-
公开(公告)号:CN104868116A
公开(公告)日:2015-08-26
申请号:CN201510229269.1
申请日:2015-05-07
申请人: 电子科技大学
CPC分类号: H01M4/5825 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M2220/30
摘要: 本发明属于锂离子电池正极材料制备领域,提供一种锂离子电池正极材料及其制备方法,该正极材料具有如下化学式LiMn2-3xM(II)xAlxSixO4,其中M(II)=Mg、Ni、Co、Zn、Cu,0≤x≤0.15。其制备方法是将一定量的柠檬酸和锂源原料溶解于去离子水中,在所得溶液中按比例缓慢地加入锰源原料、掺杂元素原料,采用溶胶凝胶工艺得到红棕色湿凝胶,待干燥后放于马弗炉中于400℃~450℃温度下预烧4h~6h,最后取出研磨后再次放于马弗炉中于700℃~850℃温度下预烧15h~24h,即得到目标产物。该方法制备的锂离子电池正极材料无杂相,结晶品质高,产物粒径分布均匀,具有较高的放电比容量和优异的循环稳定性,能够满足大倍率充放电需求,而且操作工艺简单,原料来源广泛,制造成本低,易于实现规模化工业生产。
-
公开(公告)号:CN103911600A
公开(公告)日:2014-07-09
申请号:CN201410160592.3
申请日:2014-04-21
申请人: 电子科技大学
摘要: 本发明提供一种制备InP薄膜材料的方法,以In2O3、P2O5为起始原料,将In2O3与P2O5按摩尔比混合,密封与真空安瓶中,在500℃~600℃条件下反应生成InPO4固体材料;然后以氢气、氢气-氩气混合气、活性炭及碳氢化合物等为还原萃取剂,采用高温原位固相类萃取反应气相沉积法,在垂直梯度冷凝薄膜沉积装置中,在较低真空条件下、在Si、Ge、不锈钢、导电玻璃、导电陶瓷等不同衬底上成功制备得厚度完全可控的、具有高结晶度的、高纯度单一物相的InP薄膜材料;本发明适用于较大规模的制备InP薄膜材料,制备周期短,对衬底材料适应性强;使用原料简单、价廉易得,且均为固体或无毒气体,对环境无污染,制备工艺简单、易于操作,产品制备成本极低。
-
公开(公告)号:CN103872312A
公开(公告)日:2014-06-18
申请号:CN201410085311.2
申请日:2014-03-10
申请人: 电子科技大学
摘要: 本发明的目的在于针对锂离子电池正极材料锰酸锂(LiMn2O4)电化学循环稳定性差的缺点提供一种体相掺杂改性的尖晶石型锂离子电池正极材料LiMn2-2xM(II)xTixO4及其制备方法,其中M(II)=Mg、Zn、Ni、Co、Cu等二价金属离子。通过同时等摩尔掺杂四价元素和二价金属取代材料中的锰得到锂离子电池正极材料LiMn2-2xM(II)xTixO4,该锂离子电池正极材料LiMn2-2xM(II)xTixO4具有平稳的充放电电压平台,较高的放电比容量以及优异的循环稳定性能,能够满足高倍率充放电需求,其制备方法克服了固相合成法合成时间长、产物粒径分布不均匀、电化学性能差的缺点,制备的产品重现性好、化学均匀性好、颗粒细小、纯度高、结晶品质高、电化学性能优良,且制造成本低。
-
-