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公开(公告)号：CN110176498A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910366654.9
申请日：2019-04-30
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/16 , H01L29/10 , H01L21/263 , H01L21/336 , H01L29/06
Abstract: 一种低导通电阻的沟槽碳化硅功率器件及其制造方法。其元胞结构包括，N型衬底，N型外延层，沟槽，沟槽侧壁设有石墨烯层，沟槽内部设有栅氧化层和多晶硅栅，多晶硅栅上方设有钝化层，沟槽两侧设有P型体区、N型源区和P型体接触区，石墨烯层下方设有P型屏蔽层，源区上表面设有源极金属，衬底下表面设有漏极金属。本发明使用电子束法，以金属和碳源气体辅助，在沟槽侧壁生长石墨烯层。本发明特征在于，沟槽侧壁的石墨烯层，降低了导通电阻。石墨烯层下方的屏蔽层，屏蔽了在器件关断状态时流过石墨烯层的电流，提升器件关断特性。使用了金属镍和碳源气体辅助生长石墨烯层，提高了石墨烯层的均匀性、厚度和生长速率。
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公开(公告)号：CN109860301A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910055795.9
申请日：2019-01-21
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种低反向恢复电荷SJ-VDMOS器件，包括N+型衬底，在其下表面设有第一金属漏电极，N+型衬底上方设有N型外延层、P型外延层和P柱，P型外延层内设有纵向沟槽栅，P型外延层表面设有第一P+区域及第一N+区域并且设有第一金属源电极和第一金属栅电极，其特征在于，P型外延层内设有SiO2隔离层以隔离形成低压PMOS区并在其内置有低压PMOS管，低压PMOS管包括N型区域，N型区域一侧设有P+区域及第二金属漏电极，另一侧设有第二P+区域、第二N+区域及第二金属源电极，N型区域表面设有栅氧及横向多晶硅栅，横向多晶硅栅与第二金属漏电极及各第一金属源电极连接，P型外延层表面设有层间隔离介质。本发明通过引入电子沟道续流机制，显著降低反向恢复电荷Qrr。
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公开(公告)号：CN106024876B
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201610576522.5
申请日：2016-07-19
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 一种用于消除回滞现象的逆导型横向绝缘栅双极型晶体管器件，在提高传统结构关断速度的情况下，消除了回滞现象。该半导体具备：在P型衬底上设有埋氧，在埋氧上设有N型漂移区，其两侧设有N型缓冲区阵列和P型体区，在N型缓冲区列阵的各个N型缓冲区内设有重掺杂P型集电极区，在相邻的重掺杂P型集电极区之间设有第一N型重掺杂区，P型体区内设有P型阱区，P型阱区设有重掺杂P型发射极区，重掺杂P型发射极区周边设有重掺杂N型发射区，在N型漂移区内设有氧化层隔离沟槽，所述沟槽与器件边界共同形成一N型漂移区的局部封闭区，各第一N型重掺杂区分别被氧化层隔离沟槽包围且相邻的重掺杂P型集电极区与N型重掺杂区被氧化层隔离沟槽隔离。
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公开(公告)号：CN109214263A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810702467.9
申请日：2018-06-30
Applicant: 东南大学
IPC: G06K9/00
Abstract: 本发明公开了一种基于特征复用的人脸识别方法，属于计算推算的技术领域，尤其涉及人脸识别的计算机视觉技术领域。该方法利用外部数据集训练人脸特征提取器，通过多次等步长卷积及特征图拼接的方式分级提取本地数据集中各成员对应的参考特征以构成参考特征空间，对比待测试样本的特征向量和参考特征以确定与待测试样本的特征向量最相似的参考特征，在与待测试样本的特征向量最相似的参考特征满足阈值要求时，以与待测试样本的特征向量最相似的参考特征所属成员的身份为待测试样本的身份，否则，返回待测试样本身份识别失败的消息，以较少的计算资源实现了人脸的快速识别。
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公开(公告)号：CN109067181A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810788897.7
申请日：2018-07-18
Applicant: 东南大学
IPC: H02M3/335
Abstract: 本发明公开了一种有源钳位反激变换器的自适应同步整流控制系统及控制方法；控制系统包括采样及信号处理电路、以微控制器为核心的控制电路和栅驱动器；控制方法能够实现有源钳位反激变换器副边同步整流管的开启状态、关断过早、关断过晚、恰好关断状态的直接检测，并能够根据检测结果控制同步整流管准确开启以及下一个周期内同步整流管的导通时间。经过数个周期的自适应控制后，同步整流管进入恰好关断状态，避免了有源钳位反激变换器输出波形的振荡、降低了损耗、提升了效率；根据不同状态检测时间段，分时复用微控制器内部的比较器，节省了硬件资源，降低了电路成本和调试难度。
