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公开(公告)号：CN107275253A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710142468.8
申请日：2017-03-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/02052 , B08B3/02 , B08B3/041 , B08B3/08 , C23F1/02 , C23F1/08 , C23F1/16 , C23F1/32 , G03F7/168 , H01L21/02087 , H01L21/67051 , H01L21/67253 , H01L21/68764 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L21/6708
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置、液处理方法以及存储介质。提供一种能够降低伴随膜的特性的差异而引起的去除宽度的变动的基板处理装置等。在向基板的周缘部供给处理液来去除膜的基板处理装置中，能够在基板的径向上移动的喷出部向被基板保持部保持并旋转的基板的周缘部喷出处理液。喷出位置设定部与制程中包含的膜的去除宽度对应地设定来自喷出部的处理液的喷出位置，特性信息获取部获取要去除的膜的特性信息。校正量获取部根据膜的特性信息获取对处理液的喷出位置进行校正的校正量，喷出位置校正部根据由校正量获取部获取到的校正量，对喷出部的处理液的喷出位置进行校正。
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公开(公告)号：CN111834251B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202010276204.3
申请日：2020-04-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种效率良好地加热基板的下表面周缘部的基板处理装置。本公开的基板处理装置具备保持部和加热机构。保持部以基板能够旋转的方式保持该基板的下表面中央部。加热机构向基板的下表面供给加热后的流体。另外，加热机构具备多个翅片、热源、流体导入部、以及流体喷出部。多个翅片在基板的下方且是保持部的外侧沿着基板的周向配置。热源加热多个翅片。流体导入部向多个翅片导入流体。流体喷出部向基板的下表面喷出通过多个翅片而被加热了的流体。
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公开(公告)号：CN118335649A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202311843451.7
申请日：2023-12-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本公开说明能够抑制异物的相对于基板的周缘部的上表面的附着的基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置具备支承部、供给部、环状构件、旋转部、罩构件、以及配置于罩构件的上方的环状的整流构件。环状构件包括倾斜面，该倾斜面在环状构件的径向上随着向环状构件的中心侧去而向下方倾斜。整流构件包括：基座部；以及突出部，其与支承于支承部的基板的周缘部相对，并且自基座部朝向基板的周缘部突出。突出部在从上下方向观察时与支承部重叠。突出部的下表面位于比支承于支承部的基板的上表面靠上方且是比环状构件的上表面靠下方的位置。突出部的内周面随着自上方向下方去而朝向径向外方倾斜。
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公开(公告)号：CN112185846A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202010589202.X
申请日：2020-06-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 藤田阳
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种蚀刻装置和蚀刻方法，在通过蚀刻去除基板周缘部的不需要的膜时精密地控制不需要的膜的去除范围。蚀刻装置具备：基板保持部，其保持基板；旋转驱动部，其使基板保持部绕旋转轴线旋转；液喷出部，其朝向被基板保持部保持的基板的周缘部喷出蚀刻液；以及控制部，其构成为至少通过控制旋转驱动部和液喷出部来控制蚀刻装置的动作。控制部构成为：控制通过旋转驱动部旋转的基板的旋转速度、从液喷出部喷出蚀刻液的喷出速度、以及从液喷出部喷出蚀刻液的喷出方向中的至少一方，以使得以即时脱离条件进行基板的蚀刻，即时脱离条件为通过液喷出部喷出的蚀刻液着落于基板的周缘部的着液点之后立即从基板脱离的条件。
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公开(公告)号：CN109427629A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810965777.X
申请日：2018-08-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 藤田阳
Abstract: 本发明提供一种基片处理装置，其具有：包含处理液喷嘴(61)的处理液供给部(60)；和使处理液喷嘴(61)在第一处理位置(P1)、比第一处理位置(P1)靠上述基片的中心侧的第二处理位置(P2)和后退位置(Q1)之间移动的处理液喷嘴驱动部(65)。在第一移动步骤中，使基片以第一转速(R1)旋转，并且使处理液喷嘴(61)一边排出处理液一边从后退位置(Q1)向第一处理位置(P1)移动。在第一移动步骤后的第二移动步骤中，使基片以比第一转速(R1)高的第二转速(R2)旋转，并且使处理液喷嘴(61)一边排出处理液一边从第一处理位置(P1)向第二处理位置(P2)移动。由此，能够抑制在基片的上表面产生颗粒。
