一种采用双MCU架构的光模块调制解调系统和方法

    公开(公告)号:CN112311464B

    公开(公告)日:2023-04-18

    申请号:CN202011180550.8

    申请日:2020-10-29

    摘要: 本发明涉及一种采用双MCU架构的光模块调制解调系统和方法,包括主机、主处理器、从处理器、调制解调单元,所述调制解调单元包括调制器、解调器。本方案增加的所述从处理器作为OAM信号的通信信道,将经过光收发模块的OAM信号使用从处理器和调制解调单元来完成调制和解调的处理,不再占用主处理器的中断资源,那么主机对主处理器的访问请求就不会因中断资源有限而失败,OAM信号的曼彻斯特码调制与解调也不会因为主机访问主处理器的优先级最高而存在脉冲计数错误,主处理器和从处理器各司其职,在不影响主机访问请求的情况下,曼彻斯特码脉冲计数也能准确且不延迟。

    一种集成于光模块的SOA电流自动控制方法和系统

    公开(公告)号:CN113141215B

    公开(公告)日:2023-04-14

    申请号:CN202110394173.6

    申请日:2021-04-13

    IPC分类号: H04B10/60 G05F1/56 H04B1/16

    摘要: 本发明涉及一种集成于光模块的SOA电流自动控制方法和系统,包括以下步骤:设置初始SOA放大电流以及其对应的门限阈值,若光模块接收端ROSA接收到的光信号经初始SOA放大电流后在对应的门限阈值内,则进行下一步骤,否则等待接收端ROSA接收的下一次光信号;设置多组SOA目标电流,所述初始SOA放大电流为多组SOA目标电流中的任一组;每组SOA目标电流对应设置一组RSSI目标阈值范围,判断光模块接收端ROSA接收到的光信号经初始SOA放大电流后是否在该初始SOA放大电流对应的RSSI目标阈值范围内,若不在,则调整至相邻组SOA目标电流,直到光模块接收端ROSA接收到的光信号经SOA目标电流放大后,在该组SOA目标电流所对应的RSSI目标阈值范围内,从而输出放大后的信号至接收器PD。

    一种基于EA光电流的发光功率监测和APC控制电路与方法

    公开(公告)号:CN111600197B

    公开(公告)日:2023-03-31

    申请号:CN202010439815.5

    申请日:2020-05-22

    发明人: 杨洪

    IPC分类号: H01S5/0683

    摘要: 本发明涉及一种基于EA光电流的发光功率监测和APC控制电路与方法,对激光器的发光功率进行监控,包括取样采集电路、监控模块、PID控制器,取样采集电路获取激光器的发光功率,将其发送至PID控制器和监控模块,监控模块判断激光器当前的发光功率是否在设定的发光功率下,进而得出检测结果后反馈至PID控制器,PID控制器根据检测结果调节激光器的Bias电流,使得激光器工作在所需的发光功率下。本方案使用取样采集电路代替了现有使用PD受光器采集激光器发光功率所带来的成本极高的问题,取样采集电路将采集的发光功率发送至PID控制器时,实现了对激光器发光功率的监测,PID控制器根据检测结果调节对激光器输出的Bias电流时,实现了对激光器的APC控制。

    光模块的制造方法及系统
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115673449A

    公开(公告)日:2023-02-03

    申请号:CN202211304608.4

    申请日:2022-10-24

    发明人: 林锐

    IPC分类号: B23K1/00 B23K1/20 B23K3/08

    摘要: 本发明涉及一种光模块的制造方法及系统,该方法是在执行所述需要加热的工序时,对邻近所述需要加热的工序的局部区域进行局部制冷。该系统包括加热装置,用于在需要加热的工序中进行加热,以及制冷装置,用于在执行所述需要加热的工序时,对邻近所述需要加热的工序的局部区域进行局部制冷。本发明方案中,通过在执行加热工序时,对邻近该工序的局部区域进行局部制冷,使得加热工序的温度减少甚至避免对邻近区域的工艺或部件造成影响,继而提高产品良率。

    基于WinUSB和FPGA的光模块并行生产设备及方法

    公开(公告)号:CN115292221A

    公开(公告)日:2022-11-04

    申请号:CN202210931978.4

    申请日:2022-08-04

    发明人: 侯羿 孙路鲁 王陈

    IPC分类号: G06F13/36 G06F13/42

    摘要: 本发明涉及一种基于WinUSB和FPGA的光模块并行生产设备及方法,包括PC机、MCU和FPGA,其中,PC机与MCU之间通过WinUSB协议通信连接,MCU与FPGA之间通过并行总线通信连接,FPGA用于与若干个光模块通信连接。本发明方案中,可以实现同时对多个光模块进行EEProm下载/检查、固件下载,继而提高了光模块的生产效率。

