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公开(公告)号：CN113169522B
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN201880099645.1
申请日：2018-09-25
申请人： 瑞识科技(深圳)有限公司
IPC分类号： H01S5/42
摘要： 一种垂直腔面发射激光器阵列，包括：基片；在所述基片上形成规则图案的多个VCSEL结构，每个VCSEL结构包括第一反射器区域、有源区域和第二反射器区域，所述多个VCSEL结构能够同时通电；第一金属(401)，所述第一金属(401)电连接选定数量而非全部的所述VCSEL结构以使得当仅通电所述选定数量的所述VCSEL结构时，所述选定数量的所述VCSEL结构形成预定的不规则图案的发射器；以及第二金属(402)，所述第二金属(402)电连接未与所述第一金属(401)电连接的所述VCSEL结构中的至少某些VCSEL结构。所述第一金属(401)和所述第二金属(402)彼此电绝缘。
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公开(公告)号：CN114667653A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN201980101161.0
申请日：2019-10-09
申请人： 瑞识科技(深圳)有限公司
摘要： 一种VCSEL阵列(200)，包括形成在单个芯片上的串联VCSEL子阵列(1，2，3)。每个VCSEL子阵列(1，2，3)包括在半绝缘层(213)上制造的VCSEL发射器。VCSEL的N‑金属层(202，205)通过金属结构(210)与相邻VCSEL的P‑金属层(204,207)电接触。VCSEL子阵列的公共阴极触点电连接于相邻VCSEL子阵列的公共阳极触点。为了减少泄漏，半绝缘层(213)的带隙能级高于输出光束的光子能量。
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公开(公告)号：CN113169522A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201880099645.1
申请日：2018-09-25
申请人： 瑞识科技(深圳)有限公司
IPC分类号： H01S5/42
摘要： 一种垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列，包括：基片(603)；在所述基片上形成规则图案的多个VCSEL结构，每个VCSEL结构包括第一反射器区域、有源区域和第二反射器区域，所述多个VCSEL结构能够同时通电；第一金属(604)，所述第一金属(604)电连接选定数量而非全部的所述VCSEL结构以使得当仅通电所述选定数量的所述VCSEL结构(VCSEL 1)时，所述选定数量的所述VCSEL结构形成预定的不规则图案的发射器；以及第二金属(605)，所述第二金属(605)电连接未与所述第一金属(604)电连接的所述VCSEL结构中的至少某些VCSEL结构(VCSEL 2)。所述第一金属(604)和所述第二金属(605)彼此电绝缘。
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公开(公告)号：CN112825414A
公开(公告)日：2021-05-21
申请号：CN201911140336.7
申请日：2019-11-20
申请人： 瑞识科技(深圳)有限公司
IPC分类号： H01S5/183 , H01S5/0233 , H01S5/023 , H01S5/02
摘要： 一种VCSEL激光器件及其制备方法，该激光器件包括基板，还包括上、下表面均为自由曲面的折射式光学中空透镜，其底部直接粘固于基板上。本发明的制备方法采用预制成阵列的光学透镜，将其直接固置于基板上，再将其切割成单个独立功能的单个VCSEL激光器件。不同于现有技术用事先预切割的带有支撑台的基板，将工程扩束器固定在支撑台上，后分离成单个器件，其产品成本昂贵，出光效率较低，而本发明中透镜除了光学作用外还与基板直接粘接保护芯片和导线等，使用这种折射式的光学透镜的VCSEL器件，透光效率高，生产工艺简单，极大提高了生产效率，有效减少了器件封装体积，也降低了封装成本，提升了产品出光效率和器件质量。
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公开(公告)号：CN112578483A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201910941703.7
申请日：2019-09-30
申请人： 瑞识科技(深圳)有限公司
摘要： 本发明公开了一种VCSEL扩束透镜以及VCSEL器件，透镜具有设置芯片的腔体，腔体的开放口设置在透镜底部，所述腔体的腔壁包括第一折射曲面，所述透镜顶部形成第二折射曲面，所述第一折射曲面用于将所述芯片发出的光束进行长轴光束发散角度变大、短轴光束收拢角度变小的第一次折射，以使光束接近预设出光角度投射到所述第二折射曲面；所述第二折射曲面用于对投射到其上的光束进行长轴光束发散角度变大、短轴光束收拢角度变小的第二次折射，以将光束的出光角度整形到预设出光角度和光斑效果，如此避免光损失，提高光效率，提高产品安全性；透镜可以直接置于基座上，不用设计额外的托起结构。
