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公开(公告)号：CN113215621A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110396079.4
申请日：2021-04-13
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明提供了一种从含贵金属催化剂中回收贵金属的方法，可以包括：利用活性金属R对催化剂中所含贵金属M进行合金化处理，分离后得到R‑M金属间化合物，其中，活性金属R为Na、Ca、Mg、Li和Ba中的一种，M为Au、Ag、Pt、Rh、Pd、Ir、Os和Ru中的至少一种；将R‑M金属间化合物溶解在含活性金属阳离子Rm+的卤化物熔盐中，施加电压进行电化学沉积，在阳极上获得贵金属单质，在阴极上获得活性金属单质，其中，m+表示电荷数。本发明的方法操作简便、流程短、效率高。
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公开(公告)号：CN108356280B
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201810202772.1
申请日：2018-03-13
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明涉及一种制备球形纳米钛粉的方法，属于冶金与材料制备技术领域。将金属镁和无水氯化镁分别盛放到多孔坩埚和无孔坩埚内，将两坩埚放于密封的真空反应器中，抽真空至压力小于10Pa，加热至温度为800~950℃，向真空反应器中输入四氯化钛液体，冷凝区得到反应产物，反应产物冷却至室温后依次经稀盐酸洗、蒸馏水洗涤、液固分离、真空干燥后得到球形纳米钛粉。本发明整个制备流程短，且实现了纳米级球形钛粉的制备，具有生产工艺简单、成本低廉等优势。
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公开(公告)号：CN111115589B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202010013602.6
申请日：2020-01-07
申请人： 昆明理工大学
发明人： 杨斌 , 查国正 , 蒋文龙 , 徐宝强 , 刘大春 , 孔祥峰 , 罗欢 , 黄大鑫 , 郭新宇 , 邓聚海 , 陈秀敏 , 李一夫 , 郁青春 , 杨红卫 , 田阳 , 邓勇 , 王飞 , 熊恒 , 杨佳 , 吴鉴
摘要： 本发明属于冶金除杂技术领域，特别涉及一种控电位脱除铜冶炼粗硒粉中铜、铅和碲的方法。本发明提供了一种控电位脱除铜冶炼粗硒粉中铜、铅和碲的方法，包括以下步骤：将铜冶炼粗硒粉进行调浆，得到硒泥浆；将所述硒泥浆进行第一pH值调节后加入氧化剂至氧化电位，依次进行第一沉淀反应和第一过滤，脱除铜冶炼粗硒粉中的铜和铅，得到初级硒；所述氧化电位为400～800mV；将所述初级硒与还原剂混合至还原电位，进行第二pH值调节后，依次进行第二沉淀反应和第二过滤，脱除铜冶炼粗硒粉中的碲；所述还原电位为‑400～0mV。测试结果表明，使用本发明提供的方法实现了铜冶炼粗硒粉中杂质铜、铅和碲的高效脱除。
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公开(公告)号：CN112479163A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011444039.4
申请日：2020-12-08
申请人： 昆明理工大学
IPC分类号： C01B19/04
摘要： 本发明提供了一种快速除去杂质硒制备高纯二氧化碲粉末的方法，属于冶金技术领域。本发明将真空密闭立式闪速炉抽至真空状态；以上部进料的方式向所述真空状态的真空密闭立式闪速炉中加入待提纯碲粉，以下部进气的方式将氧气通入所述真空状态的真空密闭立式闪速炉，所述氧气与待提纯碲粉在密闭立式闪速炉中形成对流发生气固反应，生成二氧化碲粉末和二氧化硒；所述二氧化碲粉末在重力的作用下，落入生成物收集仓；所述二氧化硒升华进入挥发物收集仓；所述气固反应的温度为320～420℃；所述真空状态的压强为2～10Pa。本发明制备二氧化碲粉末流程短、硒去除率高、效率高、粉尘污染小、成本低、制备的二氧化碲粉纯度大于99.99％。
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公开(公告)号：CN112456546A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011429050.3
申请日：2020-12-09
申请人： 昆明理工大学
IPC分类号： C01G23/00 , H01M4/485 , H01M10/0525
摘要： 本发明公开一种锂离子电池电极材料及其制备方法，属于锂离子电池材料技术领域。本发明所述锂离子电池电极材料的化学式为：Li4Ti5‑x‑yMxTi’yO12，其中Ti’为三价，Ti为四价，M为价态高于四的金属，0 0，(nx+3y)/(x+y)=4；本发明以三价钛的化合物为原料引入Ti3+，通过引入高价金属离子Mn+来稳定Ti3+，达到增大电子导电性能的同时，改善电化学性能的效果；采用固相法制备合成路线简单，对设备要求较低，原料来源广泛，成本低，适合大规模的工业生产。
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公开(公告)号：CN112250048A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202011173173.5
