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公开(公告)号：CN107689359B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN201710397399.5
申请日：2017-05-31
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L23/498 , H01L23/495 , H01L21/48 , H01L23/488 , H01L21/60
摘要： 本发明提供了一种半导体封装件，其包括衬底、再布线层、多个半导体芯片堆叠结构以及第二半导体芯片。再布线层设置在衬底的上表面上。再布线层包括凹陷部。半导体芯片堆叠结构包括多个第一半导体芯片。第一半导体芯片设置在再布线层上。第一半导体芯片在水平方向上彼此隔开。第二半导体芯片设置在凹陷部中。第二半导体芯片构造为使多个半导体芯片堆叠结构中的每一个彼此电连接。
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公开(公告)号：CN115910978A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202210724273.5
申请日：2022-06-23
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L23/498 , H01L23/31
摘要： 一种半导体封装件包括：第一封装基板，具有分别包括多个第一下表面焊盘和多个第一上表面焊盘的下表面和上表面；第二封装基板，具有分别包括多个第二下表面焊盘和多个第二上表面焊盘的下表面和上表面，其中，所述多个第二上表面焊盘包括位于所述第二封装基板的上表面处的所有上表面焊盘；半导体芯片，设置在所述第一封装基板和所述第二封装基板之间并且附接到所述第一封装基板上；以及多个金属芯结构，将所述多个第一上表面焊盘中的一些第一上表面焊盘连接到所述多个第二下表面焊盘中的一些第二下表面焊盘并且不与所述多个第二上表面焊盘中的任何第二上表面焊盘垂直交叠，每个所述金属芯结构具有金属芯。
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公开(公告)号：CN109887937A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201811351387.X
申请日：2018-11-14
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本申请提供了形成再分布线的方法及用该方法制造半导体器件的方法。所述制造半导体器件的方法包括：提供了具有顶表面和与所述顶表面相对的底表面的半导体衬底，所述顶表面上形成有滤色器和微透镜；在所述半导体衬底的底表面上形成再分布线；在所述半导体衬底的底表面上形成覆盖所述再分布线的钝化层。在形成所述再分布线和所述钝化层之后，在避免对所述滤色器和所述微透镜造成热损坏的温度下，在所述再分布线与所述钝化层之间形成氧化物层。
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公开(公告)号：CN116960073A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310158839.7
申请日：2023-02-15
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 公开了一种半导体封装，包括：封装衬底，具有在封装衬底的顶表面处的第一安装区域和第二安装区域；第一半导体芯片，设置在第一安装区域上；第二半导体芯片，设置在第二安装区域上；中介层衬底，设置在第二安装区域上，并覆盖第二半导体芯片；多个导电连接器，从中介层衬底的底表面延伸到封装衬底的顶表面，并与第二半导体芯片横向地间隔开；以及第三半导体芯片，在中介层衬底的顶表面上。第一半导体芯片的顶表面与封装衬底的顶表面之间的第一距离大于中介层衬底的顶表面与封装衬底的顶表面之间的第二距离。
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公开(公告)号：CN115985870A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202210924659.0
申请日：2022-08-02
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L23/46 , H10B12/00 , H10B10/00 , H10B63/10 , H10B61/00 , H10B51/00 , H10B53/00 , H10B63/00
摘要： 一种半导体封装，包括：第一半导体芯片；第二半导体芯片，设置在第一半导体芯片上；芯片连接端子，被配置为将第一半导体芯片电连接到第二半导体芯片；底部填充层，设置在第一半导体芯片和第二半导体芯片之间，并且围绕芯片连接端子；竖直多孔结构，填充在竖直方向上穿过第一半导体芯片、第二半导体芯片和底部填充层的多个竖直冷却通道的空间，并且具有多个冷却孔；以及冷却流体，被提供给竖直多孔结构的多个冷却孔以在多个竖直冷却通道内部流动。
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公开(公告)号：CN115295522A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210400948.0
申请日：2022-04-14
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L23/498
摘要： 一种半导体封装，包括：第一衬底；所述第一衬底上的第一半导体器件；第一模塑层，覆盖所述第一半导体器件；所述第一模塑层上的第二衬底；支撑焊球，介于所述第一衬底与所述第二衬底之间，并且与所述第一衬底或所述第二衬底电学断开，其中，所述支撑焊球包括核并靠近所述第一半导体器件的第一侧壁设置；以及衬底连接焊球，被设置在所述第一半导体器件的所述第一侧壁与所述支撑焊球之间，以将所述第一衬底电连接到所述第二衬底，其中，所述第一半导体器件的顶表面具有距离所述第一衬底的顶表面的第一高度，并且所述核具有等于或大于所述第一高度的第二高度。
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公开(公告)号：CN111223853A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201911163580.5
申请日：2019-11-22
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L25/18 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L21/98
摘要： 一种半导体封装包括：第一半导体芯片；第二半导体芯片，贴附到第一半导体芯片的上表面；硅散热体，热连接到第一半导体芯片和第二半导体芯片中的至少一个；以及模制构件，被配置为围绕第一半导体芯片和第二半导体芯片并暴露硅散热体的上表面。
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公开(公告)号：CN111063677A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201910739955.1
申请日：2019-08-12
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L25/16 , H01L23/31 , H01L21/56 , H01L23/488 , H01L21/60
摘要： 一种半导体封装件，包括：第一封装基板；位于第一封装基板上的第一半导体芯片；将第一封装基板连接到第一半导体芯片的多个第一芯片连接单元；位于第一半导体芯片上的中介层，该中介层在平行于第一封装基板的上表面的方向上的宽度大于第一半导体芯片在平行于第一封装基板的上表面的方向上的宽度；以及上填充层，其包括位于第一半导体芯片和中介层之间的中心部分和围绕中心部分的外部部分，外部部分在垂直于第一封装基板的上表面的方向上的厚度大于中心部分在垂直于第一封装基板的上表面的方向上的厚度。
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公开(公告)号：CN109585471A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811107072.0
申请日：2018-09-21
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明构思涉及一种半导体封装和图像传感器。一种半导体封装包括：封装基板；设置在封装基板上的图像传感器；以及接合层，其设置在封装基板与图像传感器之间并包括第一区域和第二区域，第二区域具有比第一区域的弹性模量低的弹性模量，并设置在第一区域的周边。
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