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公开(公告)号:CN110912595B
公开(公告)日:2024-01-09
申请号:CN201910547696.2
申请日:2019-06-24
申请人: 三星电子株式会社
摘要: 一种在通过通信信道与接入点通信的无线站中的方法,包括:接收信道估计矩阵;使用信道估计矩阵确定波束成形矩阵,该波束成形矩阵是针对多个下采样反馈索引生成的,该波束成形矩阵包括与接入点相关联的一个或多个天线的波束成形权重,每个波束成形权重是包括幅度和相位的复值;将与波束成形矩阵的最后一个反馈索引相关联的最后一个天线的波束成形权重的相位设置为零,并且旋转其他天线中的每一个的每个波束成形权重的相位;通过归一化波束成形矩阵的每个列向量,执行对每个反馈索引的波束成形矩阵的平滑;压缩平滑的波束成形矩阵;以及提供压缩的波束成形矩阵作为输出。
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公开(公告)号:CN116646293A
公开(公告)日:2023-08-25
申请号:CN202310155823.0
申请日:2023-02-23
申请人: 三星电子株式会社
IPC分类号: H01L21/68
摘要: 一种衬底对准方法包括:通过将衬底运载至室中并且将衬底设置在室的装载区中来执行衬底处理工艺;捕获衬底的下表面的图像以获取第一图像;从第一图像中识别在衬底处理工艺中形成在衬底的下表面上的颗粒图案以及衬底的边缘;计算从颗粒图案计算的装载区的中心的近似位置值与从衬底的边缘计算的衬底的中心的近似位置值之间的偏差的第一对准误差值;以及基于第一对准误差值来确定用于教导将衬底放置在室中的转移机器人的时间点。
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公开(公告)号:CN110496749B
公开(公告)日:2022-11-08
申请号:CN201910399017.1
申请日:2019-05-14
申请人: 三星电子株式会社
IPC分类号: B05C9/12
摘要: 提供了一种多固化设备和用于制造半导体芯片的方法,该多固化设备包括:致动器;第一腔室,包括第一能量源头;第二腔室,包括第二能量源头;第一驱动器,包括第一旋转传动齿轮和第一驱动齿轮,第一旋转传动齿轮与致动器齿轮啮合,第一驱动齿轮与第一腔室齿轮啮合。该设备还包括第二驱动器,第二驱动器包括第二旋转传动齿轮和第二驱动齿轮,第二旋转传动齿轮与致动器齿轮啮合,第二驱动齿轮与第二腔室齿轮啮合。在第一旋转传动齿轮、第二旋转传动齿轮和第二驱动齿轮被固定的同时,该设备使第一腔室的位置相对于第二腔室的位置对准。
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公开(公告)号:CN109739469B
公开(公告)日:2022-07-01
申请号:CN201910012868.6
申请日:2013-09-22
申请人: 三星电子株式会社
摘要: 提供了一种用户装置的情景感知服务提供方法和设备,所述情景感知服务提供方法和设备根据用户定义的规则识别用户情景并执行与用户情景相应的动作,并且将执行结果交互地反馈给用户。用于提供情景感知服务的方法包括:接收用户输入,用户输入为文本输入和语音输入中的至少一个;基于接收的用户输入识别包括条件和与所述条件相应的动作的规则;激活规则以检测与所述规则的条件相应的情景;当检测到所述情景时执行与所述条件相应的动作。
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公开(公告)号:CN112768449A
公开(公告)日:2021-05-07
申请号:CN202011122787.0
申请日:2020-10-20
申请人: 三星电子株式会社
IPC分类号: H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L21/762
摘要: 本发明构思涉及半导体器件和制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括:在衬底上的第一有源图案和第二有源图案,第一和第二有源图案在第一方向上彼此相邻且第一沟槽在第一有源图案与第二有源图案之间;在衬底上的第三有源图案和第四有源图案,第三有源图案和第四有源图案在第一方向上彼此相邻且第二沟槽在第三有源图案与第四有源图案之间。该半导体器件包括在第一沟槽中的第一器件隔离层和在第二沟槽中的第二器件隔离层。第二沟槽在第一方向上的宽度大于第一沟槽在第一方向上的宽度。第二器件隔离层包括从第二器件隔离层的顶表面突出的第一突起和第二突起。
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公开(公告)号:CN112311430A
公开(公告)日:2021-02-02
申请号:CN202010712859.0
申请日:2020-07-22
申请人: 三星电子株式会社
IPC分类号: H04B7/0452 , H04B7/0456
摘要: 提供了一种用于在多用户多输入和多输出(MU MIMO)通信系统中生成预编码器的方法。该方法涉及从多个站接收信道信息和信道的质量信息。基于接收的信息来确定第一条件是否被满足,如果被满足,则从用于预编码的多个矩阵求逆类型中选择矩阵求逆的类型。基于提供的信息来确定第二条件是否被满足,并且如果第二条件被满足,则从用于预编码的多个分解类型当中选择分解的类型。基于选择的结果来生成预编码器。
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公开(公告)号:CN111799329A
公开(公告)日:2020-10-20
申请号:CN202010188610.4
申请日:2020-03-17
申请人: 三星电子株式会社
IPC分类号: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L27/088
摘要: 一种半导体器件包括衬底、第一鳍和第二鳍。所述第一鳍和所述第二鳍在所述衬底上沿第一方向彼此间隔开,并且在与所述第一方向相交的第二方向上延伸。所述半导体器件还包括:第一浅沟槽,所述第一浅沟槽形成在所述第一鳍与所述第二鳍之间;以及场绝缘膜,所述场绝缘膜填充所述第一浅沟槽的至少一部分。所述场绝缘膜包括第一部分、与所述第一部分相邻的第二部分以及与所述第二部分相邻并且与所述第一浅沟槽的侧壁相邻的第三部分。所述第一部分包括所述场绝缘膜的上表面的在所述第一方向上的中心部分。所述场绝缘膜的所述上表面为朝着所述衬底凹入的大括号形状。
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公开(公告)号:CN105592067B
公开(公告)日:2020-07-28
申请号:CN201510756263.X
申请日:2015-11-09
申请人: 三星电子株式会社
IPC分类号: H04L29/06 , G10L15/183
摘要: 本发明公开一种语音信号处理方法及实现此的终端和服务器,包括如下步骤:接收语音信号;检测出所述语音信号中包含个人信息的私密化信息区间;针对所述语音信号中对应于所述私密化信息区间的语音信号,利用基于所述个人信息而生成的私密化模型而进行数据处理;从服务器接收针对与作为所述私密化信息区间以外的区间的一般信息区间相对应的语音信号进行数据处理的结果。
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公开(公告)号:CN110718548A
公开(公告)日:2020-01-21
申请号:CN201910238881.3
申请日:2019-03-27
申请人: 三星电子株式会社
IPC分类号: H01L27/092 , H01L29/78 , H01L21/8238
摘要: 一种半导体器件,其可以包括:有源鳍,所述有源鳍通过有源鳍之间的凹部彼此间隔开,所述有源鳍中的每一个从衬底的上表面突出;隔离结构,其包括在凹部的下部的下表面上和侧壁上的衬垫,以及在所述衬垫上的阻挡图案,所述阻挡图案填充所述凹部的下部的剩余部分并且包括氮化物、碳化物或多晶硅;栅电极结构,其在有源鳍和隔离结构上;以及源极/漏极层,其在所述有源鳍中的每一个有源鳍的与所述栅电极结构相邻的部分上。
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