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公开(公告)号：CN107689359B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN201710397399.5
申请日：2017-05-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/495 , H01L21/48 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供了一种半导体封装件，其包括衬底、再布线层、多个半导体芯片堆叠结构以及第二半导体芯片。再布线层设置在衬底的上表面上。再布线层包括凹陷部。半导体芯片堆叠结构包括多个第一半导体芯片。第一半导体芯片设置在再布线层上。第一半导体芯片在水平方向上彼此隔开。第二半导体芯片设置在凹陷部中。第二半导体芯片构造为使多个半导体芯片堆叠结构中的每一个彼此电连接。
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公开(公告)号：CN115910978A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202210724273.5
申请日：2022-06-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/31
Abstract: 一种半导体封装件包括：第一封装基板，具有分别包括多个第一下表面焊盘和多个第一上表面焊盘的下表面和上表面；第二封装基板，具有分别包括多个第二下表面焊盘和多个第二上表面焊盘的下表面和上表面，其中，所述多个第二上表面焊盘包括位于所述第二封装基板的上表面处的所有上表面焊盘；半导体芯片，设置在所述第一封装基板和所述第二封装基板之间并且附接到所述第一封装基板上；以及多个金属芯结构，将所述多个第一上表面焊盘中的一些第一上表面焊盘连接到所述多个第二下表面焊盘中的一些第二下表面焊盘并且不与所述多个第二上表面焊盘中的任何第二上表面焊盘垂直交叠，每个所述金属芯结构具有金属芯。
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公开(公告)号：CN109887937A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201811351387.X
申请日：2018-11-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请提供了形成再分布线的方法及用该方法制造半导体器件的方法。所述制造半导体器件的方法包括：提供了具有顶表面和与所述顶表面相对的底表面的半导体衬底，所述顶表面上形成有滤色器和微透镜；在所述半导体衬底的底表面上形成再分布线；在所述半导体衬底的底表面上形成覆盖所述再分布线的钝化层。在形成所述再分布线和所述钝化层之后，在避免对所述滤色器和所述微透镜造成热损坏的温度下，在所述再分布线与所述钝化层之间形成氧化物层。
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公开(公告)号：CN108091661B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN201710614432.5
申请日：2017-07-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L25/07
Abstract: 一种图像传感器封装以及封装。图像传感器封装包括：图像传感器芯片，位在封装衬底上；逻辑芯片，位在所述封装衬底上并与所述图像传感器芯片垂直地重叠；以及存储器芯片，位在所述封装衬底上并与所述图像传感器芯片及逻辑芯片垂直地重叠。所述逻辑芯片处理从所述图像传感器芯片输出的像素信号。所述存储器芯片经由导电线电连接到所述图像传感器芯片，并存储从所述图像传感器芯片输出的所述像素信号与由所述逻辑芯片处理的像素信号中的至少一个。所述存储器芯片经由所述导电线接收从所述图像传感器芯片输出的所述像素信号并经由所述图像传感器芯片与所述导电线接收由所述逻辑芯片处理的所述像素信号。
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公开(公告)号：CN117012723A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310049527.2
申请日：2023-02-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体封装件，其包括：支撑布线结构；半导体芯片，位于所述支撑布线结构上；覆盖布线结构，位于所述半导体芯片上；以及填充构件，填充在所述支撑布线结构与所述覆盖布线结构之间，其中，所述覆盖布线结构包括：腔，所述腔从所述覆盖布线结构的下表面延伸到所述覆盖布线结构中并且所述半导体芯片的上部位于所述腔中；以及第一槽和第二槽，在第一水平方向上分别具有第一宽度和第二宽度，所述第一槽和所述第二槽与所述腔连通并且分别延伸到所述覆盖布线结构的在与所述第一水平方向正交的第二水平方向上彼此相对的第一侧表面和第二侧表面。
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公开(公告)号：CN114639666A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202111118348.7
申请日：2021-09-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/16 , H01L23/31 , H01L23/488
Abstract: 可以提供一种半导体封装，包括：第一封装基板；位于第一封装基板上的第一半导体芯片；位于第一封装基板上且与第一半导体芯片横向间隔开的第一导电连接器；位于第一半导体芯片上且通过第一导电连接器电连接至第一封装基板的中介层基板，该中介层基板包括与第一半导体芯片重叠的第一部分和位于第一部分中的多个上导电焊盘；位于中介层基板的第一部分的下表面上且定位成在平面图中不与多个上导电焊盘重叠的多个间隔物；以及位于中介层基板和第一封装基板之间的绝缘填充物。