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公开(公告)号：CN108807541A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810537122.2
申请日：2018-05-29
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 一种具有交错叉指式浅槽隔离结构的横向半导体器件，包括：P型衬底，在P型衬底的上方设有高压N型区，在高压N型区的上方设有N型漂移区和P型体区，在N型漂移区内设有N型漏区和三个浅槽隔离区，在P型体区内设有N型源区和P型区，在高压N型区上还设有U形栅氧化层且所述栅氧化层的U形开口朝向漏端并且两端分别延伸至P型体区的上方和浅槽隔离区的上方，在栅氧化层的上方设有多晶硅栅场板，在N型漏区、N型源区和P型区的上表面分别设有漏极金属接触、源极金属接触和体区金属接触，其特征在于，所述的浅槽隔离区在漂移区内呈交错叉指式排列。本发明结构能够在击穿电压不变的基础上，获得较低的导通电阻。
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公开(公告)号：CN105843774B
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201610170062.6
申请日：2016-03-23
Applicant: 东南大学—无锡集成电路技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种动态多模式可配的可重构计算单元结构，应用于可重构处理器系统中。可重构处理器系统主要包括三部分：数据模块、配置模块和可重构阵列。该可重构处理器包含四个可重构阵列，每个可重构计算阵列包含48个同构计算单元。每个计算单元之间的路由结构根据配置信息实现，实现同一可重构阵列中加、减、乘、除并行执行；相较于传统的可重构计算单元结构，该结构通过精细化配置，可以高效地实现加、减、乘、除四种运算；面向不同算子，可将阵列中计算单元进行组合，从而高效地实现多种不同算法，提高了可重构处理器系统的吞吐率、灵活性和计算效率。
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公开(公告)号：CN105978123B
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201610393244.X
申请日：2016-06-06
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种移相全桥式车载充电机死区时间动态调节系统，包括输入整流滤波模块、移相全桥主功率模块、输入电压采样模块、输出电流采样模块、栅驱动模块、STM32单片机控制模块。STM32单片机通过其内部的ADC将输入电压采样模块和输出负载电流采样模块得到的采样信息传递给CPU，CPU利用此采样信息与预先设定的参考值进行比较，判断出该车载充电机处于何种工作状态，根据不同的工作状态，分别对控制芯片内部的定时器进行不同的配置，使得移相全桥变换器滞后桥臂的死区时间能够根据负载状态进行动态调节。本发明在车载充电机的整个充电过程中均能够实现零电压开关，降低了开关管的开关损耗，提高了系统的整体效率。
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公开(公告)号：CN106099864B
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201610571071.6
申请日：2016-07-19
Applicant: 东南大学
IPC: H02H7/20
Abstract: 一种IGBT功率开关器件的短路保护方法及其电路，包括IGBT驱动电路、栅极驱动电阻RG、短路检测电路和短路处理电路。其中IGBT驱动电路用来给IGBT的栅极提供工作电压，IGBT驱动电路还包括一个控制端口，用来接受来自短路检测电路的短路控制信号，对IGBT驱动电路的输出信号进行锁定；短路检测电路包括硬开关短路故障(HSF)检测电路和带载短路故障(FUL)检测电路两个部分，分别对IGBT的两种短路行为进行检测，共同构成IGBT的短路检测电路；短路处理电路则是当短路故障发生时，对短路故障进行安全可靠的处理。本发明通过对IGBT栅极瞬态行为进行短路检测，电路简单，检测时间短，能够可靠地检测IGBT短路故障，从而对IGBT进行有效的保护。
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公开(公告)号：CN105846678B
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201610179549.0
申请日：2016-03-25
Applicant: 东南大学
IPC: H02M3/158
Abstract: 一种单电感多输出开关电源变换器的次环控制系统，在次环控制系统中，各次环控制支路中采用内部设有上门限电压VH和下门限电压VL的迟滞比较器取代传统次环误差放大器和次环PWM比较器，各次环控制支路迟滞比较器的输入分别为n‑1个差模电压Vfbi(i＝1，2，…n‑1)，Vfbi分别与上门限电压VH和下门限电压VL进行比较，当Vfbi低于下门限电压VL时，占空比控制信号PWM为高电平，相应输出支路中的次级功率开关管打开；当Vfbi高于上门限电压VH时，占空比控制信号PWM为低电平，相应输出支路中的次级功率开关管关断，从而实现通过迟滞比较器快速调节次级占空比信号。