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公开(公告)号：CN119833434A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411814602.0
申请日：2020-04-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种效率良好地加热基板的下表面周缘部的基板处理装置。本公开的基板处理装置具备保持部、加热机构以及圆环状的下方杯。保持部保持基板的下表面中央部。加热机构对基板供给加热后的流体。下方杯配置于加热机构的外侧。加热机构具备主体部、热源、流体导入部、流体喷出部、多个翅片以及多个密封构件。主体部具有圆环形状。多个翅片沿着主体部的外周部的周向形成。热源加热多个翅片。流体导入部向多个翅片导入流体。流体喷出部向基板喷出通过多个翅片而被加热了的流体。多个密封构件分别位于翅片的上方和下方。加热机构与下方杯夹着多个密封构件抵接。
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公开(公告)号：CN117059516A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202310489803.7
申请日：2023-05-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 藤田阳
Abstract: 本公开涉及一种基板处理装置和液体接收容器的清洗方法，能够大范围地清洗液体接收容器。基板处理装置具备保持部、加热机构、清洗液供给部、液体接收容器以及控制部。保持部将基板以能够旋转的方式保持。加热机构将保持于保持部的基板进行加热。清洗液供给部向基板供给清洗液。液体接收容器配置于保持部的周围。控制部对各部进行控制。控制部执行加热处理和第一清洗处理。在加热处理中，使用加热机构将保持于保持部的基板进行加热。在第一清洗处理中，从清洗液供给部向旋转的基板供给清洗液，使基板的周缘部产生翘曲并且利用从周缘部飞散的清洗液对液体接收容器的第一区域进行清洗。
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公开(公告)号：CN116210074A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202180061264.6
申请日：2021-07-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 藤田阳
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明要解决的技术问题是，在对周缘部的膜进行液处理时达到期望的处理性能。基片处理装置包括：基片保持部；用于使基片保持部绕旋转轴线旋转的旋转驱动部；和用于向设定在基片周缘部的着液点释放处理液的释放部。释放部包括能够释放相同的处理液的多个喷嘴，其中的一个喷嘴和另一个喷嘴的第一角度θ和第二角度φ中的至少一者彼此不同。定义以从着液点向旋转轴线画的垂线的垂足为中心、以连结所述垂足和着液点的线段为半径、并且位于与旋转轴线正交的平面上的圆，并定义着液点处的所述圆的切线。将连结从处理液释放点向基片正面画的垂线的垂足和着液点的直线与着液点处的所述圆的切线所成的角度定义为第一角度θ，将连结所述垂线的垂足和着液点的直线与连结释放点和着液点的直线所成的角度定义为第二角度φ。
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公开(公告)号：CN108335995A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810035925.8
申请日：2018-01-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 藤田阳
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B3/02 , B08B3/08 , B08B3/10 , B08B2203/0229 , H01L21/02052 , H01L21/02087 , H01L21/67028 , H01L21/02041 , H01L21/6715
Abstract: 提供一种一边高效地对基板进行处理一边有效地对杯内进行清洗的基板处理装置、基板处理方法及计算机可读取的记录介质。基板处理方法包括以下工序：在基板被配置在杯的内侧的状态下，一边使基板绕沿与基板的表面正交的方向延伸的旋转轴以基板的转速在第一转速与同该第一转速不同的第二转速之间变化的方式旋转，一边使安装于杯的冲洗液喷嘴向基板的背面且周缘部供给冲洗液，由此利用供给到背面的冲洗液来对杯中的冲洗液喷嘴的周边区域以及杯中的比周边区域靠外侧的区域这双方进行清洗。
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公开(公告)号：CN112185846B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202010589202.X
申请日：2020-06-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 藤田阳
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种蚀刻装置和蚀刻方法，在通过蚀刻去除基板周缘部的不需要的膜时精密地控制不需要的膜的去除范围。蚀刻装置具备：基板保持部，其保持基板；旋转驱动部，其使基板保持部绕旋转轴线旋转；液喷出部，其朝向被基板保持部保持的基板的周缘部喷出蚀刻液；以及控制部，其构成为至少通过控制旋转驱动部和液喷出部来控制蚀刻装置的动作。控制部构成为：控制通过旋转驱动部旋转的基板的旋转速度、从液喷出部喷出蚀刻液的喷出速度、以及从液喷出部喷出蚀刻液的喷出方向中的至少一方，以使得以即时脱离条件进行基板的蚀刻，即时脱离条件为通过液喷出部喷出的蚀刻液着落于基板的周缘部的着液点之后立即从基板脱离的条件。
