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公开(公告)号：CN101714576A
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200910175709.4
申请日：2009-09-29
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
IPC: H01L29/78 , H01L27/115 , H01L29/43 , H01L21/336 , H01L21/8247 , G11C11/40 , G11C16/02
Abstract: 本发明公开一种半导体装置及所述半导体装置的制造方法和操作方法。所述半导体装置可以包括不同的纳米结构。所述半导体装置可以具有由纳米线形成的第一元件和由纳米颗粒形成的第二元件。所述纳米线可以是双极性碳纳米管(CNT)。第一元件可以是沟道层。第二元件可以是电荷捕获层。就此，所述半导体装置可以是晶体管或存储装置。
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公开(公告)号：CN101714576B
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN200910175709.4
申请日：2009-09-29
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
IPC: H01L29/78 , H01L27/115 , H01L29/43 , H01L21/336 , H01L21/8247 , G11C11/40 , G11C16/02
Abstract: 本发明可以公开一种半导体装置及所述半导体装置的制造方法和操作方法。所述半导体装置可以包括不同的纳米结构。所述半导体装置可以具有由纳米线形成的第一元件和由纳米颗粒形成的第二元件。所述纳米线可以是双极性碳纳米管(CNT)。第一元件可以是沟道层。第二元件可以是电荷捕获层。就此，所述半导体装置可以是晶体管或存储装置。
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公开(公告)号：CN101662883B
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN200810180799.1
申请日：2008-12-05
Applicant: 首尔大学校产学协力团
IPC: H05K1/11 , H05K1/09 , H05K3/40 , H01L23/488 , H01L23/498 , H01L21/48 , H01L51/00
CPC classification number: H05K1/167 , B82Y10/00 , H01L2924/0002 , H05K3/12 , H05K2201/026 , H05K2203/1173 , Y10S977/734 , Y10S977/883 , Y10S977/902 , Y10S977/932 , H01L2924/00
Abstract: 一种具有对准的纳米结构的电路板，包括：基板，在基板上布置的极性分子层图案和非极性分子层图案；在基板上布置的第一电极和第二电极；以及在极性分子层图案上布置的并且包含线型纳米结构的一个或更多个通道。所述一个或更多个通道促进第一电极电连接至第二电极。
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公开(公告)号：CN101662883A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200810180799.1
申请日：2008-12-05
Applicant: 首尔大学校产学协力团
IPC: H05K1/11 , H05K1/09 , H05K3/40 , H01L23/488 , H01L23/498 , H01L21/48 , H01L51/00
CPC classification number: H05K1/167 , B82Y10/00 , H01L2924/0002 , H05K3/12 , H05K2201/026 , H05K2203/1173 , Y10S977/734 , Y10S977/883 , Y10S977/902 , Y10S977/932 , H01L2924/00
Abstract: 一种具有对准的纳米结构的电路板，包括：基板，在基板上布置的极性分子层图案和非极性分子层图案；在基板上布置的第一电极和第二电极；以及在极性分子层图案上布置的并且包含线型纳米结构的一个或更多个通道。所述一个或更多个通道促进第一电极电连接至第二电极。
