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公开(公告)号:CN116105881A
公开(公告)日:2023-05-12
申请号:CN202211567655.8
申请日:2022-12-07
申请人: 中国电力科学研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网上海市电力公司
摘要: 本发明属于传感器领域,公开了一种温度传感器及温度检测方法,包括第一基板和第二基板;第一基板的一侧上设置若干第一电极,第二基板的一侧上设置若干第二电极;第一基板和第二基板之间设置若干温度敏感组,温度敏感组包括P型温度敏感半导体热电材料单元和N型温度敏感半导体热电材料单元;各第一电极、各第二电极以及各温度敏感组,重复第一电极、P型温度敏感半导体热电材料单元、第二电极以及N型温度敏感半导体热电材料单元的顺序并依次串联连接形成温度感应单元。通过单温度传感器实现双面温度测试,相较于现有温度传感器需要多通道电路集成以测试双面温度的方式,极大地提升了温度传感器集成度,拓宽了温度传感器的应用场景。
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公开(公告)号:CN112374890A
公开(公告)日:2021-02-19
申请号:CN202011295844.5
申请日:2020-11-18
申请人: 中国电力科学研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网上海市电力公司
IPC分类号: C04B35/547 , C04B35/622 , C04B35/626
摘要: 一种具有纳米层状晶粒结构BiAgSeS基块体热电材料及制备方法,具体步骤为:以Bi粉、Ag粉、Se粉、S粉等为原料,按物质的量比1:1:1:1混合得到反应物;将反应物发生热爆合成反应,得到BiAgSeS化合物;将BiAgSeS化合物研磨成粉,进行等离子活化烧结,得到具有纳米层状晶粒的BiAgSeS基块体热电材料。本发明采用热爆合成结合等离子活化烧结工艺,在30min内制备出ZT达到0.46(550℃时)的BiAgSeS基块体热电材料,具有制备时间短、能耗低、工艺简单、对设备要求低、重复性好、适宜规模化生产等优点。
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公开(公告)号:CN113219283A
公开(公告)日:2021-08-06
申请号:CN202110491147.5
申请日:2021-05-06
申请人: 国网上海市电力公司 , 中国电力科学研究院有限公司 , 国家电网有限公司
摘要: 本发明提供一种微型热电器件发电性能测试系统及测试方法,系统包括:真空腔体;真空泵,用于对真空腔体抽真空;温控平台,置于真空腔体内,包括分别用于微型热电器件上、下基板的温度控制的热端平台和冷端平台,热端平台和冷端平台间的距离可调;温控平台控制端,用于控制温控平台的调节参数;循环水系统,用于对热端平台和冷端平台进行换热及精确控温;多功能数据采集仪,用于多通道采集微型热电器件的输出电压、电流及上、下基板的温度;电子负载,用于程序化调节微型热电器件的外接电阻值;显示器,用于实时显示微型热电器件输出的各项参数。本发明用于解决传统测试方法难以满足微型热电器件发电性能测试要求的问题。
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公开(公告)号:CN117677264A
公开(公告)日:2024-03-08
申请号:CN202311525473.9
申请日:2023-11-16
申请人: 武汉理工大学 , 中国电力科学研究院有限公司 , 国网北京市电力公司
IPC分类号: H10N10/01 , H10N10/852 , H10N10/853
摘要: 本发明的主要目的在于提供一种p型Bi2Te3基材料中位错阵列的调控方法,包括如下步骤:将p型Bi2Te3基粉体材料与低熔点第二相粉体混合均匀,然后在真空条件下,进行加压烧结,得到具有位错阵列的p型Bi2Te3基材料。本发明通过向p型Bi2Te3基粉体材料中加入少量低熔点第二相粉体,在烧结过程中,第二相形成液相并不断在晶界部位析出,并促进在所得p型Bi2Te3基材料中形成位错阵列。本发明所得多晶p型Bi2Te3基材料中的位错呈高密度状态的阵列分布,具有高的织构和低的晶格热导率,同时由于位错的规律分布,可兼具优异的力学性能,可为p型Bi2Te3基材料热电性能和力学性能的协同优化提供一种新思路。
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公开(公告)号:CN117677265A
公开(公告)日:2024-03-08
申请号:CN202311525476.2
申请日:2023-11-16
申请人: 武汉理工大学 , 中国电力科学研究院有限公司 , 国网北京市电力公司
IPC分类号: H10N10/01 , H10N10/852 , H10N10/853
摘要: 本发明公开了一种具有层错阵列结构的n型Bi2Te3基材料的制备方法,包括如下步骤:将n型Bi2Te3基粉体材料与Ag基化合物助剂混合均匀,然后在真空条件下进行加压烧结。本发明向n型Bi2Te3基材料中引入Ag基化合物助剂,通过助剂分解并进入层间诱导产生层错,烧结后形成的层错呈高密度状态阵列分布,可有效散射中频声子,优化材料的热电性能;同时形成的层错阵列可导致较高的极限剪切强度,提升其力学性能;可为n型Bi2Te3基材料的结构设计及性能调控提供一种新思路。
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