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公开(公告)号：CN108695073B
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN201810269346.X
申请日：2018-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 二维钙钛矿材料、包括其的介电材料和多层电容器。所述二维钙钛矿材料包括：包括层叠的具有正电荷的第一层和具有负电荷的第二层的层状金属氧化物、从所述层状金属氧化物剥落的单层纳米片、多个所述单层纳米片的纳米片层叠体、或其组合，其中所述二维钙钛矿材料以大于或等于约80体积％的量包括具有二维晶体结构的第一相，基于100体积％的所述二维钙钛矿材料，和所述二维钙钛矿材料由化学式1表示。
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公开(公告)号：CN114388693A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202110709375.5
申请日：2021-06-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L49/02 , H01L27/108 , H01G4/12 , H01G4/30
Abstract: 本发明涉及电介质材料以及包括其的器件和存储设备。根据一个方面，提供电介质材料，其具有由式1表示的组成： (100‑x‑y)BaTiO3·xBiREO3·yABO3。其中，在式1中，RE为稀土金属，A为碱金属，B为五价过渡金属，并且满足0
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公开(公告)号：CN108335908B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN201810052471.5
申请日：2018-01-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了介电复合物、以及包括其的多层电容器和电子器件，所述介电复合物包括由具有半导电性或导电性的材料构成的多个晶粒和包围晶粒边界的晶界绝缘层，其中所述晶界绝缘层包括覆盖所述晶粒表面的至少一部分的二维层状材料。
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公开(公告)号：CN108335908A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810052471.5
申请日：2018-01-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了介电复合物、以及包括其的多层电容器和电子器件，所述介电复合物包括由具有半导电性或导电性的材料构成的多个晶粒和包围晶粒边界的晶界绝缘层，其中所述晶界绝缘层包括覆盖所述晶粒表面的至少一部分的二维层状材料。
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公开(公告)号：CN109928746B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN201811220408.4
申请日：2018-10-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , C04B35/626 , H01G4/12 , H01G4/10 , H01G4/30
Abstract: 本发明涉及陶瓷电介质、其制造方法、陶瓷电子组件和电子设备。陶瓷电介质包括多个半导体晶粒，所述半导体晶粒包括包含钡(Ba)、钛(Ti)和稀土元素的半导体氧化物。陶瓷电介质还包括位于相邻的半导体晶粒之间且包括受体元素的绝缘性氧化物，所述受体元素包括锰(Mn)、镁(Mg)、铝(Al)、铁(Fe)、钪(Sc)、镓(Ga)、或其组合。
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公开(公告)号：CN109928746A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201811220408.4
申请日：2018-10-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , C04B35/626 , H01G4/12 , H01G4/10 , H01G4/30
Abstract: 本发明涉及陶瓷电介质、其制造方法、陶瓷电子组件和电子设备。陶瓷电介质包括多个半导体晶粒，所述半导体晶粒包括包含钡(Ba)、钛(Ti)和稀土元素的半导体氧化物。陶瓷电介质还包括位于相邻的半导体晶粒之间且包括受体元素的绝缘性氧化物，所述受体元素包括锰(Mn)、镁(Mg)、铝(Al)、铁(Fe)、钪(Sc)、镓(Ga)、或其组合。
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公开(公告)号：CN108695073A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810269346.X
申请日：2018-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01G4/1281 , C01G33/006 , C01P2002/08 , C01P2002/34 , C01P2002/50 , C01P2002/72 , C01P2002/78 , C01P2004/03 , C01P2006/40 , C04B35/4682 , C04B35/47 , C04B35/472 , C04B35/491 , C04B35/495 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3227 , C04B2235/3255 , C04B2235/5292 , C04B2235/768 , C04B2235/80 , C04B2235/85 , C07C211/01 , C07C211/63 , H01G4/1218 , H01G4/1227 , H01G4/1236 , H01G4/14 , H01G4/232 , H01G4/242 , H01G4/30 , H01G4/33 , H01G4/06
Abstract: 二维钙钛矿材料、包括其的介电材料和多层电容器。所述二维钙钛矿材料包括：包括层叠的具有正电荷的第一层和具有负电荷的第二层的层状金属氧化物、从所述层状金属氧化物剥落的单层纳米片、多个所述单层纳米片的纳米片层叠体、或其组合，其中所述二维钙钛矿材料以大于或等于约80体积％的量包括具有二维晶体结构的第一相，基于100体积％的所述二维钙钛矿材料，和所述二维钙钛矿材料由化学式1表示。
