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公开(公告)号：CN109212663B
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201810735108.3
申请日：2018-07-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 光子集成电路包括主光源、冗余光源、控制器、光学开关和调制器。主光源通过主光输入波导输出主光。冗余光源通过冗余光传输波导输出冗余光。控制器基于主光源的故障状态生成第一开关信号。光学开关基于第一开关信号将来自冗余光传输波导的冗余光选择性地提供给冗余光输入波导。调制器调制来自主光输入波导的主光或来自冗余光输入波导的冗余光并输出第一光学信号。
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公开(公告)号：CN105374889B
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201510492805.7
申请日：2015-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L31/0232 , H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/105 , H01L27/146 , G02B6/124 , G02B6/42
CPC classification number: H01L31/02327 , G02B6/124 , G02B6/42 , G02B6/4206 , G02B6/4209 , H01L27/14607 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L31/02161 , H01L31/035281 , H01L31/105
Abstract: 一种光电转换器件包括：基板，具有第一表面和第二表面，第二表面是第一表面的相反面，其中第一和第二表面的其中之一是光入射面；光电二极管(PD)，形成在基板的第一表面中；反射层，形成在基板的第一和第二表面的另一个上，第一和第二表面的所述另一个是光入射面的相反面；以及微透镜，形成在基板的光入射面上。
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公开(公告)号：CN110391303A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201910061254.7
申请日：2019-01-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0232 , H01L31/105
Abstract: 提供了一种光电探测器结构，所述光电探测器结构包括：基底，包括半导体膜；光吸收层，位于基底上，所述光吸收层与半导体膜接触并且包括锗(Ge)；第一涂层，位于基底上，所述第一涂层包围光吸收层的侧表面的至少一部分；以及光波导，位于第一涂层上，所述光波导与光吸收层接触并且包括氮化硅(SiN)，其中，光波导的下表面比光吸收层的下表面高。
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公开(公告)号：CN111048533A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201910633453.0
申请日：2019-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/144 , H01L31/0232 , G02B6/42
Abstract: 提供了一种集成电路(IC)器件，其包括光学IC衬底、位于所述光学IC衬底内部的局部沟槽和光电元件，所述光电元件包括掩埋在所述局部沟槽内部的光电转换层。所述光电转换层掩埋在所述光学IC衬底中的所述局部沟槽内部以形成所述光电元件。因此，所述IC器件可以抑制所述光学IC衬底的翘曲。
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公开(公告)号：CN109212663A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810735108.3
申请日：2018-07-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 光子集成电路包括主光源、冗余光源、控制器、光学开关和调制器。主光源通过主光输入波导输出主光。冗余光源通过冗余光传输波导输出冗余光。控制器基于主光源的故障状态生成第一开关信号。光学开关基于第一开关信号将来自冗余光传输波导的冗余光选择性地提供给冗余光输入波导。调制器调制来自主光输入波导的主光或来自冗余光输入波导的冗余光并输出第一光学信号。
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公开(公告)号：CN111048533B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN201910633453.0
申请日：2019-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种集成电路(IC)器件，其包括光学IC衬底、位于所述光学IC衬底内部的局部沟槽和光电元件，所述光电元件包括掩埋在所述局部沟槽内部的光电转换层。所述光电转换层掩埋在所述光学IC衬底中的所述局部沟槽内部以形成所述光电元件。因此，所述IC器件可以抑制所述光学IC衬底的翘曲。
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公开(公告)号：CN110391303B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN201910061254.7
申请日：2019-01-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0232 , H01L31/105
Abstract: 提供了一种光电探测器结构，所述光电探测器结构包括：基底，包括半导体膜；光吸收层，位于基底上，所述光吸收层与半导体膜接触并且包括锗(Ge)；第一涂层，位于基底上，所述第一涂层包围光吸收层的侧表面的至少一部分；以及光波导，位于第一涂层上，所述光波导与光吸收层接触并且包括氮化硅(SiN)，其中，光波导的下表面比光吸收层的下表面高。
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公开(公告)号：CN110196474B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN201910144996.6
申请日：2019-02-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02B6/42
Abstract: 提供了具有改进的集成的光子集成电路封装以及制造这样的光子集成电路封装的方法。作为示例，光子集成电路封装可以包括基板、在基板上的第一绝缘层、在第一绝缘层上的光子芯层以及在光子芯层上的第二绝缘层。光子耦合器件可以在光子芯层中，并且可以例如是光栅耦合器和光电探测器中的至少一个。凹面镜可以延伸到至少第二绝缘层中。在一些实施方式中，凹面镜可以延伸穿过第二绝缘层并延伸到第一绝缘层中。
