-
公开(公告)号:CN117855049A
公开(公告)日:2024-04-09
申请号:CN202410145119.1
申请日:2024-02-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/428 , H01L21/465 , H01L23/367 , H01L21/02
Abstract: 提供了一种氧化镓衬底及其制备方法,所述方法包括以下步骤:按照激光烧蚀版图,采用激光烧蚀法在所述初始氧化镓衬底表面加工出第一沟槽;对所述第一沟槽进行湿法化学腐蚀修复得到第二沟槽;以及在所述第二沟槽内填充导热层,以形成具有导热层的氧化镓衬底。通过激光刻蚀加工方法填充高导热材料,得到的具有导热层的氧化镓衬底结构简单,散热性能优异。
-
公开(公告)号:CN113410374A
公开(公告)日:2021-09-17
申请号:CN202110671506.5
申请日:2021-06-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及一种混色LED器件,属于LED封装技术领域,该混色LED器件包括:外壳,用于充当反射层和基板的作用;至少一个发光元件,安装在所述外壳的内表面;匀光元件,安装在所述外壳的内部,用于充当匀光作用和出光面的作用。
-
公开(公告)号:CN113299814A
公开(公告)日:2021-08-24
申请号:CN202110555160.2
申请日:2021-05-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种LED陶瓷封装基板,包括:陶瓷基板,具有内焊盘;第一金属镀层,覆盖于所述陶瓷基板的LED芯片安装侧,且与所述内焊盘连接,所述第一金属镀层用于连接所述LED芯片并为所述LED芯片供电;以及第二金属镀层,覆盖于所述第一金属镀层上,所述第二金属镀层用于反射所述LED芯片发出的光。可实现能提供高稳定性的强光反射,提供了LED与基板之间的电学接触;可提供稳定的电互连的陶瓷基板,提高了与LED芯片良好的电连接的同时提高光提取效率。本公开还提供了一种用于制备LED陶瓷封装基板的LED陶瓷封装基板制备方法。
-
公开(公告)号:CN110290635A
公开(公告)日:2019-09-27
申请号:CN201910681460.8
申请日:2019-07-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H05K1/02
Abstract: 本发明提供了一种低热阻电路板,包括一个电路排布面和一个散热面,其特征在于散热面为非平面结构,如波浪型、半球型、翅片型、辐射线型或者其他非平面结构。所述散热面上可做出热管结构,所述热管中可通入导电液体。所述散热面与所述低热阻电路板一体成型。所述低热阻电路板可为柔性电路板或者硬性电路板。
-
公开(公告)号:CN110260268A
公开(公告)日:2019-09-20
申请号:CN201910552034.4
申请日:2019-06-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: F21V7/05 , F21V7/24 , F21K9/20 , F21Y115/10
Abstract: 一种匀光照明模组及其应用,该匀光照明模组包括:外壳,其内壁具有漫反射表面特性且内底面具有镜面反射表面特性;发光元件,其安装在外壳内部,用于提供光源;匀光元件,其安装在外壳内部,用于匀化光源;出光面,其设置在外壳顶部,用于输出光源。本发明结构简单,制作难度和成本低,且匀光模组总的高度低于10mm,在较小的厚度和体积下实现了较高质量的近场匀光。
-
公开(公告)号:CN104465485B
公开(公告)日:2017-11-14
申请号:CN201410730418.8
申请日:2014-12-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/70
Abstract: 本发明公开了一种制备小间距LED全彩显示阵列的方法,包括:在透明面板正面的四周边缘制备金属电极,所述金属电极包括行金属电极和列金属电极;将正装LED芯片直接固晶到透明面板正面的中间区域,排成阵列;通过打金线方式连接每行芯片的P电极,并与透明面板边缘的行金属电极相连;通过打金线方式连接每列芯片的N电极,与透明面板边缘的列金属电极相连;在透明面板正面进行封胶保护,形成封装胶,并在封装胶表面制作反射镜。本发明由于不需要电绝缘层,因此小间距LED全彩显示阵列的成品率增加,坏点(不亮芯片)减少;制备小间距LED全彩显示阵列的工艺步骤大大简化,提高了生产效率,降低了成本。
-
公开(公告)号:CN104143593B
公开(公告)日:2017-04-12
申请号:CN201410337635.0
申请日:2014-07-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供了一种在SiC衬底上形成有导光层的GaN基LED的制造方法,包括下列步骤:在SiC衬底上生长LED外延片;制备出P面具有反射金属膜的外延片,与新的衬底键合,形成倒装结构的LED外延片;采用机械研磨工艺将SiC衬底减薄;在SiC衬底表面形成一层厚导光层,由此得到具有导光层的SiC衬底的GaN基LED。本发明简单可靠、易于实现,可显著提高SiC衬底LED器件的发光效率。
-
公开(公告)号:CN104183586B
公开(公告)日:2017-04-05
申请号:CN201410442830.X
申请日:2014-09-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L25/075 , H01L33/48 , G09F9/33
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种垂直结构发光二极管全彩阵列的制作方法,其包括如下步骤:步骤1:在一基板上制作用于连接发光二极管阵列的电路和用于焊接发光二极管的金属凸点;其中,所述发光二极管阵列在所述基板上由多个最小单元组合而成,每个最小单元中制作有三个金属凸点和一个公共焊点,所述三个金属凸点分别由三条平行的电路引出,所述公共焊点由于所述三条平行的电路垂直的一条电路引出;步骤2:将垂直结构发光芯片的第二电极固定在基板的相应金属凸点上,形成电连接;步骤3:将垂直结构芯片的第一电极通过固定在基板上的公共焊点上,形成电连接;步骤4:在垂直结构芯片上方整面涂胶,将发光二极管阵列整体封装在基板上。
-
公开(公告)号:CN104332134B
公开(公告)日:2016-08-10
申请号:CN201410578351.0
申请日:2014-10-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G09G3/32
Abstract: 本发明公开了一种LED显示模组系统,其包括;驱动模块,其用于驱动光源模块;光源模块,其包括中介层和固定在中介层上的LED阵列,所述LED阵列在驱动模块的驱动下发光;光学模块,其包括集光元件和透镜组,用于对光源模块发出的光进行聚光、分光后输出至显示模块;显示模块,其包括光学隔离腔和成像屏幕,所述光学隔离腔形成在成像屏幕上,其内填充有荧光转换材料;所述成像屏幕上的每个像素包括多个光学隔离腔,所述荧光转换材料在光的照射下进行全彩显示。
-
公开(公告)号:CN105575956A
公开(公告)日:2016-05-11
申请号:CN201511029139.X
申请日:2015-12-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L25/075 , H01L33/62
CPC classification number: H01L25/0753 , H01L33/62 , H01L2933/0066
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片集成封装模块和封装方法。所述封装模块包括:多组发光单元、第一线路基板、第二线路基板和封装材料;所述多组发光单元集成在第一线路基板上,所述第一线路基板和第二线路基板上包括调整线路和金属球阵列,第一线路基板上的金属球阵列为不规则金属阵列,第二线路基板上的金属球阵列为规则阵列;所述第二线路基板利用其上的调整线路将所述第一线路基板上不规则金属球阵列重置至第二线路基板底部的规则金属球阵列上;所述封装材料用于封装所述多组发光单元、第一线路基板和第二线路基板。