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公开(公告)号:CN119876728A
公开(公告)日:2025-04-25
申请号:CN202411821084.5
申请日:2024-12-11
Applicant: 中国机械总院集团沈阳铸造研究所有限公司
Abstract: 本发明涉及屏蔽材料技术领域,具体而言,涉及一种高熵合金屏蔽材料及其制备方法。高熵合金按照质量百分比计包括22~30wt%Fe、28~40wt%Ni、20~30wt%W、3~10wt%Al和1~3wt%B,以上组分重量百分比之和为100%,其中还包括不可避免的杂质元素,杂质元素的含量均小于1%;高熵合金的基相分布有钨硼相,钨硼相的尺寸为5~20μm;高熵合金的合金体系判据Ω=TmΔSmix/|ΔHmix|>1。本发明采用钨、硼作为主要屏蔽功能元素,不含有易产生诱发放射性的稀土元素,有利于屏蔽工程设计采用。
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公开(公告)号:CN117773157B
公开(公告)日:2024-05-03
申请号:CN202410216762.9
申请日:2024-02-28
Applicant: 中国机械总院集团沈阳铸造研究所有限公司
Abstract: 本发明提供一种4D打印双向智能温控点阵结构及其制备方法,具体涉及点阵金属的增材制造技术领域。4D打印双向智能温控点阵结构包括若干个微孔点阵单胞,微孔点阵单胞阵列和镜像后得到4D打印双向智能温控点阵结构;所述的微孔点阵单胞为截角八面体沿水平方向拉伸获得的点阵单胞或沿水平方向压缩获得的点阵单胞,所述微孔为水平方向拉伸的菱形微孔、水平方向压缩的菱形微孔、水平方向拉伸的正方形微孔或水平方向压缩的正方形微孔中的一种,所述的截角八面体为内部镂空的正八面体截角所得。本发明具有极高的设计自由度,满足智能温控双向点阵结构在航空航天领域的应用要求。
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公开(公告)号:CN119753497A
公开(公告)日:2025-04-04
申请号:CN202411786898.X
申请日:2024-12-06
Applicant: 中国机械总院集团沈阳铸造研究所有限公司
IPC: C22C38/02 , C22C38/04 , C22C38/44 , C22C38/42 , C22C38/48 , C22C38/50 , C22C38/06 , B22F1/00 , B22F1/05 , B22F1/065 , B22F9/08 , B33Y70/10 , B22F10/28 , B22F10/34
Abstract: 本发明涉及增材制造技术领域,具体而言,涉及一种Fe‑Cr‑Mo系阻尼合金粉末及其制备方法和阻尼合金。合金粉末按照重量百分比计包括Cr 15.5~16.5%、Mo 2~3%、Mn 0.3~1.5%,Si 0.3~1.5%、Ni 1~2%、Cu 0.2~0.3%、Nb 0~0.2%、Ti 0~0.2%、Al 0~0.1%、稀土元素0~0.3%,余量为Fe和其他不可避免的杂质元素,杂质元素的含量均小于0.01%,其中Nb、Ti、Al或稀土元素大于0。本发明的Fe‑Cr‑Mo系阻尼合金粉末球形度高,氧含量低,流动性好,在增材制造及减振降噪部件领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号:CN119380683A
公开(公告)日:2025-01-28
申请号:CN202411653562.6
申请日:2024-11-19
Applicant: 吉林大学 , 辽宁材料实验室 , 中国机械总院集团沈阳铸造研究所有限公司
IPC: G10K11/162
Abstract: 本申请公开了一种仿生吸声超结构及制备方法,其中,仿生吸声超结构包括:背板、微穿孔板和仿生承力壁;微穿孔板与背板相对设置;微穿孔板上设有微孔;仿生承力壁,呈螺旋状布置在相邻的两层背板和微穿孔板之间,形成声通道;声通道的入口与微孔连通;声通道的形状为弯折形;其中,仿生承力壁上与微穿孔板连接的一侧为第一连接端;仿生承力壁上与背板连接的一侧为第二连接端;所述第一连接端和第二连接端的形状均为波浪形。本申请将墨鱼骨的非对称波浪形壁的结构应用到仿生吸声超结构的承力壁中,通过设计仿生吸声超结构的形状并优化结构参数,使得仿生吸声超结构在保持低频吸声性能的同时,还具备轻质高强的特性,解决了传统声学超结构的缺陷。
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公开(公告)号:CN118326279A
公开(公告)日:2024-07-12
申请号:CN202410733246.3
申请日:2024-06-07
Applicant: 中国机械总院集团沈阳铸造研究所有限公司
IPC: C22C38/16 , C22C38/14 , C22C38/10 , C22C38/08 , C22C38/04 , C22C38/02 , B22F10/28 , B22F10/366 , B22F10/64 , B33Y10/00 , B33Y40/20 , B33Y70/00 , B33Y80/00
Abstract: 一种增材制造低温近零膨胀因瓦合金及其制备方法,具体涉及金属材料的增材制造技术领域。原材料按重量百分比包含以下化学成分:铜:0.35%~0.42%、钴:4.2%~4.7%、锰:0.15%~0.25%、钛:0.5%~1.2%,镍:30.5%~32.0%、碳:≤0.01%、硅:≤0.1%,余量为铁和不可避免的杂质;所述增材制造低温近零膨胀因瓦合金在‑170℃~0℃平均热膨胀系数≤0.4×10‑6 K‑1,且在‑170℃~0℃温度区间内,增材制造低温近零膨胀因瓦合金不会发生不可逆相变。所述制备方法制备的增材制造低温近零膨胀因瓦合金热膨胀系数稳定、低温宽温域、近零膨胀。
