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公开(公告)号：CN114598229A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210351852.X
申请日：2022-04-02
摘要： 本发明公开一种用于记忆电机系统的Boost电路升压控制策略，该方法通过控制记忆电机三相逆变器前级的Boost升压电路，保证调磁成功，当接收到调磁指令时，根据调磁电流轨迹、调磁电流指令值以及调磁时间等，计算调磁所需电压Ums，若其小于直流母线电压Udc1，则控制Boost升压电路开关管占空比D为0，即不需要升压；若Ums大于直流母线电压Udc1，则需调节开关管占空比D为1‑Udc1/Ums，保证Boost升压电路的输出电压大于调磁所需电压。本发明方法能够根据调磁需要，自适应地提高Boost电路输出的直流电压，来保证记忆电机运行在高速区时也能有足够的电压完成调磁。
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公开(公告)号：CN116865614A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310367786.X
申请日：2023-04-07
申请人： 东南大学
IPC分类号： H02P21/13 , H02P21/14 , H02P21/05 , H02P21/00 , H02P25/022
摘要： 本发明公开了一种基于磁链观测的记忆电机调磁转速波动抑制方法，涉及电机控制技术领域。本发明公开了一种基于磁链观测的记忆电机调磁转速波动抑制方法，本发明方法在构建磁链观测器时充分考虑了电机参数的动态变化，尤其是调磁时永磁磁链变化，以观测出更准确的定子磁链值，然后根据观测的定子磁链值和电磁转矩方程解耦得到交轴电流的参考值，并且解耦过程中考虑了分母为零而导致的发散问题。该方法能够大大降低调磁引起的转速波动，提高系统的动态性能。
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公开(公告)号：CN114629319B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202210369087.4
申请日：2022-04-08
申请人： 东南大学
摘要： 本发明公开一种双定子混合磁极磁轴偏移电机，包括：外定子、电枢绕组、混合磁极式转子、内定子和转轴。本发明通过弧形钕铁硼永磁体和多层磁障空气槽结构单元对应的永磁直轴与磁阻直轴之间的偏移角以及双定子结构设计，实现了永磁转矩与磁阻转矩分量的分离设计，解决了传统内置式永磁电机永磁体和磁阻设计难以权衡的问题，提升了设计的空间自由度和永磁利用率，进一步提升了电机的转矩密度；利用永磁表面嵌入式结构，解决了传统内置式电机中永磁漏磁严重的问题，提升了电机永磁转矩峰值，提高了永磁利用率。解决了传统内置式永磁电机取得永磁转矩峰值和磁阻转矩峰值时存在的电流角偏差，转矩利用率不高，转矩密度受限以及无法独立设计的问题。
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公开(公告)号：CN116014804B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310176091.3
申请日：2023-02-28
申请人： 东南大学
IPC分类号： H02J3/38 , H02M7/5387
摘要： 本发明公开了一种并网逆变器无参预测电流控制方法，涉及逆变器控制技术领域。本发明包括：采集逆变器母线电压、网侧电流、网侧电压等信息，并计算网侧电压相位角；计算网侧电压、网侧电流的dq轴分量；计算网侧电流dq轴分量参考值；计算网侧电流dq轴分量参考值与实际值之间的误差；计算8个电压矢量对应的网侧电流dq轴分量的误差变化；选取最优电压矢量，将最优电压矢量对应的开关状态作用至逆变器。本方法无需对逆变器进行建模，不考虑逆变器参数，能够提高系统鲁棒性，克服了传统模型预测电流控制对参数敏感的缺陷。
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公开(公告)号：CN116155155A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310160430.9
申请日：2023-02-24
申请人： 东南大学
摘要： 本发明属于记忆电机控制技术领域，公开一种实现恒定开关频率的记忆电机模型预测电流控制方法，包含以下步骤：采集记忆电机转速、转子位置、三相绕组电流、逆变器母线电压；计算绕组电流dq轴分量；计算q轴电流给定值，获得d轴电流给定值；对记忆电机电流预测模型中交直轴电感、永磁磁链更新；从6个非零电压矢量中选择最优值；计算最优非零电压矢量的占空比与零矢量的占空比，获得逆变器三相桥臂开关管控制信号。通过插入零矢量，在每个控制周期中作用一个非零电压矢量与两个零电压矢量的方式提升了系统稳态性能并固定了逆变器开关频率，克服了传统模型预测电流控制依赖精确数学模型、稳态性能差、开关频率不固定等缺陷。