申请日：2020-10-28
申请人： 昆明理工大学
IPC分类号： C01B21/072 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要： 本发明涉及一种高纯纳米氮化铝的制备方法，其中，所述制备方法包括步骤：提供块状金属铝和钨棒，对所述块状金属铝进行预处理，除去表面的金属氧化层；将所述块状金属铝及所述钨棒分别作为阳极及阴极并置于电弧炉中，将所述电弧炉充入缓冲气体并启动电弧，制得纳米氮化铝和铝的混合物；及将所述混合物在氮气气氛下进行煅烧，即得到高纯纳米氮化铝颗粒。本发明采用具有操作简单、环境友好以及反应气氛可控等优点的直流电弧等离子法制备所述纳米氮化铝和铝的混合物，然后进行煅烧得到纳米氮化铝，制备工艺简单，且不会对环境造成影响。
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公开(公告)号：CN112234173A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202011097905.7
申请日：2020-10-14
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明涉及一种碳包覆硅纳米颗粒及其制备方法、应用，其中，所述制备方法包括：提供一由石墨和硅混合的块状物作为阳极，提供一石墨棒作为阴极，并将所述块状物与所述石墨棒置于电弧炉中；将所述电弧炉抽真空并充入缓冲气体，其后，启动电弧，制备得到碳包覆硅纳米颗粒，其中，所述块状物中石墨与硅的质量比为5～30:70～95。本发明以硅和碳混合压制的块状物为阳极，石墨棒为阴极，采用直流电弧法可一步制得碳包覆的硅纳米颗粒，制备方法简单，有利于工业大规模生产，同时，所制备的碳包覆的硅纳米颗粒可直接应用在锂离子电池中，从而实现高附加值的制备锂离子电池负极材料。
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公开(公告)号：CN112195348A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202010963753.8
申请日：2020-09-14
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明适用于高纯金属材料制备领域，提供了一种半连续制备不同纯度高纯镁的设备及方法，包括反应箱、温度控制系统及压强控制系统，所述压强控制系统接入反应箱内，控制反应箱内的压强，所述反应仓的一侧连接有进料系统，所述反应箱包括并排设置的至少三个连通的反应仓，所述反应仓的顶面和底面设置有发热体，且每个反应仓的上方均设置有冷凝器，相邻的料仓之间设置有隔热板，所述隔热板的下半部分设置有通道；所述温度控制系统接入每个反应仓，控制每个反应仓内的温度。本发明解决了现有技术中高纯镁的制备过程复杂、不能实现连续化生产、所需成本高，且所制得的镁纯度仍不能满足高科技技术领域要求的技术问题。
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公开(公告)号：CN112194105A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202011088154.2
申请日：2020-10-13
申请人： 昆明理工大学
IPC分类号： C01B19/04
摘要： 本发明涉及半导体材料技术领域，提供了一种碲化镉的制备方法，将碲和镉混合进行熔炼，得到碲化镉粗品；所述熔炼的保温温度为450～500℃；所述熔炼的压力为0.4～0.6MPa；然后进行真空净化，得到碲化镉。本发明通过采用加压熔炼的方式，降低了碲镉的合成反应温度，且原料利用率同样较高。实施例结果显示，熔炼温度在470℃情况下，即使通过真空提纯后(纯度为99.999％)，产物的收率仍然高达98.5％以上(间接表明粗产物的收率更高)。上述实验结果表明，本发明在降低碲化镉合成温度的情况下，同样具有较高的产率。
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公开(公告)号：CN112176363A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202010986928.7
申请日：2020-09-18
申请人： 昆明理工大学
发明人： 孔令鑫 , 徐宝强 , 杨斌 , 徐俊杰 , 刘大春 , 李一夫 , 曲涛 , 邓勇 , 田阳 , 朱立国 , 庞俭 , 游彦军 , 陈秀敏 , 蒋文龙 , 杨红卫 , 孔祥峰 , 王飞 , 吴鉴 , 熊恒 , 杨佳 , 郁青春 , 戴永年
摘要： 本发明提供了一种熔盐电解‑镁还原制备金属合金粉末的方法，方法包括以下步骤：制备混合金属氧化物前驱体；将稀土RE和MgCl2熔盐置于反应容器中得到混合熔盐，并将C电极、金属电极以及混合金属氧化物前驱体置于混合熔盐中；以C电极为阳极，金属电极为阴极，并在C电极与金属电极之间施加2.4V~3.0V电压，加热至700℃~900℃进行熔盐电解以在金属电极上沉积金属Mg；停止施加电压，将混合金属氧化物与沉积有金属Mg的金属电极通过导电介质连通后在700℃~900℃条件下进行还原反应，反应结束后得到金属合金粉末。本发明的方法能够使产物金属合金粉末中氧含量降至500ppm以下。
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