公开(公告)号：CN116404041A

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN202211090728.9

申请日：2022-09-07

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  西安电子科技大学

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  陈燕宁 ,  邵瑾 ,  刘芳 ,  付振 ,  段宝兴 ,  李秀伟 ,  李腾浩 ,  钟明琛 ,  马俊超 ,  李明哲 ,  杨银堂

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/40 ,  H01L29/06

摘要： 本发明涉及AlGaN/GaN垂直型超结/半超结绝缘半导体场效应管及制作方法；解决现有的AlGaN/GaN垂直型器件存在较低耐压和较高导通损耗的问题；超结场效应管包括衬底、漏极、在衬底上表面形成两个P型柱区，两个P型柱区之间形成N型漂移区，在P型柱区和N型漂移区上部形成P型阻挡层，在P型阻挡层上形成GaN沟道层和AlGaN势垒层，在AlGaN势垒层上形成源区，源区内设置源极，对N型漂移区、P型阻挡层、GaN沟道层和AlGaN势垒层中部刻蚀形成介质沟槽，在介质沟槽内设置三氧化二铝薄氧化层和SIPOS场板，位于两个SIPOS场板之间的二氧化硅和多晶硅，设置在多晶硅上方的栅极；位于栅极上表面的钝化层；两个源极共接，本发明还提出半超结场效应管以及超结、半超结场效应管的制作方法。

公开(公告)号：CN115939197B

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202310061014.3

申请日：2023-01-19

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司

发明人： 余山 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  赵扬 ,  朱松超 ,  刘春颖 ,  邵亚利 ,  沈美根 ,  鹿祥宾 ,  李君建

IPC分类号： H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 本发明涉及半导体领域，提供一种LDMOSFET器件的制造方法及LDMOSFET器件。LDMOSFET器件的制造方法，包括：在半导体衬底上形成阱区、漂移区和体区；在漂移区形成沟槽；在沟槽的侧壁形成氮化硅侧墙；在具有氮化硅侧墙的沟槽内填充隔离介质形成填充沟槽；去除填充沟槽内的氮化硅侧墙形成空气侧墙；在具有空气侧墙的填充沟槽表面覆盖氧化层，形成具有封闭的空气侧墙的场板隔离结构；在场板隔离结构上形成栅极和场板。本发明通过空气侧墙将场板隔离结构中的氧化物与漂移区的硅从侧面隔离开，彻底消除隔离结构侧面、上角处和下角处的二氧化硅与硅之间的界面态，提高LDMOSFET器件的可靠性；具有空气侧墙的场板隔离结构可以更好的降低表面电场，提高器件的击穿电压。

公开(公告)号：CN115863397B

公开(公告)日：2023-04-21

申请号：CN202310056857.4

申请日：2023-01-19

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司

发明人： 余山 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  赵扬 ,  朱松超 ,  邵亚利 ,  安铁雷 ,  连亚军 ,  朱亚星

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/16 ,  H01L21/336

摘要： 本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体技术领域。晶体管包括：衬底；阱区，形成于衬底；体区和漂移区，形成于阱区；异质结延伸区，形成于漂移区的上表面，异质结延伸区包括漂移延伸层和层叠设置于漂移延伸层之上的碳化硅延伸层，漂移延伸层与碳化硅延伸层具有不同的导电类型，漂移延伸层与漂移区具有相同的导电类型；氧化介质层，形成于漂移区的上表面，位于异质结延伸区的两侧；栅极，形成于体区之上；源极，形成于体区；漏极，形成于漂移区。通过本发明提供的晶体管，能够减轻漂移区表面电子的聚集，改善自热效应，避免载流子迁移率下降，降低热载流子效应，提高击穿电压，提高器件性能和可靠性。

公开(公告)号：CN112582526B

公开(公告)日：2023-02-07

申请号：CN202011379151.4

申请日：2020-11-30

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司

发明人： 陈燕宁 ,  赵东艳 ,  周芝梅 ,  付振 ,  郁文 ,  王峥 ,  王帅鹏 ,  钟明琛 ,  周敏

IPC分类号： H10N10/851 ,  H10N10/01

摘要： 本发明涉及材料领域，公开了制备ZrNiSn块体热电材料的方法和电池。该方法包括：(1)将Zr粉、Ni粉和Sn粉混合，以得到金属混合物；(2)将所述金属混合物装入导电模具中，并对所述导电模具通电，以电流诱发自蔓延反应；(3)进一步对所述导电模具通电，加热所述金属混合物，并加载轴向压力，以得到致密的ZrNiSn块体热电材料。该方法原料来源丰富、价格低廉，并且制备时间超短、工艺简单、能耗低及性能优越，适合规模化生产。

公开(公告)号：CN115373950B

公开(公告)日：2023-01-24

申请号：CN202211316658.4

申请日：2022-10-26

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司

发明人： 赵东艳 ,  邓永峰 ,  陈燕宁 ,  梁英宗 ,  付振 ,  刘芳 ,  吴波 ,  郁文 ,  王凯 ,  刘倩倩 ,  余山

IPC分类号： G06F11/30 ,  G06F16/16 ,  G06F16/178 ,  G06F21/60

摘要： 本发明涉及芯片领域，公开一种工控机与数据监测系统。所述工控机包括：监测模块，用于在监测到所述工控机上的特定数据文件夹内的生产数据发生变化的情况下，获取所述特定数据文件夹内发生变化的生产数据的生成时间；提取模块，用于提取所述特定数据文件夹的原始数据摘要；插入模块，用于将所述生成时间作为时间戳插入所述原始数据摘要中，以形成所述特定数据文件夹的第一数据摘要；以及发送模块，用于发送所述特定数据文件夹的名称与所述第一数据摘要。由此，本发明可有效地避免生产数据被篡改，以确保生产数据的真实准确性。

