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公开(公告)号：CN109616470A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201910079668.2
申请日：2015-07-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L27/092 , H01L27/118 , H01L21/336
Abstract: 提供了一种集成电路(IC)、一种半导体装置和一种标准单元库。集成电路(IC)可包括至少一个单元，所述至少一个单元包括：多条导线，沿第一方向延伸并且沿与第一方向垂直的第二方向彼此平行；第一接触件，分别设置在所述多条导线中的至少一条导线的两侧处；以及第二接触件，设置在所述至少一条导线和第一接触件上并通过电连接到所述至少一条导线和第一接触件而形成单个节点。
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公开(公告)号：CN105304624B
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201510434904.X
申请日：2015-07-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种集成电路(IC)、一种半导体装置和一种标准单元库。集成电路(IC)可包括至少一个单元，所述至少一个单元包括：多条导线，沿第一方向延伸并且沿与第一方向垂直的第二方向彼此平行；第一接触件，分别设置在所述多条导线中的至少一条导线的两侧处；以及第二接触件，设置在所述至少一条导线和第一接触件上并通过电连接到所述至少一条导线和第一接触件而形成单个节点。
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公开(公告)号：CN103779393B
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201310491132.4
申请日：2013-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L21/768 , H01L27/02
CPC classification number: H01L27/10888 , H01L21/26513 , H01L21/7682 , H01L21/76897 , H01L27/10855 , H01L27/10885
Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。在形成该半导体器件的方法中，蚀刻停止图案和分开的间隔物能够形成在位线接触的侧壁上，其中蚀刻停止图案和分开的间隔物的每个包括相对于氧化物具有蚀刻选择性的材料。能够形成存储节点接触插塞孔，使得蚀刻停止图案和分开的间隔物形成存储节点接触插塞孔的与位线接触间隔开的一部分侧壁。清洁存储节点接触插塞孔以去除形成在存储节点接触插塞孔中的自然氧化物。本发明还公开了与该方法有关的器件。
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公开(公告)号：CN107275283B
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：CN201710281627.2
申请日：2013-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L27/108
Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。在形成该半导体器件的方法中，蚀刻停止图案和分开的间隔物能够形成在位线接触的侧壁上，其中蚀刻停止图案和分开的间隔物的每个包括相对于氧化物具有蚀刻选择性的材料。能够形成存储节点接触插塞孔，使得蚀刻停止图案和分开的间隔物形成存储节点接触插塞孔的与位线接触间隔开的一部分侧壁。清洁存储节点接触插塞孔以去除形成在存储节点接触插塞孔中的自然氧化物。本发明还公开了与该方法有关的器件。
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公开(公告)号：CN107275283A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710281627.2
申请日：2013-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L27/108
Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。在形成该半导体器件的方法中，蚀刻停止图案和分开的间隔物能够形成在位线接触的侧壁上，其中蚀刻停止图案和分开的间隔物的每个包括相对于氧化物具有蚀刻选择性的材料。能够形成存储节点接触插塞孔，使得蚀刻停止图案和分开的间隔物形成存储节点接触插塞孔的与位线接触间隔开的一部分侧壁。清洁存储节点接触插塞孔以去除形成在存储节点接触插塞孔中的自然氧化物。本发明还公开了与该方法有关的器件。
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公开(公告)号：CN107104101A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201710397056.9
申请日：2015-07-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L27/092 , H01L27/118 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/11807 , H01L27/0207 , H01L27/0924 , H01L29/42384 , H01L29/6681 , H01L29/785 , H01L2027/11875
Abstract: 提供了一种集成电路(IC)、一种半导体装置和一种标准单元库。集成电路(IC)可包括至少一个单元，所述至少一个单元包括：多条导线，沿第一方向延伸并且沿与第一方向垂直的第二方向彼此平行；第一接触件，分别设置在所述多条导线中的至少一条导线的两侧处；以及第二接触件，设置在所述至少一条导线和第一接触件上并通过电连接到所述至少一条导线和第一接触件而形成单个节点。
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公开(公告)号：CN107104101B
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201710397056.9
申请日：2015-07-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L27/092 , H01L27/118 , H01L21/336
Abstract: 提供了一种集成电路(IC)、一种半导体装置和一种标准单元库。集成电路(IC)可包括至少一个单元，所述至少一个单元包括：多条导线，沿第一方向延伸并且沿与第一方向垂直的第二方向彼此平行；第一接触件，分别设置在所述多条导线中的至少一条导线的两侧处；以及第二接触件，设置在所述至少一条导线和第一接触件上并通过电连接到所述至少一条导线和第一接触件而形成单个节点。
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公开(公告)号：CN105448910A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510595156.3
申请日：2015-09-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/423 , H01L23/52
Abstract: 根据示例实施例，提供了半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括PMOSFET区和NMOSFET区；第一栅电极和第二栅电极，位于PMOSFET区上；第三栅电极和第四栅电极，位于NMOSFET区上；第一接触件和第二接触件，分别连接到第一栅电极和第四栅电极。第一栅极切口电极至第四栅极切口电极限定穿过第一栅电极与第三栅电极之间和第二栅电极与第四栅电极之间的栅极切口区。当从平面图观看时，第一接触件和第二接触件中的每个接触件的一部分与栅极切口区叠置。
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公开(公告)号：CN105489643B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201510645551.8
申请日：2015-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L27/088
Abstract: 提供了一种片上系统。所述片上系统(SoC)包括：第一栅极线、第二栅极线和第三栅极线，沿第一方向延伸；栅极隔离区域，切割第一栅极线、第二栅极线和第三栅极线，并且沿横跨第一方向的第二方向延伸；第一栅极接触件，形成在布置于第一栅极线和第三栅极线之间的第二栅极线上，并且电连接切割的第二栅极线；第二栅极接触件，形成在第一栅极线上；第三栅极接触件，形成在第三栅极线上；第一金属线，电连接第二栅极接触件和第三栅极接触件；以及第二金属线，电连接到第一栅极接触件。
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公开(公告)号：CN107180827B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201710387771.4
申请日：2015-07-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/11807 , H01L27/0207 , H01L27/0924 , H01L29/42384 , H01L29/6681 , H01L29/785 , H01L2027/11875
Abstract: 提供了一种集成电路(IC)、一种半导体装置和一种标准单元库。集成电路(IC)可包括至少一个单元，所述至少一个单元包括：多条导线，沿第一方向延伸并且沿与第一方向垂直的第二方向彼此平行；第一接触件，分别设置在所述多条导线中的至少一条导线的两侧处；以及第二接触件，设置在所述至少一条导线和第一接触件上并通过电连接到所述至少一条导线和第一接触件而形成单个节点。
