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公开(公告)号：CN107025951B
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201610851003.5
申请日：2016-09-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开电导体、其制造方法、和包括其的电子器件。所述电导体包括包含多个钌氧化物纳米片的第一导电层，其中所述多个钌氧化物纳米片的至少两个钌氧化物纳米片彼此接触以提供电连接并且所述多个钌氧化物纳米片的至少一个在其表面上包括多个金属簇。
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公开(公告)号：CN108695073A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810269346.X
申请日：2018-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01G4/1281 , C01G33/006 , C01P2002/08 , C01P2002/34 , C01P2002/50 , C01P2002/72 , C01P2002/78 , C01P2004/03 , C01P2006/40 , C04B35/4682 , C04B35/47 , C04B35/472 , C04B35/491 , C04B35/495 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3227 , C04B2235/3255 , C04B2235/5292 , C04B2235/768 , C04B2235/80 , C04B2235/85 , C07C211/01 , C07C211/63 , H01G4/1218 , H01G4/1227 , H01G4/1236 , H01G4/14 , H01G4/232 , H01G4/242 , H01G4/30 , H01G4/33 , H01G4/06
Abstract: 二维钙钛矿材料、包括其的介电材料和多层电容器。所述二维钙钛矿材料包括：包括层叠的具有正电荷的第一层和具有负电荷的第二层的层状金属氧化物、从所述层状金属氧化物剥落的单层纳米片、多个所述单层纳米片的纳米片层叠体、或其组合，其中所述二维钙钛矿材料以大于或等于约80体积％的量包括具有二维晶体结构的第一相，基于100体积％的所述二维钙钛矿材料，和所述二维钙钛矿材料由化学式1表示。
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公开(公告)号：CN107025952B
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201610911911.9
申请日：2016-10-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开电导体、其制造方法、和包括其的电子器件。电导体包括：包括多个钌氧化物纳米片的第一导电层，其中所述多个钌氧化物纳米片的至少一个钌氧化物纳米片在所述钌氧化物纳米片的表面上包括卤素、硫属元素、第15族元素、或其组合。
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公开(公告)号：CN107025952A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201610911911.9
申请日：2016-10-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开电导体、其制造方法、和包括其的电子器件。电导体包括：包括多个钌氧化物纳米片的第一导电层，其中所述多个钌氧化物纳米片的至少一个钌氧化物纳米片在所述钌氧化物纳米片的表面上包括卤素、硫属元素、第15族元素、或其组合。
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公开(公告)号：CN105271280A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510137816.3
申请日：2015-03-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C01B35/04
CPC classification number: C01B35/04 , C01P2004/24 , C01P2006/40 , C01P2006/60 , H01B1/06
Abstract: 本发明提供导电薄膜和包括其的电子器件。所述导电薄膜包括由化学式1表示并且具有层状晶体结构的化合物，其中，Me为Au、Al、Ag、Mg、Ta、Nb、Y、W、V、Mo、Sc、Cr、Mn、Os、Tc、Ru、Fe、Zr、或Ti。化学式1：MeB2。
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公开(公告)号：CN100474456C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200410031231.5
申请日：2004-03-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/00
CPC classification number: H03K5/1565
Abstract: 提供包含忙闲度检测器电路的忙闲度校正电路，该忙闲度检测器电路被结构成产生分别与第一内部时钟信号和第二内部时钟信号相关的第一和第二控制值。还提供了比较器电路，比较第一控制值与第二控制值并提供比较结果。计数器响应比较结果进行加法和/或减法运算以提供数字码。数/模转换器响应该数字码产生第三和第四控制值。最后，忙闲度校正器接收第一和第二外部时钟信号及第一至第四控制值并产生具有校正忙闲度的第一和第二内部时钟信号。经第一路径接收第一和第二控制值，经与该第一路径分离的第二路径接收第三和第四控制值。还提供了操作该忙闲度校正电路的相关方法。
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公开(公告)号：CN1542861A
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN200410031231.5
申请日：2004-03-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/00
CPC classification number: H03K5/1565
Abstract: 提供包含忙闲度检测器电路的忙闲度校正电路，该忙闲度检测器电路被结构成产生分别与第一内部时钟信号和第二内部时钟信号相关的第一和第二控制值。还提供了比较器电路，比较第一控制值与第二控制值并提供比较结果。计数器响应比较结果进行加法和/或减法运算以提供数字码。数/模转换器响应该数字码产生第三和第四控制值。最后，忙闲度校正器接收第一和第二外部时钟信号及第一至第四控制值并产生具有校正忙闲度的第一和第二内部时钟信号。经第一路径接收第一和第二控制值，经与该第一路径分离的第二路径接收第三和第四控制值。还提供了操作该忙闲度校正电路的相关方法。
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公开(公告)号：CN108695073B
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN201810269346.X
申请日：2018-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 二维钙钛矿材料、包括其的介电材料和多层电容器。所述二维钙钛矿材料包括：包括层叠的具有正电荷的第一层和具有负电荷的第二层的层状金属氧化物、从所述层状金属氧化物剥落的单层纳米片、多个所述单层纳米片的纳米片层叠体、或其组合，其中所述二维钙钛矿材料以大于或等于约80体积％的量包括具有二维晶体结构的第一相，基于100体积％的所述二维钙钛矿材料，和所述二维钙钛矿材料由化学式1表示。
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公开(公告)号：CN107025951A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201610851003.5
申请日：2016-09-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开电导体、其制造方法、和包括其的电子器件。所述电导体包括包含多个钌氧化物纳米片的第一导电层，其中所述多个钌氧化物纳米片的至少两个钌氧化物纳米片彼此接触以提供电连接并且所述多个钌氧化物纳米片的至少一个在其表面上包括多个金属簇。
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公开(公告)号：CN103871450A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201310376429.6
申请日：2013-08-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 在一个实施例中，存储器件包括存储单元阵列、数据线选择电路和选择控制逻辑。存储单元阵列至少具有第一存储单元组和冗余存储单元组。第一存储单元组包括与第一数据线相关联的多个第一存储单元，冗余存储单元组包括与冗余数据线相关联的多个冗余存储单元。选择控制逻辑配置为检测是否正在访问第一存储单元组中的带缺陷存储单元，并且配置为控制数据线选择电路用经由冗余数据线的访问替换经由第一数据线的访问，使得用所述多个冗余存储单元之一来替换第一存储单元组中检测到的带缺陷存储单元。
