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公开(公告)号：CN108695391B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN201810288244.2
申请日：2018-04-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括第一鳍型图案，该第一鳍型图案包括在第一方向上延伸的第一长侧和在第二方向上延伸的第一短侧。第二鳍型图案基本上平行于第一鳍型图案布置。第一栅电极交叉第一鳍型图案和第二鳍型图案。第二鳍型图案包括突出超过第一鳍型图案的第一短侧的突出部分。第一栅电极与包括第一鳍型图案的第一短侧的第一鳍型图案的端部分重叠。限定第一鳍型图案的第一短侧的第一鳍型图案的第一侧壁的至少部分由具有第一深度的第一沟槽限定。第一沟槽直接邻接具有更大的第二深度的第二沟槽。
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公开(公告)号：CN107170700B
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201710514602.2
申请日：2012-12-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本申请提供了一种基片干燥装置和基片处理方法。该装置可包括：配置为具有内部空间的处理室；布置于所述处理室内用于支撑基片的基片支撑件；第一供应口，其配置为向位于所述基片以下的所述内部空间的一个区域提供超临界流体；第二供应口，其配置为向位于所述基片以上的所述内部空间的另一个区域提供超临界流体；和排出口，其配置为将超临界流体从所述处理室排出到外部区域。
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公开(公告)号：CN110060942B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN201811608953.0
申请日：2014-03-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/687
Abstract: 本公开提供了基板处理装置、基板处理系统以及处理基板的方法。该基板处理系统可以包括构造为用超临界流体处理基板的处理装置以及构造为提供超临界流体到处理装置的供给装置。处理装置可以包括超临界工艺区和预超临界工艺区，在该超临界工艺区中基板用超临界流体处理，在预超临界工艺区中超临界流体膨胀然后被提供到超临界工艺区中以在超临界工艺区中产生超临界状态。
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公开(公告)号：CN109979814A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201811581609.7
申请日：2018-12-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/308 , H01L21/331 , H01L29/739
Abstract: 可提供一种用于限定从基底突出的鳍的长度的方法，所述方法包括：使用多个硬掩模图案在设置在鳍之上的掩模材料层上形成多个第一切片壁；设置相对于多个第一切片壁自对准的多个填充掩模图案，以暴露位于多个第一切片壁中的一个或更多个成对的相邻第一切片壁之间的一个或更多个选定区域；以及设置包括一个或更多个开口并相对于多个第二切片壁自对准的修整掩模图案，以暴露多个第一切片壁中的一个或更多个。
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公开(公告)号：CN104631028B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201410614410.5
申请日：2014-11-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种洗衣机及其装配方法。所述洗衣机包括：壳体；桶，安装在壳体内；盖，结合到壳体的顶部，并且盖具有放入衣物的开口；控制面板，附着到盖，以能够选择洗涤模式；下部电组件，位于桶的下方，例如驱动装置。洗衣机可被制造为还包括：集成线束，具有结合到控制面板的一侧和结合到下部电组件的另一侧，以传输电信号；引导件，设置在壳体的上边缘，使得线束固定到引导件并沿着引导件延伸。所述集成线束可实现制造成本的降低并防止由于绝缘损坏而导致洗衣机着火。
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公开(公告)号：CN108803235A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810353449.4
申请日：2018-04-19
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金庆燮
Abstract: 一种用于测量晶片上的图案布置误差(PPE)的方法包括接收光掩模图案。一个或多个单位单元图案被添加到光掩模图案。每个单位单元图案包括至少一个参考设计图案和至少一个PPE检查设计图案。光掩模由其上添加有一个或多个单位单元图案的光掩模图案制造。使用所制造的光掩模对晶片进行图案化。获取图案化晶片的显微镜图像。测量至少一个参考设计图案和至少一个PPE检查设计图案之间的位移作为图案布置误差。
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公开(公告)号：CN104051299A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410090605.4
申请日：2014-03-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67126 , H01L21/67751 , H01L21/68785
Abstract: 本发明提供了基板处理装置、基板处理系统以及处理基板的方法。该基板处理系统可以包括构造为用超临界流体处理基板的处理装置以及构造为提供超临界流体到处理装置的供给装置。处理装置可以包括超临界工艺区和预超临界工艺区，在该超临界工艺区中基板用超临界流体处理，在预超临界工艺区中超临界流体膨胀然后被提供到超临界工艺区中以在超临界工艺区中产生超临界状态。
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公开(公告)号：CN116848500A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202180093198.0
申请日：2021-12-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/041
Abstract: 根据本文档中公开的各种实施例的电子装置可以包括：第一壳体；第二壳体，枢转地连接到第一壳体；显示面板，包括设置在第一壳体中的第一区域、设置在第二壳体中的第二区域、以及将第一区域和第二区域彼此连接并且至少一部分可弯曲的第三区域；第一支撑部，设置在显示面板之下以支撑显示面板；识别构件，包括在第一壳体中设置在第一支撑部之下的第一识别构件和在第二壳体中设置在第一支撑部之下的第二识别构件，并识别来自笔输入装置的信号；第二支撑部，包括在第一壳体中设置在识别构件之下的第一部分以及与第一部分分离并在第二壳体中设置在识别构件之下的第二部分；第一印刷电路板，在第一壳体中设置在第二支撑部之下；以及第二印刷电路板，在第二壳体中设置在第二支撑部之下、与第一印刷电路板分离并电连接到第二支撑部。
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公开(公告)号：CN105336584A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201510474350.6
申请日：2015-08-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/027
Abstract: 本发明提供了一种细微图案化方法以及一种制造半导体器件的方法。所述细微图案化方法包括步骤：在底层上形成具有下掩模层和上掩模层的掩模层；在掩模层上形成一对牺牲图案；形成牺牲图案之间的连接间隔件和通过介于它们之间的所述一对牺牲图案彼此间隔开并覆盖牺牲图案的侧表面的第一间隔件；利用第一间隔件和连接间隔件作为蚀刻掩模来蚀刻上掩模层，以形成上掩模图案；形成第二间隔件，以覆盖上掩模图案的侧表面；利用第二间隔件作为蚀刻掩模来蚀刻下掩模层，以形成下掩模图案；以及利用下掩模图案作为蚀刻掩模来蚀刻底层。
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公开(公告)号：CN118693088A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410107207.2
申请日：2024-01-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L23/48 , H01L23/528 , H01L21/8238
Abstract: 提供了一种集成电路器件。所述集成电路器件包括设置在基底上的第一导电图案、围绕第一导电图案的一部分并覆盖第一导电图案的侧壁的下部的第二导电图案、在第一导电图案和第二导电图案上的上绝缘结构、以及穿透上绝缘结构并在竖直方向上延伸的上导电图案，其中，上导电图案包括主插塞部分和竖直延伸件，主插塞部分在竖直方向上与第一导电图案和第二导电图案叠置，竖直延伸件从主插塞部分的一部分朝向基底延伸，覆盖第一导电图案的上侧壁的上部，并且在竖直方向上与第二导电图案叠置，虚设接触件形成在基底上的单扩散间断区域上。
