一种制备石墨烯的方法
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102627274B

    公开(公告)日:2013-11-06

    申请号:CN201210120753.7

    申请日:2012-04-23

    CPC classification number: C23C16/26 B82Y30/00 B82Y40/00 C01B32/186 C01B32/188

    Abstract: 本发明属于无机化合物技术领域,尤其涉及一种以CBr4为源材料利用分子束外延(MBE)或者化学气相沉淀(CVD)等方法直接制备石墨烯的方法。一种制备石墨烯的方法,包括如下步骤:选取适当的材料作为衬底;在衬底表面直接沉积催化剂和CBr4;对沉积所得的样品进行退火处理。相比于其他技术,本发明方法的创新点是可以定量可控地在任意基底上沉积催化剂和CBr4源,催化剂和CBr4源在基底表面发生反应而形成石墨烯。这样可以极大限度地减弱石墨烯生长对基底材料的依赖性,人们可以根据不同的应用背景选择不同的基底材料。

    一种外腔激光器及其调谐方法

    公开(公告)号:CN108832481A

    公开(公告)日:2018-11-16

    申请号:CN201810503699.1

    申请日:2018-05-23

    CPC classification number: H01S5/141 H01S5/143

    Abstract: 本发明提供一种外腔激光器,其沿一光轴依次排布有半导体光增益芯片、准直透镜和一维平面光栅,半导体光增益芯片的一个腔面与一维平面光栅共同组成光学谐振腔,所述一维平面光栅设置为在一维平面光栅所在平面内进行平移,其与一一维驱动机构连接。本发明还提供了该外腔激光器的调谐方法。本发明的外腔激光器利用平移一维平面光栅实现调谐功能,一维平动可以利用压电陶瓷或马达进行驱动,简便易行,结构简单、易于设计和实现;而且一维平动仅仅产生相位变化,外腔结构中比如光程等物理量将保持不变,可以有效提高外腔激光器的调谐精度。

    原位测量源炉中源材料质量的方法

    公开(公告)号:CN101311298A

    公开(公告)日:2008-11-26

    申请号:CN200810035437.3

    申请日:2008-04-01

    Inventor: 龚谦 王海龙

    Abstract: 本发明提供一种分子束外延(MBE)技术中原位测量束源炉中源材料质量的便捷方法,其特征在于具体步骤是:测量出束源炉升温时的时间——功率曲线;测量出束源炉降温时的时间——功率曲线;根据时间——功率曲线上的波动计算源炉中源材料发生相变时吸收或放出的热量值;根据源材料发生相变时吸收或放出的热量值以及源材料的相变热(熔化热)计算出源材料的质量。本发明利用分子束外延设备源炉中源材料在加热熔化和降温凝固过程中时间——功率曲线会出现相应波动的实验现象,通过分析计算时功——线波动对应的输入热量(能量)差值,从而得到束源炉坩埚中源材料的质量。本发明提供的测量方法对MBE技术在实际中的应用具有重要的意义。

    束源炉中源材料熔化时对应热偶温度的测量方法

    公开(公告)号:CN101311299B

    公开(公告)日:2010-11-17

    申请号:CN200810035446.2

    申请日:2008-04-01

    Abstract: 本发明提供一种分子束外延(MBE)技术中测量束源炉中源材料熔化时对应源炉热偶温度的测量方法。其特征在于测定步骤是测量出束源炉升温时的热偶温度—功率曲线;测量出束源炉降温时的热偶温度—功率曲线;将升温时和的热偶温度—功率曲线上源材料开始熔化的对应温度和降温时的热偶温度、功率曲线上源材料开始凝固的对应温度进行比较,从而得出源材料熔化时对应束源炉中热偶的温度。本发明是利用分子束外延设备源炉中源材料在加热熔化和降温凝固过程中功率曲线在熔化与凝固温度附近会出现相应波动的实验现象,通过分析比较波动出现的位置精确定出束源炉中源材料熔化时对应的束源炉中热偶温度数值。所提供的测定方法对MBE技术在实际中的应用具有重要的意义。

    束源炉中源材料熔化时对应热偶温度的测量方法

    公开(公告)号:CN101311299A

    公开(公告)日:2008-11-26

    申请号:CN200810035446.2

    申请日:2008-04-01

    Abstract: 本发明提供一种分子束外延(MBE)技术中测量束源炉中源材料熔化时对应源炉热偶温度的测量方法。其特征在于测定步骤是测量出束源炉升温时的热偶温度——功率曲线;测量出束源炉降温时的热偶温度——功率曲线;将升温时和的热偶温度——功率曲线上源材料开始熔化的对应温度和降温时的热偶温度、功率曲线上源材料开始凝固的对应温度进行比较,从而得出源材料熔化时对应束源炉中热偶的温度。本发明是利用分子束外延设备源炉中源材料在加热熔化和降温凝固过程中功率曲线在熔化与凝固温度附近会出现相应波动的实验现象,通过分析比较波动出现的位置精确定出束源炉中源材料熔化时对应的束源炉中热偶温度数值。所提供的测定方法对MBE技术在实际中的应用具有重要的意义。

    一种制备石墨烯的方法
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102627274A

    公开(公告)日:2012-08-08

    申请号:CN201210120753.7

    申请日:2012-04-23

    CPC classification number: C23C16/26 B82Y30/00 B82Y40/00 C01B32/186 C01B32/188

    Abstract: 本发明属于无机化合物技术领域,尤其涉及一种以CBr4为源材料利用分子束外延(MBE)或者化学气相沉淀(CVD)等方法直接制备石墨烯的方法。一种制备石墨烯的方法,包括如下步骤:选取适当的材料作为衬底;在衬底表面直接沉积催化剂和CBr4;对沉积所得的样品进行退火处理。相比于其他技术,本发明方法的创新点是可以定量可控地在任意基底上沉积催化剂和CBr4源,催化剂和CBr4源在基底表面发生反应而形成石墨烯。这样可以极大限度地减弱石墨烯生长对基底材料的依赖性,人们可以根据不同的应用背景选择不同的基底材料。

    原位测量源炉中源材料质量的方法

    公开(公告)号:CN101311298B

    公开(公告)日:2010-09-29

    申请号:CN200810035437.3

    申请日:2008-04-01

    Inventor: 龚谦 王海龙

    Abstract: 本发明提供一种分子束外延(MBE)技术中原位测量束源炉中源材料质量的便捷方法,其特征在于具体步骤是:测量出束源炉升温时的时间─功率曲线;测量出束源炉降温时的时间─功率曲线;根据时间─功率曲线上的波动计算源炉中源材料发生相变时吸收或放出的热量值;根据源材料发生相变时吸收或放出的热量值以及源材料的相变热(熔化热)计算出源材料的质量。本发明利用分子束外延设备源炉中源材料在加热熔化和降温凝固过程中时间─功率曲线会出现相应波动的实验现象,通过分析计算时间─功率曲线波动对应的输入热量(能量)差值,从而得到束源炉坩埚中源材料的质量。本发明提供的测量方法对MBE技术在实际中的应用具有重要的意义。

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