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公开(公告)号：CN108460184B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN201810070832.9
申请日：2018-01-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F30/392
Abstract: 一种制造包括标准单元的实例的集成电路(IC)的方法包括布置第一实例并布置与第一实例相邻的第二实例。所述第二实例具有与所述第一实例的场景组相对应的前端层图案。所述场景组包括与实例的前端层图案有关的信息，所述前端层图案在所述第一实例上引起相同的局部布局效应(LLE)并且与所述第一实例相邻地布置。
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公开(公告)号：CN111241769B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN201910811343.9
申请日：2019-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F30/39 , G06F30/392
Abstract: 提供了生成集成电路设计的方法和系统。该方法包括接收定义了集成电路设计的输入单元的输入数据，从第一标准单元库中选择第一类型标准单元以表示具有第一特性的输入单元，从第二标准单元库中选择第二类型标准单元以表示具有第二特性的输入单元，第二特性不同于第一特性，并且通过对选择的第一类型标准单元和选择的第二类型标准单元执行布局和布线来产生表示集成电路设计的输出数据。第一标准单元库包括使用第一扩散中断方案制造的第一类型标准单元。第二标准单元库包括使用第二扩散中断方案制造的第二类型标准单元。第二类型标准单元中的每一个与第一类型标准单元中的相应一个具有相同的功能。
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公开(公告)号：CN108460184A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810070832.9
申请日：2018-01-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G05B19/4097 , G05B2219/45031 , G06F17/5072 , G06F2217/12 , Y02P90/265
Abstract: 一种制造包括标准单元的实例的集成电路(IC)的方法包括布置第一实例并布置与第一实例相邻的第二实例。所述第二实例具有与所述第一实例的场景组相对应的前端层图案。所述场景组包括与实例的前端层图案有关的信息，所述前端层图案在所述第一实例上引起相同的局部布局效应(LLE)并且与所述第一实例相邻地布置。
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公开(公告)号：CN118057611A
公开(公告)日：2024-05-21
申请号：CN202311527229.6
申请日：2023-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L27/085 , H01L21/82
Abstract: 提供了一种集成电路，包括：第一单元和第二单元，设置在沿第一水平方向延伸的第一行和第二行中；第一电力线，在电力线层中沿第一行和第二行之间的边界在第一水平方向上延伸；第一接触部，在与第一水平方向交叉的第二水平方向上从第一单元向第二单元延伸；以及第一向下过孔，在竖直方向上从第一接触部的底表面向第一电力线的顶表面延伸。
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公开(公告)号：CN112786582A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202011164681.7
申请日：2020-10-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了半导体装置和制造半导体装置的方法。所述方法包括：对标准单元进行布局；调整电源通路图案的尺寸，以使所述电源通路图案的宽度不同于其他通路图案的宽度；和将不同的设计规则分别应用于所述电源通路图案和所述其他通路图案，以对所述标准单元执行布线操作。
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公开(公告)号：CN111241769A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201910811343.9
申请日：2019-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F30/39 , G06F30/392
Abstract: 提供了生成集成电路设计的方法和系统。该方法包括接收定义了集成电路设计的输入单元的输入数据，从第一标准单元库中选择第一类型标准单元以表示具有第一特性的输入单元，从第二标准单元库中选择第二类型标准单元以表示具有第二特性的输入单元，第二特性不同于第一特性，并且通过对选择的第一类型标准单元和选择的第二类型标准单元执行布局和布线来产生表示集成电路设计的输出数据。第一标准单元库包括使用第一扩散中断方案制造的第一类型标准单元。第二标准单元库包括使用第二扩散中断方案制造的第二类型标准单元。第二类型标准单元中的每一个与第一类型标准单元中的相应一个具有相同的功能。
