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公开(公告)号：CN109995254B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201711474042.9
申请日：2017-12-29
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种提高同步整流原边反馈反激式电源动态性能的方法，针对已有的小功率DCM下的动态控制算法存在的不足，尤其是重载切轻载情况下，动态恢复时间过长的缺陷，通过控制变换器原边开关管的关断和副边同步整流管以固定占空比开关，抽取输出端负载电容的能量至原边，使输出电压迅速下降，同时一直以固定的频率对输出电压进行采样，当输出电压降低至额定值时，根据负载大小判断出此时系统对应的跳出高动态模式后的稳态模式，然后系统进入稳态模式。本发明能够将输出电压缩短在2.5ms内，并且系统在离开动态模式进入稳态模式时输出电压纹波很小，显著提高了大功率下反激变换器的动态性能。
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公开(公告)号：CN109995248B
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201711480413.4
申请日：2017-12-29
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 一种提高反激谐振类开关电源输出稳定性的采样方法，通过采样模块采集原边辅助绕组电压Vsense与本周期的模拟形式的反馈电压Vref相比较，Vref Vsense的时间T2，Tr＝T1‑T2，Tr的大小为T1与T2相差的时钟周期，根据Tr的大小，计算当前周期的数字量的误差信号err，调节数字量反馈电压VREF的大小，经数模转换器得到模拟量Vref后，再与辅助绕组的电压信号Vsense相比较，形成闭环负反馈调节反馈电压Vref的值，err和VREF输入到控制模块，控制模块产生占空比控制信号duty调节原边开关管的导通时间与关闭时间，以稳定开关电源的输出。
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公开(公告)号：CN109995254A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201711474042.9
申请日：2017-12-29
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种提高同步整流原边反馈反激式电源动态性能的方法，针对已有的小功率DCM下的动态控制算法存在的不足，尤其是重载切轻载情况下，动态恢复时间过长的缺陷，通过控制变换器原边开关管的关断和副边同步整流管以固定占空比开关，抽取输出端负载电容的能量至原边，使输出电压迅速下降，同时一直以固定的频率对输出电压进行采样，当输出电压降低至额定值时，根据负载大小判断出此时系统对应的跳出高动态模式后的稳态模式，然后系统进入稳态模式。本发明能够将输出电压缩短在2.5ms内，并且系统在离开动态模式进入稳态模式时输出电压纹波很小，显著提高了大功率下反激变换器的动态性能。
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公开(公告)号：CN109995248A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201711480413.4
申请日：2017-12-29
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 一种提高反激谐振类开关电源输出稳定性的采样方法，通过采样模块采集原边辅助绕组电压Vsense与本周期的模拟形式的反馈电压Vref相比较，Vref Vsense的时间T2，Tr＝T1‑T2，Tr的大小为T1与T2相差的时钟周期，根据Tr的大小，计算当前周期的数字量的误差信号err，调节数字量反馈电压VREF的大小，经数模转换器得到模拟量Vref后，再与辅助绕组的电压信号Vsense相比较，形成闭环负反馈调节反馈电压Vref的值，err和VREF输入到控制模块，控制模块产生占空比控制信号duty调节原边开关管的导通时间与关闭时间，以稳定开关电源的输出。
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公开(公告)号：CN106876388A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710137859.0
申请日：2017-03-09
Applicant: 东南大学
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L27/0288 , H01L27/0262 , H01L27/0296
Abstract: 一种用于射频端口静电放电防护的可控硅电路，包括上拉可控硅、下拉可控硅以及第一限流电阻、第二限流电阻、第三限流电阻和第四限流电阻。本发明结合栅接地N型MOS管(GGNMOS)低触发电压和可控硅(SCR)低寄生电容的特点，将Poly多晶硅嵌入可控硅中，从而实现低触发电压和低寄生电容的特性，此外，本发明中的可控硅采用轴对称阱结构并加入限流电阻来增强ESD防护电路的鲁棒性。
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公开(公告)号：CN106876388B
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201710137859.0
申请日：2017-03-09
Applicant: 东南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种用于射频端口静电放电防护的可控硅电路，包括上拉可控硅、下拉可控硅以及第一限流电阻、第二限流电阻、第三限流电阻和第四限流电阻。本发明结合栅接地N型MOS管(GGNMOS)低触发电压和可控硅(SCR)低寄生电容的特点，将Poly多晶硅嵌入可控硅中，从而实现低触发电压和低寄生电容的特性，此外，本发明中的可控硅采用轴对称阱结构并加入限流电阻来增强ESD防护电路的鲁棒性。