    一种加快光模块信号锁定的方法及系统

    公开(公告)号:CN115021809A

    公开(公告)日:2022-09-06

    申请号:CN202210623793.7

    申请日:2022-06-02

    IPC分类号: H04B10/079

    摘要: 本发明涉及一种加快光模块信号锁定的方法及系统,该方法包括以下步骤:判断光模块的当前状态;如果光模块当前处于对联状态,则控制激光器打开,并结束整个流程;如果光模块当前处于自环状态,则判断系统电口与光模块连接是否正常,如果正常则控制激光器打开,并结束整个流程,如果不正常则继续保持当前状态直到系统电口与光模块连接正常。本发明通过预先判断光模块当前的状态,并在判断出自环状态时先判断系统电口与光模块连接是否正常,只有在正常的情况下才打开激光器,继而保障信号正确传输,通过本发明可以快速实现光模块信号锁定。

    一种适用于光模块的外部解锁机构及解锁方法

    公开(公告)号:CN110806622B

    公开(公告)日:2022-02-08

    申请号:CN201911120890.9

    申请日:2019-11-15

    IPC分类号: G02B6/42

    摘要: 本发明涉及一种适用于光模块的外部解锁机构及解锁方法,该外部解锁机构包括两块可插入光模块与笼子或定制插槽之间间隙的解锁片。解锁时,向光模块与笼子或定制插槽之间间隙中插入解锁片,使得笼子或定制插槽的锁舌与光模块的锁止位完全分离;然后拉动光模块的拉杆,使得光模块从笼子或定制插槽中拔出。通过本发明外部解锁机构及解锁方法可以很方便地将光模块从非标准笼子中脱离出来,效率高,操作方便。

    调节光发射器件全温发射光功率的方法及滤光片生产方法

    公开(公告)号:CN113703105A

    公开(公告)日:2021-11-26

    申请号:CN202111019729.X

    申请日:2021-09-01

    IPC分类号: G02B6/42 G02B5/28

    摘要: 本发明涉及一种调节光发射器件全温发射光功率的方法及滤光片生产方法,其中,调节光发射器件全温发射光功率的方法是,根据光发射器件发射光功率和波长随温度变化的特性,调整滤光片的波长范围,使得光发射器件在全温段的发射光功率插损保持在设定的阈值范围内。本发明通过调整滤光片的波长范围即可实现对光发射器件的光功率插损进行调节,使得光功率插损满足用户需求。不仅提高了光模块产品良率,而且还降低了光模块产品的调试难度。

    一种多通道激光器偏置电流校正电路和方法

    公开(公告)号:CN112909735A

    公开(公告)日:2021-06-04

    申请号:CN202110066094.2

    申请日:2021-01-19

    IPC分类号: H01S5/042 H01S5/00

    摘要: 本发明涉及多通道激光器偏置电流校正电路和方法,包括激光电源、多路激光通道,激光电源用于向多路激光通道中的任一路输出供电电压VLaser,包括:采样电阻,激光电源输出的供电电压VLaser经采样电阻输出至任一路激光通道;差分放大器,用于采集采样电阻两端的电压,并对电压进行放大后向控制器输出电压V_ADC;控制器,用于根据差分放大器输出的电压V_ADC,计算得到经过该路激光通道的偏置电流I_bias,并根据不同温度下的控制电压V_DAC_L和通过V_ADC计算得到的偏置电流I_bias绘制不同温度下的校正曲线。在之后的实际使用中,只要根据当前的工作温度和对应的控制电压V_DAC_L,即可快速计算该温度点的校准系数,从而得到流经激光通道的偏置电流I_bias,以便上报各路通道激光器的偏置电流I_bias。

    一种光模块结构
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112612090A

    公开(公告)日:2021-04-06

    申请号:CN202011435949.6

    申请日:2020-12-07

    IPC分类号: G02B6/42

    摘要: 本发明公开了一种光模块结构,其包括用于安装光电子器件的基座,且所述基座设置有弹性抵接部,所述光电子器件的法兰部在所述弹性抵接部的弹力作用下与所述基座的端面贴合。上述方案能解决目前光模块中因光电子器件的法兰部和基座之间的接触力不足而导致光电子器件的接头端对中固定不方便,以及导致法兰部与基座之间的电磁屏蔽效果降低的问题。