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公开(公告)号：CN101276690B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200810088819.2
申请日：2008-03-28
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H05K1/162 , H01G4/105 , H01G4/33 , H05K2201/0175 , H05K2201/0179 , Y10T29/435
Abstract: 本发明提供了在泄漏电流特性方面有所改进的薄膜电容器和电容器嵌入式印刷电路板。介电层由不需高温热处理就具有预定介电常数的BiZnNb-基非晶质金属氧化物制成，并且调整BiZnNb-基非晶质金属氧化物的金属相铋含量以获得期望的介电常数。同样，可形成具有不同金属相铋含量的另一介电层。所述薄膜电容器包括：第一电极；包括形成于所述第一电极上的第一介电膜的介电层，所述介电层包括BiZnNb-基非晶质金属氧化物；以及形成于所述介电层上的第二电极，其中所述BiZnNb-基非晶质金属氧化物包含金属相铋。
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公开(公告)号：CN101276690A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810088819.2
申请日：2008-03-28
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H05K1/162 , H01G4/105 , H01G4/33 , H05K2201/0175 , H05K2201/0179 , Y10T29/435
Abstract: 本发明提供了在泄漏电流特性方面有所改进的薄膜电容器和电容器嵌入式印刷电路板。介电层由不需高温热处理就具有预定介电常数的BiZnNb－基非晶质金属氧化物制成，并且调整BiZnNb－基非晶质金属氧化物的金属相铋含量以获得期望的介电常数。同样，可形成具有不同金属相铋含量的另一介电层。所述薄膜电容器包括：第一电极；包括形成于所述第一电极上的第一介电膜的介电层，所述介电层包括BiZnNb－基非晶质金属氧化物；以及形成于所述介电层上的第二电极，其中所述BiZnNb－基非晶质金属氧化物包含金属相铋。
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公开(公告)号：CN101111128A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200710108648.0
申请日：2007-06-07
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H05K1/162 , H01G4/33 , H01G13/00 , H01L21/4857 , H01L23/50 , H01L2924/0002 , H05K2201/0108 , H05K2201/0175 , H05K2201/0179 , H05K2203/016 , H05K2203/107 , Y10T29/43 , Y10T29/49155 , Y10T29/49165 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种利用激光剥离制造其中嵌入有具有介电膜的电容器的印刷电路板的方法，以及一种由此制造的电容器。在该方法中，在透明衬底上形成介电膜并热处理该介电膜。在热处理后的介电膜上形成第一导电层。将激光束从透明衬底的下方照射到所形成的叠层上，以使透明衬底从叠层分离。在透明衬底从叠层分离之后，在介电膜上形成具有预定图案的第二导电层。此外，在第一和第二导电层上形成绝缘层和第三导电层以使其以预定数量彼此交替。
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公开(公告)号：CN101111128B
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200710108648.0
申请日：2007-06-07
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H05K1/162 , H01G4/33 , H01G13/00 , H01L21/4857 , H01L23/50 , H01L2924/0002 , H05K2201/0108 , H05K2201/0175 , H05K2201/0179 , H05K2203/016 , H05K2203/107 , Y10T29/43 , Y10T29/49155 , Y10T29/49165 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种利用激光剥离制造其中嵌入有具有介电膜的电容器的印刷电路板的方法，以及一种由此制造的电容器。在该方法中，在透明衬底上形成介电膜并热处理该介电膜。在热处理后的介电膜上形成第一导电层。将激光束从透明衬底的下方照射到所形成的叠层上，以使透明衬底从叠层分离。在透明衬底从叠层分离之后，在介电膜上形成具有预定图案的第二导电层。此外，在第一和第二导电层上形成绝缘层和第三导电层以使其以预定数量彼此交替。
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公开(公告)号：CN101666952A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200910128665.X
申请日：2009-03-20
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H01L33/502 , C09K11/02 , C09K11/565 , C09K11/62 , C09K11/64 , C09K11/70 , C09K11/7492 , C09K11/883 , C09K11/892 , H01L33/486 , H01L33/50 , H01L2924/0002 , H01S5/005 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种量子点波长转换器及其制造方法以及包括量子点波长转换器的发光装置。所述量子点波长转换器包括量子点，所述量子点波长转换器在光学上是稳定的，在发射波长上没有任何改变，并且在发射能力上得到改进。所述量子点波长转换器包括：波长转换部件，所述波长转换部件包括量子点和分散介质，所述量子点对激发光进行波长转换并产生波长转换了的光，所述分散介质使所述量子点分散；密封件，密封所述波长转换部件。