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公开(公告)号：CN116014804A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202310176091.3
申请日：2023-02-28
申请人： 东南大学
IPC分类号： H02J3/38 , H02M7/5387
摘要： 本发明公开了一种并网逆变器无参预测电流控制方法，涉及逆变器控制技术领域。本发明包括：采集逆变器母线电压、网侧电流、网侧电压等信息，并计算网侧电压相位角；计算网侧电压、网侧电流的dq轴分量；计算网侧电流dq轴分量参考值；计算网侧电流dq轴分量参考值与实际值之间的误差；计算8个电压矢量对应的网侧电流dq轴分量的误差变化；选取最优电压矢量，将最优电压矢量对应的开关状态作用至逆变器。本方法无需对逆变器进行建模，不考虑逆变器参数，能够提高系统鲁棒性，克服了传统模型预测电流控制对参数敏感的缺陷。
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公开(公告)号：CN115800846A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211562609.9
申请日：2022-12-07
申请人： 东南大学
摘要： 本发明公开了零序调磁型记忆电机用单电源驱动双逆变器的拓扑结构，涉及记忆电机技术领域。本发明包括第一，二电压源逆变器，所述电路拓扑连接方式为：输入电源直接接到第一电压源逆变器的直流母线上，输入电源或电容器根据运行需求接到第二电压源逆变器的直流母线上，第一，二电压源逆变器的输出同时为零序调磁型记忆电机供电。本发明在零序调磁型记忆电机进行瞬态调磁时向其提供零序电流，真正实现了调磁功能与驱动功能的隔离，同时与传统直流调磁型记忆电机相比无需额外的直流电源，节约了成本；在零序调磁型记忆电机进行稳态运行时切断零序通路，从根本上解决了记忆电机的共性问题，即正常运行时易出现低矫顽力永磁体的磁化和退磁现象。
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公开(公告)号：CN115800668A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211541761.9
申请日：2022-12-02
申请人： 东南大学
IPC分类号： H02K16/02 , H02K1/2798 , H02K1/06
摘要： 本发明公开了一种可变磁通双转子轴向磁场电机，涉及电机技术领域。本发明包括第一永磁转子，所述第一永磁转子的侧壁上设置有定子铁心，所述定子铁心的外表面设置有电枢绕组，所述定子铁心的另一侧设置有第二永磁转子，所述第一永磁转子包括第一永磁体，所述第一永磁体的侧壁上设置有第一转子铁心，所述第二永磁转子包括第二转子铁心，所述第二转子铁心上内嵌有第二永磁体，所述第一永磁体为沿轴向充磁的高矫顽力永磁体，所述第二永磁体为沿切向充磁的低矫顽力永磁体。本发明通过配合采用高、低矫顽力永磁，可实现轴向磁场电机气隙磁密可调，拓宽调速范围，提高全域效率。
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公开(公告)号：CN112671299B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202110043890.4
申请日：2021-01-13
申请人： 东南大学
摘要： 本发明公开了一种记忆电机调磁电流精确控制方法，包括调磁控制模块根据电机的实际角速度ωm，选择合适的磁化状态输出对应的梯形波d轴调磁电流脉冲idpulse进行调磁；设计dq轴前馈电流调节器，输出dq轴前馈补偿电压分量ufd和ufq；设计dq轴自抗扰电流控制器，补偿dq轴扰动电压分量udd和udq；前馈补偿电压与扰动电压分量之和为dq轴参考电压和相比基于PI控制的记忆电机交流调磁技术，本发明提高了电流轨迹的跟踪性能，可以做到无超调地快速跟踪，进而缩短了记忆电机调磁时间，降低转矩波动。
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公开(公告)号：CN111969742B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202010766102.X
申请日：2020-08-03
申请人： 东南大学
摘要： 本发明公开了一种混联磁极型混合永磁记忆电机，包括定子、电枢绕组、混合永磁转子和转轴，电枢绕组设置在定子上，混合永磁转子设置在定子内侧，转轴设置在混合永磁转子内侧，混合永磁转子的周向均匀布设有若干结构形式相同的V型磁极，每一V型磁极均包括呈V型径向对称排布的第一永磁体和第二永磁体，第一永磁体的矫顽力小于第二永磁体的矫顽力，且第一永磁体和第二永磁体均沿切向充磁。本发明可以通过混联磁极结构进一步拓宽转子设计空间，从而提升电机调磁范围，并兼具高转矩密度和强稳磁能力。
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