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公开(公告)号：CN116224347A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310392795.4
申请日：2023-04-13
申请人： 中国科学院半导体研究所
摘要： 本发明提供一种混合集成相控阵激光雷达芯片，包括：SOI衬底；多个III‑V族半导体激光器；以及，多组相控阵激光雷达芯片；其中，各相控阵激光雷达芯片均包括：模斑变换器，与III‑V族半导体激光器连接；分束器组，与模斑变换器连接，用于将输入的光信号分为多束光信号；移相器组，与分束器组连接，包括多个子移相器，上述多束光信号中的每一束光信号接入到一个子移相器；以及，光栅天线，用于合束各子移相器传递的光信号并向外发射；多组相控阵激光雷达芯片和多个III‑V族半导体激光器沿预设方向设置于SOI衬底上。
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公开(公告)号：CN115995759B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310282675.9
申请日：2023-03-22
申请人： 中国科学院半导体研究所
摘要： 本发明提供了一种多波长激光器，应用于半导体技术领域，该多波长激光器包括至少一个激光器阵列单元，所述激光器阵列单元包括SOI结构和III‑V族半导体激光器结构，SOI结构包括硅衬底、BOX层和顶硅层，所述顶硅层中刻蚀有硅波导结构，所述硅波导结构的侧向刻蚀有REC氮化硅介质光栅，III‑V族半导体激光器结构包括N型InP层、多量子阱MQWs层、P型InP层、III‑V族脊波导、P面金属电极和N面金属电极，其中，所述硅波导结构与所述III‑V族脊波导沿同一方向对准。本发明还提供了一种多波长激光器的制作方法，制备工艺简单、各通道波长易精确控制。
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公开(公告)号：CN116231447A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310507453.2
申请日：2023-05-08
申请人： 中国科学院半导体研究所
摘要： 本发明提供一种基于光子晶体面发射半导体激光器的集成光源及硅光芯片，涉及硅基光子学技术领域，包括：激光器阵列结构，包括阵列排布的光子晶体面发射半导体激光器；光子晶体面发射半导体激光器包括：多层结构的外延层和光子晶体，多层结构的外延层位于多层结构的外延层内或者贯穿部分多层结构的外延层，其中，光子晶体用于对多层结构的外延层内产生的光场的分布和传输进行调控，以产生不同波长的激光。该集成光源及硅光芯片解决了现有的混合集成光源的方式存在耦合对准容差小、工艺复杂、不能大阵列、大规模集成、耦合效率低等问题。
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公开(公告)号：CN115995759A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202310282675.9
申请日：2023-03-22
申请人： 中国科学院半导体研究所
摘要： 本发明提供了一种多波长激光器，应用于半导体技术领域，该多波长激光器包括至少一个激光器阵列单元，所述激光器阵列单元包括SOI结构和III‑V族半导体激光器结构，SOI结构包括硅衬底、BOX层和顶硅层，所述顶硅层中刻蚀有硅波导结构，所述硅波导结构的侧向刻蚀有REC氮化硅介质光栅，III‑V族半导体激光器结构包括N型InP层、多量子阱MQWs层、P型InP层、III‑V族脊波导、P面金属电极和N面金属电极，其中，所述硅波导结构与所述III‑V族脊波导沿同一方向对准。本发明还提供了一种多波长激光器的制作方法，制备工艺简单、各通道波长易精确控制。
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