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公开(公告)号：CN113169519A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201880099647.0
申请日：2018-09-25
申请人： 瑞识科技(深圳)有限公司
IPC分类号： H01S5/183
摘要： 公开一种VCSEL阵列以及其制造方法。该VCSEL阵列包括基片以及在所述基片上形成规则图案的多个VCSEL结构。沉积定制金属层以电连接选定数量而非全部的所述VCSEL结构。选定数量的所述VCSEL结构形成预定的不规则图案的阵列。
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公开(公告)号：CN114899296A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210559972.9
申请日：2022-05-19
申请人： 瑞识科技(深圳)有限公司
IPC分类号： H01L33/58
摘要： 本申请提供一种半导体发光单元和半导体发光器件，该半导体发光单元包括：基板，设置于所述基板上的半导体芯片，覆盖所述半导体芯片的发光面的第一透镜。所述第一透镜具有一出光面，所述第一透镜的出光面的外边缘为类椭圆形，所述类椭圆形由预设的方形和内切于该方形的标准椭圆定义，具体为，所述类椭圆由数条首尾相连的弧线构成，所述弧线位于所述预设方形的内侧和标准椭圆的外侧，且至少其中部分弧线经过方形和标准椭圆的切点。本申请提供的半导体发光单元的第一透镜更容易形成接近方形的光斑，且所述方形光斑在四个角附近的照度变化小，照射的区域照度更均匀。
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公开(公告)号：CN114899295A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210543209.7
申请日：2022-05-18
申请人： 瑞识科技(深圳)有限公司
IPC分类号： H01L33/58
摘要： 本申请提供一种半导体发光单元和半导体发光器件，该半导体发光单元包括：基板，设置于所述基板上的半导体芯片，覆盖所述半导体芯片的发光面的第一透镜。所述第一透镜具有一出光面，所述第一透镜的出光面的外边缘为椭圆形，所述椭圆具有短轴和长轴。所述第一透镜的出光面的中心点D0和半导体芯片的中心点的连线垂直于半导体芯片所在平面，即所述中心点D0位于基准光轴上。所述第一透镜的出光面上具有D1、D2两个点，所述D1、D2分别为位于短轴、长轴方向上与出光面的中心点D0距离均为L的点。光线从半导体芯片发射，经过出光面上的D1、D2后扩散角度分别为θ1、θ2，且θ2＞θ1。
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公开(公告)号：CN113490880A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201980091904.0
申请日：2019-03-01
申请人： 瑞识科技(深圳)有限公司
IPC分类号： G02B27/42
摘要： 一种基于VCSEL阵列(1201)的图案投影仪(1100)。所述VCSEL阵列(1201)具有在VCSEL芯片(1101)配置成规则图案的多个VCSEL。选择两组包括一定数量但非全部的VCSEL。在一个运行模式中，通电一组VCSEL形成低密度不规则图案。透镜系统(1102)将低密度不规则图案的图像投影到DOE(1103)上。DOE(1103)倍增图像副本并在目标曲面上生成副本矩阵。在另一运行模式中，同时通电两组VCSEL或单独通电第二组形成高密度不规则图案。高密度不规则图案的图像投影在DOE(1103)上。因此，图案投影仪(1100)可以为低分辨率和高分辨率3D感测提供不规则光图案。
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公开(公告)号：CN113169518A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201880099293.X
申请日：2018-11-07
申请人： 瑞识科技(深圳)有限公司
IPC分类号： H01S5/183
摘要： 本发明涉及一种VCSEL阵列(300)，其分为第一区域和第二区域。所述第一区域覆盖所述阵列的中心并且由所述第二区域包围。在给两个区域中的VCSEL通电给定时间段后，第一区域的温度将比第二区域的温度高。第一区域中的VCSEL电连接第一金属层部(301)。第二区域中的VCSEL电连接第二金属层部(302)。所述第一和第二金属层部(301、302)彼此电绝缘。
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