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公开(公告)号：CN102339802B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201110317683.X
申请日：2009-07-21
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/482
CPC classification number: H01L24/06 , H01L24/05 , H01L2224/04042 , H01L2224/05552 , H01L2224/05553 , H01L2224/0603 , H01L2224/06051 , H01L2224/45 , H01L2224/45144 , H01L2224/48 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48237 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48465 , H01L2224/48599 , H01L2224/49 , H01L2224/4903 , H01L2224/49051 , H01L2224/49111 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01019 , H01L2924/01033 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/13064 , H01L2924/16195 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2224/05556 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明的目的在于提供一种高频半导体装置，其能够延长栅极金属线和漏极金属线的金属线长度。该高频半导体装置具备：封装件，其具有空腔；半导体芯片，其配置在该空腔底面，在上表面具有栅极电极、源极电极、以及漏极电极；栅极框，配置在该空腔底面；漏极框，配置在该空腔底面；源极框，配置在该空腔底面；栅极金属线，连接该栅极电极和该栅极框；漏极金属线，连接该漏极电极和该漏极框；以及源极金属线，连接该源极电极和该源极框。而且，该高频半导体装置的特征在于，该半导体芯片，以与将该半导体芯片配置在该空腔底面的中央部的情况相比使该栅极金属线和该漏极金属线的长度变长的方式，从该中央部离开规定的偏移而配置。
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公开(公告)号：CN101364584A
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200810129848.9
申请日：2008-08-07
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/31
CPC classification number: H01L2224/0603 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49171 , H01L2924/01031 , H01L2924/10329
Abstract: 本发明涉及一种不改变外部形状就可以降低噪声指数的半导体装置。源极框架(1)具有下垫板(2)。直线形的栅极框架(4)具有与下垫板(2)分离的焊盘(6)。在下垫板(2)上安装半导体芯片(3)。通过多个导线(8)电连接半导体芯片(3)的源极端子(9)和下垫板，并且电连接半导体芯片(3)的栅极端子(11)和焊盘(6)。由树脂(12)密封下垫板(2)、焊盘(6)、半导体芯片(3)和多个导线(8)。下垫板(2)在焊盘(6)附近相对于栅极框架(4)的延伸方向倾斜的方向上被切割。
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公开(公告)号：CN111344856A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201780096691.1
申请日：2017-11-14
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 细见刚
IPC: H01L21/768 , H01L23/522
Abstract: 半导体装置具有：半导体器件(2)，其在半导体芯片(1)的主面具有电极以及配线；第1树脂构造体(A)，其配置于该半导体芯片(1)的主面侧，在所述半导体器件(2)的特定的电极(3)的侧方以及上方，与该特定的电极(3)之间构成中空构造(8)；第2树脂构造体(B)，其将所述第1树脂构造体(A)的外侧覆盖，介电常数小于或等于该第1树脂构造体(A)；以及绝缘膜(11)，其将所述第2树脂构造体(B)的外侧覆盖，透湿性小于该第2树脂构造体(B)。
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公开(公告)号：CN101783326B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200910151101.8
申请日：2009-07-21
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/10 , H01L23/48 , H01L23/495
CPC classification number: H01L24/06 , H01L24/05 , H01L2224/04042 , H01L2224/05552 , H01L2224/05553 , H01L2224/0603 , H01L2224/06051 , H01L2224/45 , H01L2224/45144 , H01L2224/48 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48237 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48465 , H01L2224/48599 , H01L2224/49 , H01L2224/4903 , H01L2224/49051 , H01L2224/49111 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01019 , H01L2924/01033 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/13064 , H01L2924/16195 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2224/05556 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明的目的在于提供一种高频半导体装置，其能够延长栅极金属线和漏极金属线的金属线长度。该高频半导体装置具备：封装件，其具有空腔；半导体芯片，其配置在该空腔底面，在上表面具有栅极电极、源极电极、以及漏极电极；栅极框，配置在该空腔底面；漏极框，配置在该空腔底面；源极框，配置在该空腔底面；栅极金属线，连接该栅极电极和该栅极框；漏极金属线，连接该漏极电极和该漏极框；以及源极金属线，连接该源极电极和该源极框。而且，该高频半导体装置的特征在于，该半导体芯片，以与将该半导体芯片配置在该空腔底面的中央部的情况相比使该栅极金属线和该漏极金属线的长度变长的方式，从该中央部离开规定的偏移而配置。
