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公开(公告)号：CN105503193B
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201510907736.1
申请日：2015-12-10
申请人： 中国地质大学(北京)
IPC分类号： C04B35/565 , C04B35/626 , C04B35/64
摘要： 本发明涉及一种利用蓝晶石选矿尾矿转型转相制备Sialon/Si3N4‑SiC复相耐高温材料的方法，属于耐火材料制备技术领域。其特征是采用以蓝晶石选矿尾矿、碳质材料和高纯氮气为主要原料，经配料、球磨混料、高温碳热氮化还原反应以及除碳等工艺制备得到一种纯度较高的片状或棒状Sialon‑SiC复相粉体；采用碳热还原氮化制得的Sialon‑SiC复相粉体、氮化硅粉体和碳化硅粉体为主要原料，经配料、球磨混料后在非氧化气氛下烧结得到Sialon/Si3N4‑SiC复相耐高温材料。采用蓝晶石选矿尾矿转型转相制备得到的Sialon/Si3N4‑SiC复相材料具有良好的抗折强度与抗压强度，该工艺具有较高的转化率，可用于耐高温材料、陶瓷部件以及钢铁行业等。本发明所涉及的原材料成本及能耗低，蓝晶石选矿尾矿利用率高，不仅为蓝晶石选矿尾矿的利用开辟了新的途径，而且也减轻了对环境的污染，具有深远的环保意义和经济价值。
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公开(公告)号：CN105774120B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201610201224.8
申请日：2016-03-31
申请人： 清华大学 , 中国地质大学(北京)
摘要： 本发明提出了制备金属纳米片的方法及金属纳米片。该方法包括：对至少两片金属片进行多次加压处理，以便获得多层金属纳米片，其中，所述至少两片金属片所含有的金属元素不全部相同。该方法能够快速、大规模地制备多层金属纳米片，且成本低廉、操作简便、对设备要求极低，且通过控制加压处理的次数即可调控金属纳米片的厚度。
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公开(公告)号：CN105774120A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610201224.8
申请日：2016-03-31
申请人： 清华大学 , 中国地质大学(北京)
摘要： 本发明提出了制备金属纳米片的方法及金属纳米片。该方法包括：对至少两片金属片进行多次加压处理，以便获得多层金属纳米片，其中，所述至少两片金属片所含有的金属元素不全部相同。该方法能够快速、大规模地制备多层金属纳米片，且成本低廉、操作简便、对设备要求极低，且通过控制加压处理的次数即可调控金属纳米片的厚度。
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公开(公告)号：CN105062479A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510499710.8
申请日：2015-08-15
申请人： 中国地质大学(北京)
IPC分类号： C09K11/79
摘要： 本发明涉及一种黄橙光型钙硅石结构的氮氧化物荧光材料及其制备方法，属于荧光技术领域。所涉及荧光材料的化学组成式为La1-xSiO2N:xEu2+，其中，x是掺入基质材料La1-xSiO2N中的稀土离子Eu2+的摩尔百分比。选择上述结构式中的氧化物或者相应的氮化物为原料，采用碳热还原氮化的方法，用焦炭等维持反应中的还原气氛，以H2和N2混合气体为反应气体，在高温下反应得到所述发光材料。该荧光材料具备优异的发光性能、兼顾热学和耐高温性能且环境友好，能与近紫外发光二极管相匹配，应用于白光LED领域。此外，该制取方法制得的荧光粉纯度高，易于操作，不污染环境，具备广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN103421507B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201310397408.2
申请日：2013-09-05
申请人： 中国地质大学(北京)
IPC分类号： C09K11/80
摘要： 一种氮化镁基六铝酸镧荧光材料及其制备方法，属于荧光材料技术领域。本发明采用碳热还原氮化的方法，以LaMgAl11O19粉体为原料，用焦炭等维持反应中的还原气氛，以氮气、氨气或氮气和氨气的混合气体为反应气体，在高温下反应得到氮化镁基六铝酸镧荧光材料。具备优异发光性能、兼顾热学和耐高温性能且环境友好，能满足白光LED领域的条件需求，具备广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN101591190B
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN200910087541.1
