公开(公告)号：CN111181464B

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN202010090457.1

申请日：2020-02-13

申请人： 东南大学

发明人： 阳辉 ,  付方圆 ,  林鹤云 ,  雷家兴

IPC分类号： H02P21/22 ,  H02P27/12 ,  H02P29/028

摘要： 本发明公开了一种基于零序调磁的记忆电机调磁控制方法及系统，方法包括：(1)将记忆电机定子上的绕组采用集成了电枢绕组和调磁绕组功能的集成绕组，将并联的第一逆变器和第二逆变器连接所述集成绕组；(2)在记忆电机正常运行无需调磁时，根据检测到的记忆电机的转子电角度θe、三相电流Iabc、转子转速ωr按照空间矢量调制方式产生开关信号，驱动两个逆变器对记忆电机集成绕组进行矢量控制；(3)在记忆电机需要调磁时，利用SVPWM进行电压调制过程中，根据磁化状态选择器确定输出的零序电流大小，改变零矢量的作用时间产生所需要的调磁电流，实现记忆电机永磁体的调磁。本发明冗余性低，提高了电机的转矩密度。

公开(公告)号：CN111181464A

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN202010090457.1

申请日：2020-02-13

申请人： 东南大学

发明人： 阳辉 ,  付方圆 ,  林鹤云 ,  雷家兴

IPC分类号： H02P21/22 ,  H02P27/12 ,  H02P29/028

摘要： 本发明公开了一种基于零序调磁的记忆电机调磁控制方法及系统，方法包括：(1)将记忆电机定子上的绕组采用集成了电枢绕组和调磁绕组功能的集成绕组，将并联的第一逆变器和第二逆变器连接所述集成绕组；(2)在记忆电机正常运行无需调磁时，根据检测到的记忆电机的转子电角度θe、三相电流Iabc、转子转速ωr按照空间矢量调制方式产生开关信号，驱动两个逆变器对记忆电机集成绕组进行矢量控制；(3)在记忆电机需要调磁时，利用SVPWM进行电压调制过程中，根据磁化状态选择器确定输出的零序电流大小，改变零矢量的作用时间产生所需要的调磁电流，实现记忆电机永磁体的调磁。本发明冗余性低，提高了电机的转矩密度。