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公开(公告)号：CN101783335A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200910159615.8
申请日：2009-07-17
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/52 , H01L23/482 , H01L23/48 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明得到能够容易制造且缩小芯片面积的半导体装置。半导体芯片(10)具有顶面和底面以及连接顶面与底面的侧面。半导体芯片(10)的顶面形成有电子电路(16)。在半导体芯片(10)的底面形成有底面电极(18a、18b)。在半导体芯片(10)的角部的侧面形成有侧面布线(20a、20b)。侧面布线(20a、20b)连接电子电路(16)与底面电极(18a、18b)。
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公开(公告)号：CN111344856B
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN201780096691.1
申请日：2017-11-14
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 细见刚
IPC: H01L21/768 , H01L23/522
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公开(公告)号：CN101783335B
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN200910159615.8
申请日：2009-07-17
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/52 , H01L23/482 , H01L23/48 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明得到能够容易制造且缩小芯片面积的半导体装置。半导体芯片(10)具有顶面和底面以及连接顶面与底面的侧面。半导体芯片(10)的顶面形成有电子电路(16)。在半导体芯片(10)的底面形成有底面电极(18a、18b)。在半导体芯片(10)的角部的侧面形成有侧面布线(20a、20b)。侧面布线(20a、20b)连接电子电路(16)与底面电极(18a、18b)。
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公开(公告)号：CN106469686B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201610694218.0
申请日：2016-08-19
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 细见刚
IPC: H01L23/06
Abstract: 本发明得到一种在封装件的封装后能够观察内部，并且能够容易地辨识封装件的外观的半导体装置。半导体装置具有：半导体芯片(2)，其具有电子部件(3)；以及封装件(1)，其将半导体芯片(2)封装。封装件(1)具有对可见光不透明而对近红外光或者近紫外光透明的透明部(5)。透明部(5)配置于能够通过近红外光或者近紫外光而从外部观察电子部件(3)的位置。
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公开(公告)号：CN106469686A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201610694218.0
申请日：2016-08-19
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 细见刚
IPC: H01L23/06
CPC classification number: H01L23/544 , H01L23/06 , H01L23/31 , H01L23/3114 , H01L23/66 , H01L24/29 , H01L24/45 , H01L2223/54426 , H01L2223/54433 , H01L2223/54486 , H01L2223/6644 , H01L2223/6683 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/16195 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明得到一种在封装件的封装后能够观察内部，并且能够容易地辨识封装件的外观的半导体装置。半导体装置具有：半导体芯片(2)，其具有电子部件(3)；以及封装件(1)，其将半导体芯片(2)封装。封装件(1)具有对可见光不透明而对近红外光或者近紫外光透明的透明部(5)。透明部(5)配置于能够通过近红外光或者近紫外光而从外部观察电子部件(3)的位置。
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公开(公告)号：CN102339802A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201110317683.X
申请日：2009-07-21
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/482
CPC classification number: H01L24/06 , H01L24/05 , H01L2224/04042 , H01L2224/05552 , H01L2224/05553 , H01L2224/0603 , H01L2224/06051 , H01L2224/45 , H01L2224/45144 , H01L2224/48 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48237 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48465 , H01L2224/48599 , H01L2224/49 , H01L2224/4903 , H01L2224/49051 , H01L2224/49111 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01019 , H01L2924/01033 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/13064 , H01L2924/16195 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2224/05556 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明的目的在于提供一种高频半导体装置，其能够延长栅极金属线和漏极金属线的金属线长度。该高频半导体装置具备：封装件，其具有空腔；半导体芯片，其配置在该空腔底面，在上表面具有栅极电极、源极电极、以及漏极电极；栅极框，配置在该空腔底面；漏极框，配置在该空腔底面；源极框，配置在该空腔底面；栅极金属线，连接该栅极电极和该栅极框；漏极金属线，连接该漏极电极和该漏极框；以及源极金属线，连接该源极电极和该源极框。而且，该高频半导体装置的特征在于，该半导体芯片，以与将该半导体芯片配置在该空腔底面的中央部的情况相比使该栅极金属线和该漏极金属线的长度变长的方式，从该中央部离开规定的偏移而配置。