申请日：2009-06-29
申请人： 中国地质大学(北京)
IPC分类号： C04B35/66 , C04B35/622
摘要： 本发明涉及一种铝电解槽侧墙用新型Si3N4-SiC-C耐火砖及其制备方法，属于耐火材料制备技术领域。其特征是采用氮化硅颗粒和细粉、碳化硅颗粒和细粉、电煅无烟煤颗粒和细粉为主要原料，以沥青、焦油和树脂为结合剂以及其他添加剂，按一定比例混合，然后经过混练、困料、成型、干燥、焙烧等工艺过程制备出Si3N4-SiC-C耐火砖。所述这种耐火砖与氮化硅结合碳化硅砖相比具有抗冰晶石能力强和成本低的优势，与碳质耐火砖相比具有抗氧化能力强和防止漏电及节约电能的优势，这种耐火砖可以有效的降低电解铝的生产成本和节约能源，提高电解铝的市场竞争力。这种Si3N4-SiC-C耐火砖还可以广泛应用于其它行业的耐高温材料。
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公开(公告)号：CN101704680B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200910237549.1
申请日：2009-11-18
申请人： 中国地质大学(北京)
IPC分类号： C04B35/622 , C04B35/111
摘要： 一种亚微米氧化铝陶瓷材料及其制备方法，属于结构陶瓷材料技术领域。本发明以粒径为纳米级或亚微米级的α-Al2O3粉体为原料，经过成型，采用深度降温法无压烧结制备得到晶粒尺寸小于1微米的氧化铝陶瓷材料。该方法具有烧结温度低、制备工艺简单、可在无压烧结条件下获得亚微米级氧化铝陶瓷、制备得到的陶瓷平均晶粒尺寸小，且可以通过改变烧结工艺控制其平均晶粒尺寸的优点。制备得到的亚微米氧化铝陶瓷材料相对密度大于98％，具有高的机械性能。
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公开(公告)号：CN102603313A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201110433179.6
申请日：2011-12-21
申请人： 中国地质大学(北京)
IPC分类号： C04B35/66
摘要： 本发明涉及一种钙长石-莫来石复相耐高温材料及其制备方法，属耐火材料技术领域。该复相耐高温材料以石灰石、石英粉和γ-氧化铝为主要原料，石灰石按照占总配料质量分数的1.0～31％、石英粉按照占总配料质量分数的28.2～37.5％、γ-氧化铝按照占总配料质量分数的31.5～72％进行配料，经湿法球磨混合后，加入结合剂干压成形，于1400℃～1600℃下烧结制备得到钙长石-莫来石复相耐高温材料。本发明制备的钙长石-莫来石复相耐高温材料具有优良的耐高温、抗热震性和低导热性能，可有效降低含钙长石、莫来石复相耐高温材料的成本，同时能够为钙长石和莫来石的综合高效利用开辟新的技术途径。
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公开(公告)号：CN102583424A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210034681.4
申请日：2012-02-16
申请人： 中国地质大学(北京)
IPC分类号： C01B35/18
摘要： 本发明涉及一种Al8B4C7磨料及其制备方法，属于新型磨料的制备技术领域。其特征是采用金属Al粉体、硼源(可以是B4C、B2O3或硼粉等)和碳源(可以是石墨、炭黑、焦炭粉或酚醛树脂等)为主要原料，将各原料按一定比例混合后再经过成型、干燥、烧成、粉碎、过筛等工艺过程制备出Al8B4C7磨料。所述的这种Al8B4C7磨料具有高硬度、高韧性、低密度和磨料颗粒形状可控等特点，该方法烧成温度低，减少了能源消耗，制备工艺方法简单、制得的磨料磨削加工性能好。
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公开(公告)号：CN102010195A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN201010271191.7
申请日：2010-09-03
申请人： 中国地质大学(北京)
IPC分类号： C04B35/453 , C04B35/622 , H01L41/187
摘要： 本发明涉及一种掺锆和钼的铋层状无铅压电陶瓷及其制备方法，属于压电陶瓷材料领域。本发明采用SrBi2Ta2O9体系无铅压电陶瓷材料为基体，在Ta位按一定的摩尔比值掺入Zr和Mo，按照固相工艺制备方法，制备出此种新型压电陶瓷材料，其组成为SrBi2(Zr0.5Mo0.5)xTa2-xO9，其中0≤x≤2。该种材料在SrBi2Ta2O9基础上提高了压电常数，降低了介电常数，同时还具有低的机电耦合系数、高的机械品质因数等优点，是一种能够应用于制备各类压电陶瓷元件及组装成各类压电传感器的优良无铅压电陶瓷材料。
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