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公开(公告)号：CN114613756A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202111051857.2
申请日：2021-09-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L21/50 , H01L23/31
Abstract: 提供了一种具有堆叠封装(PoP)结构的半导体器件和一种制造该半导体器件的方法，其中，实现了封装基板之间的精细节距，减小了封装件的总高度，并且提高了可靠性。该半导体器件包括：第一封装基板，包括第一主体层和第一钝化层；第一半导体芯片，位于第一封装基板上；第二封装基板，位于第一封装基板上，第二封装基板包括第二主体层和第二钝化层；第一连接构件，在第一半导体芯片的外部位于第一封装基板上；以及间隙填充物，填充在第一封装基板与第二封装基板之间，其中，第一封装基板包括第一沟槽，第二封装基板包括第二沟槽，并且第一半导体芯片设置在第一沟槽与第二沟槽之间。
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公开(公告)号：CN112397463A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202010489044.0
申请日：2020-06-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/498 , H01L25/07
Abstract: 提供了一种半导体封装件，该半导体封装件包括封装件衬底。封装件衬底包括衬底图案和至少部分地包围衬底图案的衬底绝缘层。封装件衬底具有凹槽。外部连接端子布置在封装件衬底下方。嵌入式半导体器件布置在封装件衬底的凹槽内。嵌入式半导体器件包括第一衬底。第一有源层布置在第一衬底上。第一芯片焊盘布置在第一有源层上。埋置绝缘层布置在封装件衬底的凹槽内，并且埋置绝缘层至少部分地包围嵌入式半导体器件的侧表面的至少一部分。安装式半导体器件布置在封装件衬底上，并且连接至封装件衬底和嵌入式半导体器件。
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公开(公告)号：CN112331645A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202010756040.4
申请日：2020-07-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/18 , H01L23/31 , H01L23/367
Abstract: 一种半导体封装装置，可以包括第一封装衬底、位于第一封装衬底上的第一半导体芯片、位于第一半导体芯片上的插件、位于插件上的翘曲防止构件、位于插件和第一封装衬底上的模制构件以及位于模制构件上的第二封装衬底。模制构件的顶表面的至少一部分可以与第二封装衬底的底表面间隔开。
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公开(公告)号：CN107689359A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710397399.5
申请日：2017-05-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/495 , H01L21/48 , H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/49838 , H01L21/4857 , H01L21/6835 , H01L23/13 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/5383 , H01L23/5385 , H01L24/09 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68345 , H01L2221/68381 , H01L2224/0401 , H01L2224/13101 , H01L2224/1403 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81005 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06562 , H01L2225/06586 , H01L2924/15174 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/15312 , H01L2924/18161 , H01L2224/16225 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L21/4821 , H01L21/4846 , H01L23/4952 , H01L23/49805 , H01L24/81 , H01L2224/0231 , H01L2224/02331 , H01L2224/02381 , H01L2224/16057 , H01L2224/16157 , H01L2224/16188 , H01L2224/81
Abstract: 本发明提供了一种半导体封装件，其包括衬底、再布线层、多个半导体芯片堆叠结构以及第二半导体芯片。再布线层设置在衬底的上表面上。再布线层包括凹陷部。半导体芯片堆叠结构包括多个第一半导体芯片。第一半导体芯片设置在再布线层上。第一半导体芯片在水平方向上彼此隔开。第二半导体芯片设置在凹陷部中。第二半导体芯片构造为使多个半导体芯片堆叠结构中的每一个彼此电连接。
