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公开(公告)号：CN109036488B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN201810230803.4
申请日：2018-03-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种存储器控制器、一种操作该存储器控制器的方法以及一种存储器系统。该操作存储器控制器的方法包括：基于与处于擦除状态的多个存储单元有关的擦除状态信息，将处于擦除状态的多个存储单元分类成多个组；为多个组中的至少一个组中包括的存储单元中的至少一些存储单元设置至少一种目标编程状态；以及将已经设置了至少一种目标编程状态的至少一些存储单元编程为多种编程状态中除了目标编程状态之外的编程状态。
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公开(公告)号：CN107797935A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710790427.X
申请日：2017-09-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/02 , G06F12/0866 , G11C7/10 , G11C7/24
CPC classification number: G06F3/0659 , G06F3/061 , G06F3/0619 , G06F3/0656 , G06F3/0679 , G06N20/00 , G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G06F12/0246 , G06F12/0866 , G11C7/1057 , G11C7/1084 , G11C7/24
Abstract: 本发明提供了一种存储装置，其可包括非易失性存储器装置、缓冲器存储器和控制器。控制器可利用缓冲器存储器对非易失性存储器装置执行第一访问；在缓冲器存储器中收集第一访问的访问结果信息和访问环境信息；以及基于在缓冲器存储器中收集的访问结果信息和访问环境信息，通过执行机器学习来产生访问分类器，访问分类器预测对非易失性存储器装置的第二访问的结果。
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公开(公告)号：CN105718385B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201510969163.5
申请日：2015-12-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/0802
Abstract: 本发明提供了一种操作数据存储装置的方法，其能够补偿多个存储器单元的初始阈电压漂移。所述方法包括：产生针对第一写地址的第一压缩值，所述第一写地址对应于在不同的时间间隔中的第一时间间隔期间输入的第一写请求；以及将第一压缩值存储在多个表中的第一表中。本发明还提供了一种数据存储装置和数据处理系统。
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公开(公告)号：CN109036488A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810230803.4
申请日：2018-03-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种存储器控制器、一种操作该存储器控制器的方法以及一种存储器系统。该操作存储器控制器的方法包括：基于与处于擦除状态的多个存储单元有关的擦除状态信息，将处于擦除状态的多个存储单元分类成多个组；为多个组中的至少一个组中包括的存储单元中的至少一些存储单元设置至少一种目标编程状态；以及将已经设置了至少一种目标编程状态的至少一些存储单元编程为多种编程状态中除了目标编程状态之外的编程状态。
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公开(公告)号：CN101105585A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200710096563.5
申请日：2007-04-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G09G3/3677 , G09G3/3614 , G09G2310/0281 , G09G2330/021
Abstract: 连接到奇数栅极线的栅极驱动单元、以及连接到偶数栅极线的栅极驱动单元顺序地操作，并且，当所述两个栅极驱动单元的操作改变时，倒转公共电压信号，由此，使在一帧期间被提供到显示面板的公共电压信号的电压电平的改变次数最小，从而减小了显示装置的功耗，并且，允许显示面板的像素执行线倒转。
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公开(公告)号：CN1818747A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200510068832.8
申请日：2005-05-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02F1/13452 , G02F2001/13456
Abstract: 本发明涉及一种显示设备，其中印刷电路板具有基础基板、倒装芯片和粘合部件。倒装芯片通过倒装芯片与基础基板第一面之间的粘合部件安装在基础基板的第一面上。第一显示板设置在基础基板的与第一面相反的第二面上，且第二显示板安装在基础基板具有倒装芯片的第一面上。由此，安装在印刷电路板上的芯片制得更小，可以使用释放出的空间安装第二显示板。
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公开(公告)号：CN118475113A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202311426428.8
申请日：2023-10-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 提供了形成图案的方法和制造半导体存储器装置的方法，所述方法包括以下步骤：在包括第一区域和第二区域的基底上方形成蚀刻目标层；在蚀刻目标层上方形成硬掩模结构；形成包括第一光致抗蚀剂图案和第二光致抗蚀剂图案的光致抗蚀剂图案，第一光致抗蚀剂图案包括位于第一区域中的雕刻图案，第二光致抗蚀剂图案包括位于第二区域中的压花图案；形成包括多个开口的上硬掩模图案；形成填充第一区域中的所述多个开口的可逆硬掩模图案；以及形成包括位于第一区域中的第一图案和位于第二区域中的第二图案的特征图案，其中，第一图案包括多个岛状图案和平面地围绕所述多个岛状图案的坝结构。
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公开(公告)号：CN116419564A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202310007877.2
申请日：2023-01-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00 , H01L23/488
Abstract: 提供了一种半导体存储器件。该半导体存储器件包括：在基板上的导电线、沿导电线的上表面延伸的盖图案、沿导电线的侧表面和盖图案的侧表面延伸的间隔物结构、在间隔物结构的侧表面上的电连接到基板的掩埋接触、沿掩埋接触和间隔物结构延伸的阻挡导电膜、以及在阻挡导电膜和盖图案上的电连接到掩埋接触的着落焊盘，其中间隔物结构的上部包括低于或等于盖图案的最上表面的间隔物凹槽，阻挡导电膜沿间隔物凹槽延伸并且不覆盖盖图案的最上表面。
