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公开(公告)号：CN115512739A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202210376020.3
申请日：2022-04-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种子字线驱动器及包括其的半导体存储器件。所述子字线驱动器可以包括字线上拉晶体管、字线下拉晶体管和被配置为使字线维持在指定电压电平的保持晶体管。所述子字线驱动器可以包括：外围有源区域，所述外围有源区域位于衬底上；第一外围栅电极，所述第一外围栅电极对应于所述字线下拉晶体管的栅极节点并且位于所述外围有源区域上；第二外围栅电极，所述第二外围栅电极对应于所述保持晶体管的栅极节点并且位于所述外围有源区域上；以及第一下接触，所述第一下接触耦接到所述外围有源区域的第一区域。来自所述第一区域的第一(VBB)电压可以被供应给所述保持晶体管的源极节点。
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公开(公告)号：CN115497535A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202210603717.X
申请日：2022-05-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4063 , G11C11/408 , G11C11/4094
Abstract: 一种存储器件，包括：存储单元阵列、行地址译码器以及字线驱动电路，所述行地址译码器被配置为：生成多个主字线驱动信号和多个子字线驱动信号，基于奇信号被激活，通过以第一顺序输出所述多个子字线驱动信号来生成用于驱动目标字线的多个编码子字线驱动信号，其中，所述奇信号表示驱动奇数字线的主字线驱动信号被激活，以及基于偶信号被激活，通过以第二顺序输出所述多个子字线驱动信号来生成所述多个编码子字线驱动信号，其中，所述偶信号表示驱动偶数字线的主字线驱动信号被激活；所述字线驱动电路被配置为：以第一电压电平或第二电压电平来驱动所述目标字线。
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公开(公告)号：CN114446336A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111122286.7
申请日：2021-09-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/06 , G11C7/18 , H01L27/105
Abstract: 提供了读出放大器和包括该读出放大器的半导体存储器件。所述读出放大器，包括：包括在第一方向上彼此间隔开的第一晶体管和第二晶体管的位线读出放大器；被配置为将第一晶体管电连接到第二晶体管并且在第一方向上延伸第二导线；以及被配置为至少部分地与第二导线交叠并且设置在第一晶体管与第二晶体管之间的局部读出放大器。局部读出放大器包括：有源区；至少部分地在第一方向上延伸并且设置在有源区上的多个栅极图案；设置在多个栅极图案之间并且包括在第一方向上延伸的长边和在与第一方向相交的第二方向上延伸的短边的第一接触；以及在俯视图中与第一接触交叠的同时电连接到第一接触并且包括在第一方向上延伸的第一导电区的第一导线。
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公开(公告)号：CN118866045A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410277741.8
申请日：2024-03-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4091 , G11C11/4097
Abstract: 一种存储器装置，包括：与存储器单元区的第一边缘部分相邻的第一全局位线；与存储器单元区的第二边缘部分相邻的第二全局位线；在存储器单元区的中心部分中的伪全局位线，以及在读出放大器区中并且连接到第一全局位线、第二全局位线和伪全局位线的位线读出放大器。存储器单元区的第一层连接到读出放大器区的第二层，并且被配置为向伪全局位线中的每一个施加偏置电压。
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公开(公告)号：CN114171079A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111044466.8
申请日：2021-09-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/409 , G11C11/4094 , H01L27/108
Abstract: 一种集成电路装置，包括被配置为读出位线的电压变化的读出放大器，其中，读出放大器包括：读出放大器单元，其连接到位线和互补位线，被配置为响应于控制信号读出位线的电压变化，被配置为基于读出的电压变化调整读出位线和互补读出位线的电压，并且包括第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管；以及第一偏移消除单元，其响应于偏移消除信号将位线连接到互补读出位线，并且包括布置在第一NMOS晶体管和第一PMOS晶体管之间的第一偏移消除晶体管，其中，第一偏移消除晶体管与第一NMOS晶体管共享公共杂质区。
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公开(公告)号：CN119007779A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410562299.3
申请日：2024-05-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了具有位于多行中的晶体管的行译码器和包括其的存储器件。该行译码器包括第一主字线驱动电路和第二主字线驱动电路，所述第一主字线驱动电路和第二主字线驱动电路被配置为将相应第一驱动信号和第二驱动信号生成到彼此相邻延伸的对应第一主字线和第二主字线上。此外，所述第一主字线驱动电路内的第一晶体管和所述第二主字线驱动电路内的第二晶体管具有相同的功能，但是当在与在其上形成所述第一主字线和所述第二主字线的衬底垂直的方向上观察时设置在不同的行中。
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公开(公告)号：CN115995245A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202211248005.7
申请日：2022-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C8/08 , G11C11/408
Abstract: 一种存储装置包括：第一子字线驱动器，所述第一子字线驱动器包括第一晶体管，所述第一晶体管由通过第一直接接触连接到第一字线的第一有源区和第一栅极线形成，所述第一栅极线和所述第一字线在第一方向上延伸；以及第二子字线驱动器，所述第二子字线驱动器包括第二晶体管，所述第二晶体管由通过第二直接接触连接到第二字线的第二有源区和第二栅极线形成，所述第二直接接触和所述第一直接接触在第二方向上并排设置并且彼此间隔开，所述第二方向与所述第一方向垂直。所述第二栅极线在所述第一方向上延伸。由所述存储装置的第三子字线驱动器驱动的第三字线位于所述第一字线与所述第二字线之间。
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公开(公告)号：CN116030855A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202210680243.9
申请日：2022-06-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体存储器件的子字线驱动器电路，包括：衬底中的第一有源图案和第二有源图案，以及栅极图案。第一有源图案包括第一保持晶体管的第一漏区和第一源区，该第一保持晶体管使用负电压对未激活且沿第一方向延伸的第一字线进行预充电。第二有源图案包括第二保持晶体管的第二漏区和第二源区，该第二保持晶体管使用负电压对未激活且沿第一方向延伸的第二字线进行预充电。栅极图案在第一有源图案的一部分上并且在第二有源图案的一部分上，与第一有源图案和第二有源图案部分地重叠。
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公开(公告)号：CN115206374A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210367298.4
申请日：2022-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4091 , G11C11/4094
Abstract: 一种位线读出放大器，包括：放大器，连接在第一读出位线和第二读出位线之间，并响应于第一控制信号和第二控制信号来检测并放大第一位线和第二位线之间的电压差；和均衡器，连接在通过其提供第一控制信号的第一电源线和通过其提供第二控制信号的第二电源线之间，并响应于均衡控制信号来用预充电电压对第一位线和第二位线进行预充电，其中，均衡器包括源端连接到第一电源线的均衡使能晶体管，并响应于均衡控制信号来执行均衡。
