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公开(公告)号：CN111052055A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201880050809.1
申请日：2018-08-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 根据实施例，一种用于操作电子装置的方法可包括：在第一操作模式下根据第一驱动信号对被配置为检测触摸或悬停的触摸电路进行操作；检测与模式切换有关的第一事件；并且基于检测到第一事件，在第二操作模式下根据与第一驱动信号不同的第二驱动信号对触摸电路进行操作。其他实施例也是可能的。
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公开(公告)号：CN106802780B
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201710083461.3
申请日：2012-03-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/14
Abstract: 提供一种移动终端及用于该移动终端的对象改变支持方法。所述移动终端包括：显示单元，用于输出至少一个对象；控制单元，控制以下操作中的至少一个：响应于将输出的对象改变为在功能上与输出的对象相似但在类型上与输出的对象不同的第二对象的信号，直接将第二对象显示在显示单元上，而不使用屏幕转换；以及响应于将输出的对象改变为在功能上与输出的对象相似但在类型上与输出的对象不同的第二对象的信号，将引导帧输出到显示单元上，以便于改变输出的对象，而不使用屏幕转换。
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公开(公告)号：CN110299309A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201910225551.0
申请日：2019-03-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 提供一种衬底处理设备。该衬底处理设备包括衬底卡盘、位于该衬底卡盘上方的喷淋头结构、以及连接于该喷淋头结构的气体分配装置。气体分配装置包括分散容器和位于分散容器上的气体入口部，所述分散容器包括第一分散空间。气体入口部包括第一入口管和第二入口管，第一入口管包括流体连通到第一分散空间的第一入口路径，第二入口管包括流体连通到第一分散空间的第二入口路径。第二入口管围绕第一入口管的侧壁的至少一部分。
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公开(公告)号：CN109508467A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201810937129.3
申请日：2018-08-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F17/50
Abstract: 一种对工艺腔中的气体的流动进行仿真的计算系统及其方法。计算系统包括：存储器，被配置成存储指令及喷嘴库；以及处理器，被配置成存取所述存储器且执行所述指令。所述指令使所述计算系统：基于所述喷嘴库选择至少一个喷嘴单元作为所选择的至少一个喷嘴单元，并将所述所选择的至少一个喷嘴单元放置在对应的位置坐标处；为所述工艺腔创建多个体积网孔；以及基于所述工艺腔中的所述多个体积网孔对所述工艺腔中通过所述所选择的至少一个喷嘴单元的气体的流动进行仿真。所述喷嘴库包括关于多个喷嘴单元的信息，所述多个喷嘴单元中的每一者中形成有多个体积网孔。所述喷嘴单元具有彼此不同的形状。
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公开(公告)号：CN100459706C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200510078604.9
申请日：2005-06-20
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李相烨
IPC: H04N7/24
CPC classification number: H04N19/198 , H04N19/126 , H04N19/134 , H04N19/15 , H04N19/152 , H04N19/172 , H04N19/196 , H04N19/61 , H04N19/80
Abstract: 一种用于控制比特率的设备和方法。所述设备包括：缓冲器，用于存储关于要压缩帧的紧挨前帧的比特率的信息；比特率控制器，用于根据紧挨前帧的比特率，产生要压缩帧的目标比特率和期望比特率，并根据目标比特率、期望比特率和应用到紧挨前帧的量化等级，计算要应用到要压缩帧的目标量化等级；以及量化器，用于根据目标量化等级来执行量化处理。
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公开(公告)号：CN1725858A
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN200510078604.9
申请日：2005-06-20
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李相烨
IPC: H04N7/24
CPC classification number: H04N19/198 , H04N19/126 , H04N19/134 , H04N19/15 , H04N19/152 , H04N19/172 , H04N19/196 , H04N19/61 , H04N19/80
Abstract: 一种用于控制比特率的设备和方法。所述设备包括：缓冲器，用于存储关于要压缩帧的紧挨前帧的比特率的信息；比特率控制器，用于根据紧挨前帧的比特率，产生要压缩帧的目标比特率和期望比特率，并根据目标比特率、期望比特率和应用到紧挨前帧的量化等级，计算要应用到要压缩帧的目标量化等级；以及量化器，用于根据目标量化等级来执行量化处理。
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公开(公告)号：CN110066988B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN201910034623.3
申请日：2019-01-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C16/455 , B33Y10/00 , B33Y30/00 , B33Y50/02 , B33Y80/00
Abstract: 提供了一种用于生成喷头的3D形状数据的设备、一种制造喷头的方法和一种用于制造喷头的系统。所述设备包括：数据处理器，生成包括指示晶圆的上表面与喷头之间的第一距离的值的信息、指示晶圆上的位置的信息以及关于流体流动物理量值的信息的数据集，并且确定表示各个信息之间的关系的函数；输入单元，接收状况数据和每个位置的目标流体流动物理量值；以及数据库，存储关于所述函数的信息。数据处理器获得关于每个位置处的晶圆的上表面与喷头之间的具有目标流体流动物理量值的第二距离的信息，提取喷头的下表面的空间坐标信息，并且利用空间坐标信息生成喷头的3D形状数据。
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公开(公告)号：CN106169511B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201610157055.2
申请日：2016-03-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/06 , H01L31/101
Abstract: 示例实施方式涉及包括二维(2D)材料的半导体器件以及制造该半导体器件的方法。一种半导体器件可以是包括至少一种掺杂的2D材料的光电器件。光电器件可以包括：第一电极；第二电极；以及在第一电极和第二电极之间的半导体层。第一电极和第二电极中的至少一个可以包括掺杂的石墨烯。半导体层可以具有大于或等于大约0.1eV的内建电势，或者大于或等于大约0.3eV的内建电势。第一电极和第二电极中的其中之一可以包括p掺杂的石墨烯，另一个可以包括n掺杂的石墨烯。备选地，第一电极和第二电极中的其中之一可以包括p掺杂或n掺杂的石墨烯，另一个可以包括金属性材料。
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公开(公告)号：CN111424261A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201910813222.8
申请日：2019-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/56
Abstract: 提供了一种原子层沉积(ALD)设备，所述ALD设备包括：第一工艺室，被构造为供应第一源气体并诱导第一材料膜的吸附。第二工艺室被构造为供应第二源气体并诱导第二材料膜的吸附。第三工艺室被构造为供应第三源气体并诱导第三材料膜的吸附。表面处理室被构造为对第一材料膜至第三材料膜中的每个执行表面处理工艺并去除反应副产物。热处理室被构造为对在其上以预定顺序吸附有第一材料膜至第三材料膜的基底执行热处理工艺并且使第一材料膜至第三材料膜转换为单一化合物薄膜。
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公开(公告)号：CN106486380B
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201610720187.1
申请日：2016-08-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 制造半导体器件的方法被提供。所述方法可以包括：形成从衬底突出的鳍型有源区；形成覆盖鳍型有源区的顶表面和两侧壁的栅绝缘膜。栅绝缘膜可以包括高k电介质膜。所述方法还可以包括：在栅绝缘膜上形成含金属层；在含金属层上形成包含氢原子的硅覆盖层；去除硅覆盖层中包含的氢原子的一部分；去除硅覆盖层和至少一部分含金属层；以及在栅绝缘膜上形成栅电极。栅电极可以覆盖鳍型有源区的顶表面和两个侧壁。
