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公开(公告)号：CN113666364A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110988599.4
申请日：2021-08-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B32/186 , C01B32/194 , C01B21/064
Abstract: 本发明提供一种石墨烯连续膜的干法转移方法，采用CVD工艺生长出高质量且大面积连续的石墨烯层，并使用hBN层作为中间层对石墨烯层进行O3加UV光处理，以在两者形成的异质结外围产生缺陷环，最后基于该缺陷环及结合PVA/PDMS载玻片实现对异质结下的石墨烯层的拾取，得到完整且连续的石墨烯层；另外，hBN层作为中间层在实现石墨烯层完成且连续拾取的同时，还可以用作顶栅的栅介质层或石墨烯的保护层，使其免受后续加工过程中各种有机物、聚合物及空气掺杂的影响，使其在CVD石墨烯的射频器件等领域具有潜在的应用价值。
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公开(公告)号：CN111763923A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010622448.2
申请日：2020-06-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种二维材料层制备后转移方法，包括：在衬底表面形成二维材料层，在该二维材料层上旋凃高分子涂层；将衬底腐蚀掉，再将腐蚀掉衬底的二维材料层放置于目标基体上，然后置于加热板上加热，除去高分子涂层。该方法可以简单、高效、稳定地将大尺寸石墨烯完整地转移到目标基体上。
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公开(公告)号：CN113666364B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202110988599.4
申请日：2021-08-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B32/186 , C01B32/194 , C01B21/064
Abstract: 本发明提供一种石墨烯连续膜的干法转移方法，采用CVD工艺生长出高质量且大面积连续的石墨烯层，并使用hBN层作为中间层对石墨烯层进行O3加UV光处理，以在两者形成的异质结外围产生缺陷环，最后基于该缺陷环及结合PVA/PDMS载玻片实现对异质结下的石墨烯层的拾取，得到完整且连续的石墨烯层；另外，hBN层作为中间层在实现石墨烯层完成且连续拾取的同时，还可以用作顶栅的栅介质层或石墨烯的保护层，使其免受后续加工过程中各种有机物、聚合物及空气掺杂的影响，使其在CVD石墨烯的射频器件等领域具有潜在的应用价值。
