公开(公告)号：CN1275176A

公开(公告)日：2000-11-29

申请号：CN99801374.9

申请日：1999-09-13

Applicant: 三井金属鉱业株式会社

Inventor： 杉元晶子 ,  小畠真一 ,  吉冈淳志 ,  土桥诚 ,  高桥直臣 ,  片冈卓 ,  酒井久雄 ,  高桥胜 ,  马场先阳一 ,  松井善也 ,  原保次

IPC: C25D1/04 ,  H01M4/80

CPC classification number: H01M4/667 ,  C25D1/04 ,  C25D1/08 ,  H01M4/04 ,  H01M4/661 ,  H01M4/80 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明涉及可作为锂离子二次电池用集电体使用的在厚度方向上具有可透光的通孔的铜箔及其用途,以及该多孔铜箔的制造方法。多孔铜箔是通过电析由平面方向的平均粒径为1～50μm的铜粒子在平面方向互相结合而形成的。该多孔铜箔的透光率在0.01%以上,且成箔时的阴极侧表面的表面粗糙度和其相反侧表面的表面粗糙度之差Rz在5～20μm的范围内。多孔铜箔的制造方法是在铝、铝合金、钛或钛合金的任一种形成的阴极体表面进行铜的电析,使铜粒子生长,从而形成该多孔铜箔。

公开(公告)号：CN1184359C

公开(公告)日：2005-01-12

申请号：CN99801374.9

申请日：1999-09-13

Applicant: 三井金属鉱业株式会社

Inventor： 杉元晶子 ,  小畠真一 ,  吉冈淳志 ,  土桥诚 ,  高桥直臣 ,  片冈卓 ,  酒井久雄 ,  高桥胜 ,  马场先阳一 ,  松井善也 ,  原保次

IPC: C25D1/04 ,  H01M4/80

CPC classification number: H01M4/667 ,  C25D1/04 ,  C25D1/08 ,  H01M4/04 ,  H01M4/661 ,  H01M4/80 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明涉及可作为锂离子二次电池用集电体使用的在厚度方向上具有可透光的通孔的铜箔及其用途，以及该多孔铜箔的制造方法。多孔铜箔是通过电沉积由平面方向的平均粒径为1～50μm的铜粒子在平面方向互相结合而形成的。该多孔铜箔的透光率在0.01%以上，且成箔时的阴极侧表面的表面粗糙度和其相反侧表面的表面粗糙度之差Rz在5～20μm的范围内。多孔铜箔的制造方法是在铝、铝合金、钛或钛合金的任一种形成的阴极体表面进行铜的电沉积，使铜粒子生长，从而形成该多孔铜箔。