申请日：2000-10-05
申请人： 西加特技术有限责任公司
CPC分类号： G11B5/40 , G11B5/11 , G11B5/3903 , G11B5/4806
摘要： 本发明揭示了一种电路，该电路包括一个磁阻传感器和被耦合到MR传感器的一个隧道结器件，以便耗散与超过传感器工作电压的电信号有关的能量。隧道结可包括第一导电层、第二导电层，以及位于第一与第二导电层之间的势垒材料。势垒材料可以被放置成使第一导电层和第二导电层不接触。MR传感器可以与第一和第二导电层并联连接。隧道结可以用一种材料制成，该材料的电阻大于在工作电压下MR传感器的电阻并低于在更大电压下MR传感器的电阻。在本发明的另一个方面中，提出了一种用于制造被保护的电路的方法，包括：将MR传感器集成在电路上并将隧道结耦合到MR传感器，以便耗散超过MR传感器的工作电压的电信号。可以在电路的制造期间制造隧道结器件。该方法可包括在MR传感器上制造隧道结。
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