公开(公告)号：CN115224024B

公开(公告)日：2023-01-24

申请号：CN202211124223.X

申请日：2022-09-15

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司

发明人： 赵东艳 ,  肖超 ,  陈燕宁 ,  邵瑾 ,  董广智 ,  付振 ,  刘芳 ,  张泉 ,  尹强 ,  田俊

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L27/02 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L21/331 ,  H01L23/64

摘要： 本申请涉及半导体领域，提供一种集成栅漏电容的超结器件及制造方法。所述超结器件包括：有源区和终端区，所述有源区包括源极、栅极和体区，所述终端区包括截止环区，所述终端区集成有平板电容结构；所述平板电容结构与所述栅极以及所述截止环区相连，所述平板电容结构作为超结器件的栅漏电容。本申请在终端区集成与栅极和截止环区相连的平板电容结构，该平板电容结构作为栅漏电容，可以减小超结器件电容的非线性特性，从而增加栅极驱动对超结器件栅极的可控性，减缓超结器件的电压、电流振铃，防止电压击穿损坏器件，改善了器件的EMI品质。

公开(公告)号：CN115274859B

公开(公告)日：2023-01-20

申请号：CN202211205804.6

申请日：2022-09-30

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司

发明人： 余山 ,  赵东艳 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  王帅鹏 ,  王凯 ,  吴波 ,  邓永峰 ,  刘倩倩 ,  郁文 ,  张同

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L21/336

摘要： 本发明涉及半导体领域，提供一种LDMOS晶体管及其制造方法。所述LDMOS晶体管包括衬底、P型体区、N型漂移区、N型高压阱区、位于P型体区的源极、位于N型漂移区的漏极、栅极以及浅槽隔离区，所述N型漂移区设置有P型掺杂区，所述P型掺杂区包覆浅槽隔离区的下缘边角且与漏极相接，所述P型掺杂区与N型漂移区形成PN结，以分担漏极与N型漂移区之间的电场；所述浅槽隔离区的上表面设置有多晶硅场板结构；所述多晶硅场板结构、所述浅槽隔离区与所述P型掺杂区构成RESURF结构，以降低P型掺杂区与N型漂移区之间的电场。本发明可以降低漏端在沟道方向的电场强度，提高器件的导通击穿电压，同时降低热载流子效应。

公开(公告)号：CN115084235B

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202210875508.0

申请日：2022-07-25

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  郁文 ,  陈燕宁 ,  刘芳 ,  付振 ,  余山 ,  吴波 ,  王帅鹏 ,  刘倩倩

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088

摘要： 本发明提供一种LDMOS器件、制备方法及芯片。该器件包括：半导体衬底、栅极结构、源极区、漏极区、体区以及漂移区，栅极结构包括二氧化硅层、高K金属氧化物层和金属电极层，二氧化硅层形成在半导体衬底的上方，高K金属氧化物层形成在二氧化硅层上方，金属电极层形成在高K金属氧化物层上方；高K金属氧化物层为阶梯状结构，且漂移区上方的高K金属氧化物层的厚度大于体区上方的高K金属氧化物层的厚度。该器件去掉漏极结构与漂移区之间的隔离结构，缩短导电路径，降低导通电阻，缩小器件尺寸，节约芯片面积；二氧化硅层连接衬底，减少界面态；采用高K金属氧化物层提升器件的击穿电压，弥补去掉隔离结构后栅极结构的击穿电压会降低的不足。

公开(公告)号：CN115084232B

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202210858457.0

申请日：2022-07-21

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司

发明人： 余山 ,  赵东艳 ,  王于波 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  王凯 ,  吴波 ,  邓永峰 ,  刘倩倩 ,  郁文

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/20 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088

摘要： 本发明提供一种异质结横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体技术领域。晶体管包括：衬底；氮化镓缓冲层，形成于衬底上；并排形成在氮化镓缓冲层上的源区掺杂区、氮化镓体区、氮化镓漂移区和漏区掺杂区；铝镓氮阻挡层，形成于部分氮化镓漂移区上；栅氧介质层，形成于氮化镓体区、铝镓氮阻挡层和部分未被铝镓氮阻挡层覆盖的氮化镓漂移区上；源极金属电极，形成于源区掺杂区上；漏极金属电极，形成于漏区掺杂区上；栅极金属电极，形成于部分栅氧介质层上。通过本发明提供的晶体管能够提高晶体管的击穿电压，提升电子迁移率，保证器件的速度，减少复杂的场板结构，降低制作难度，减少生产成本。

公开(公告)号：CN115528117A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202211436896.9

申请日：2022-11-16

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司

发明人： 陈燕宁 ,  余山 ,  付振 ,  刘芳 ,  王凯 ,  吴波 ,  邓永峰 ,  郁文 ,  邵亚利 ,  沈美根 ,  张东

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

摘要： 本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体技术领域。晶体管包括：SOI衬底，SOI衬底的上层硅为凸字型结构，包括第一凸台和第二凸台；第一凸台被划分为体区和漂移区；氧化场板形成于漂移区上；源区第一导电类型掺杂区形成于靠近体区的第二凸台上；源区第二导电类型掺杂区形成于源区第一导电类型掺杂区上；源极形成于源区第二导电类型掺杂区上；漏区第一导电类型掺杂区形成于靠近漂移区的第二凸台上；漏区第二导电类型掺杂区形成于漏区第一导电类型掺杂区上；漏极形成于漏区第二导电类型掺杂区上。通过本发明提供的晶体管，能够改善自热效应，避免载流子迁移率下降，提高击穿电压、器件的性能和可靠性。