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公开(公告)号:CN115870516A
公开(公告)日:2023-03-31
申请号:CN202310145709.X
申请日:2023-02-22
Applicant: 中国机械总院集团沈阳铸造研究所有限公司
Abstract: 本发明提供了一种基于增材制造的三维点阵超结构及其应用,属于点阵金属的增材制造技术领域。该三维点阵超结构是由内凹型单胞横向拓展为二维平面后纵向叠层拓展而成,采用具有小截面非连续扫描特征的选区激光熔化增材制造工艺结合逐层多次扫描、变换扫描策略的工艺方法,实现了以TRIP钢为基体的三维点阵超结构的有效制备。本发明制备的三维点阵超结构在具备负泊松比特性的同时具有优异的力学性能,在承载过程中具有光滑的应力应变曲线和明显的塑形屈服平台。本发明聚焦航空航天等高端装备对缓冲吸能设备的迫切需求,实现了三维点阵超结构的创新设计,为点阵金属在航空航天缓冲吸能设备的有效应用奠定了坚实的基础。
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公开(公告)号:CN118326279B
公开(公告)日:2024-08-30
申请号:CN202410733246.3
申请日:2024-06-07
Applicant: 中国机械总院集团沈阳铸造研究所有限公司
IPC: C22C38/16 , C22C38/14 , C22C38/10 , C22C38/08 , C22C38/04 , C22C38/02 , B22F10/28 , B22F10/366 , B22F10/64 , B33Y10/00 , B33Y40/20 , B33Y70/00 , B33Y80/00
Abstract: 一种增材制造低温近零膨胀因瓦合金及其制备方法,具体涉及金属材料的增材制造技术领域。原材料按重量百分比包含以下化学成分:铜:0.35%~0.42%、钴:4.2%~4.7%、锰:0.15%~0.25%、钛:0.5%~1.2%,镍:30.5%~32.0%、碳:≤0.01%、硅:≤0.1%,余量为铁和不可避免的杂质;所述增材制造低温近零膨胀因瓦合金在‑170℃~0℃平均热膨胀系数≤0.4×10‑6 K‑1,且在‑170℃~0℃温度区间内,增材制造低温近零膨胀因瓦合金不会发生不可逆相变。所述制备方法制备的增材制造低温近零膨胀因瓦合金热膨胀系数稳定、低温宽温域、近零膨胀。
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公开(公告)号:CN116021036A
公开(公告)日:2023-04-28
申请号:CN202310293117.2
申请日:2023-03-24
Applicant: 中国机械总院集团沈阳铸造研究所有限公司
Abstract: 一种基于4D打印的智能温控点阵结构及其应用,属于点阵金属的增材制造技术领域,所述点阵结构由点阵金属和储液仓组成,点阵金属为十四面壳体六孔连通点阵胞元拓展而成的整体密闭结构,储液仓与点阵金属相连通;点阵结构制备方法为:首先采用三维设计软件对点阵结构进行孔型结构工艺适应性设计,建立点阵结构的三维模型;然后对三维模型进行切片化处理,采用高体能量密度、低激光功率、低扫描速度为特征的选区激光熔化增材制造工艺制备点阵结构;再对所得点阵结构进行固溶处理;最后在常温条件下,灌注冷却液进入储液仓后将点阵金属开口冷压闭合。所得点阵结构具有点阵金属开口智能开合、预设响应温度可调控、质量轻、密度小、可设计性强的特点。
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公开(公告)号:CN116535211B
公开(公告)日:2024-11-08
申请号:CN202310262704.5
申请日:2023-03-17
Applicant: 中国机械总院集团沈阳铸造研究所有限公司
IPC: C04B35/50 , C04B35/495 , C04B35/622 , G21F1/06
Abstract: 本发明公开了一种致密的辐射防护陶瓷及其制备方法,涉及辐射防护材料领域,所述陶瓷以氧化硼、氧化锂、氧化钨和稀土氧化物为原料制成,所述稀土氧化物为氧化钐、氧化钆、氧化铕之一种或几种的组合。传统防护材料存在毒性、耐温能力不足、需要与基体材料或支撑结构组合等问题,造成屏蔽体体积和重量增加。本发明利用高温固相反应制粉,通过无压烧结工艺制备屏蔽陶瓷块体,可获得理论密度在90%以上的致密陶瓷屏蔽体。所得材料可用于医疗辐射源、工业辐射源、核反应堆、乏燃料贮运容器等中子、γ射线防护领域。
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公开(公告)号:CN118180409B
公开(公告)日:2024-08-06
申请号:CN202410513784.1
申请日:2024-04-26
Applicant: 中国机械总院集团沈阳铸造研究所有限公司
Abstract: 本发明提供一种增材制造超轻因瓦合金点阵结构及其制备方法和应用,具体涉及点阵金属的增材制造技术领域。该增材制造超轻因瓦合金点阵结构由三维点阵单胞拓展而成,三维点阵单胞由平面菱形结构旋转变换而来,平面菱形结构的一个锐角与空间Z轴夹角成45°且平面菱形结构在空间XZ平面内对称分布;以平面菱形结构的上述锐角顶点为原点,平面菱形结构沿空间X轴先分别旋转‑90°、90°、180°,再沿空间Z轴分别旋转‑90°、90°、180°,获得32棱柱点阵单胞,将32棱柱点阵单胞沿横纵方向拓展获得增材制造超轻因瓦合金点阵结构。此结构轻量化程度高、热膨胀系数低,拓宽了点阵金属在航空航天领域的应用范围。