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公开(公告)号：CN102456630B
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201010527576.5
申请日：2010-10-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
CPC classification number: H01L2224/11 , H01L2924/14 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明公开了一种制备微电子器件凸点多组分钎料层的方法。该方法中，微电子器件的基底上具有金属柱凸点，包括：在金属柱凸点上电镀主组分钎料层；在主组分钎料层上沉积微组分层；在预设温度下对微电子器件进行回流，促使微组分层溶入主组分钎料层，从而在金属柱凸点上形成多组分钎料层。本发明简化了制备微电子器件凸点多组分钎料层的工艺。
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公开(公告)号：CN102208362B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201110113880.X
申请日：2011-05-04
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种穿透硅通孔背部连接端的制备方法，包括：从半导体衬底背面减薄该半导体衬底，使预先在该半导体衬底中制备的穿透硅通孔从该半导体衬底背面露出；化学机械抛光所述半导体衬底背面，使所述穿透硅通孔背部表面低于所述半导体衬底背部表面；在所述穿透硅通孔背部表面形成辅助金属层，所述辅助金属层与填充所述穿透硅通孔的主金属在穿透硅通孔背部表面形成金属叠层结构；刻蚀所述半导体衬底背面，使所述金属叠层结构凸出于所述半导体衬底背部表面，形成穿透硅通孔的背部连接端。本发明利用化学机械抛光工艺的凹陷效应，以免掩模、低温制备的方式，在穿透硅通孔背部表面叠加辅助金属层，提高了使用穿透硅通孔实现多层微电子芯片堆叠集成的可实施性和成品率。
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公开(公告)号：CN102364671A
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN201110343866.9
申请日：2011-11-03
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Inventor： 宋崇申
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种制造硅通孔的方法。该方法包括：在芯片中至少一层互连层中预定义掩模孔；以第一掩模版为掩模，刻蚀互连层上方的芯片表面介质层，该第一掩模版包括：在水平面的投影上包覆掩模孔的预设图形；以预定义掩模孔的互连层为掩模，刻蚀掩模孔位置下方的芯片表面介质层和衬底，获得阶梯形孔；在阶梯形孔中沉积绝缘层，该绝缘层覆盖阶梯形孔的开口表面及侧壁；刻蚀阶梯形孔开口表面位置上方的绝缘层；在阶梯形孔中进行导电材料填充。本发明提供的制造硅通孔方法仅需一张掩模版即可实现穿透硅通孔制造并实现其与芯片上已有互连层的电连接，工艺简单，成本低，而且能够实现较高的穿透硅通孔密度。
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公开(公告)号：CN102800636B
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201210311618.0
申请日：2012-08-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
CPC classification number: H01L21/568 , H01L2224/04105 , H01L2224/16225 , H01L2224/19 , H01L2224/2518 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73259 , H01L2224/73267 , H01L2224/92224 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种电子元件封装体结构，包括位于封装体内部的耦合在一起的热电制冷单元和有源元件。所述热电制冷单元包括串联连接的至少一个N型制冷元件和至少一个P型制冷元件。相应地，还提供了两种该电子元件封装体结构的制作方法。通过将单个或者多个热电制冷单元串联埋入到多层封装基板中，为有源元件埋入技术提供了有效的散热。解决了三维系统封装，特别是有源器件埋入封装技术中热量无法带出的问题，增加了芯片的散热性能。
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公开(公告)号：CN102157442B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201110055243.1
申请日：2011-03-08
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种形成微电子芯片间互连的方法，包括：第一次化学机械抛光，使所述主金属结构表面低于介质层结构表面；在所述微电子芯片表面沉积辅助金属层，在所述主金属结构位置该辅助金属层与所述主金属结构形成金属叠层结构；第二次化学机械抛光，去除所述介质层结构表面的辅助金属层；刻蚀所述介质层结构，使所述金属叠层结构接近或凸出于所述微电子芯片表面，形成待键合基片；将两块所述待键合基片表面对准，实施键合工艺，形成微电子芯片间互连。本发明利用化学机械抛光工艺的凹陷效应，以免掩模的方式，在主金属结构顶端叠加辅助金属层，降低键合工艺对温度、压力和表面平坦度的要求，提高了芯片间互连制造的可实施性和成品率。
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公开(公告)号：CN102856278A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210345771.5
申请日：2012-09-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/48 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种转接板结构，包括衬底、贯穿所述衬底的电学互连通孔和热电制冷单元。其中热电制冷单元包括交替串联连接的至少一个N型热电元件和至少一个P型热电元件。N型热电元件和P型热电元件分别为N型热电材料和P型热电材料构成的电学互连通孔，其由衬底的相对的第一表面和第二表面上的图形化的导电材料层串联。电学互连通孔也由N型热电材料构成或者由P型热电材料构成。相应地，还提供了一种该转接板结构的制造方法。这种同时实现通孔电互连和热电制冷的转接板结构和方法，互连线间距短，体积小，集成度高，工艺简单，散热效率可控，可解决三维多芯片堆叠结构互连和散热，特别是封装体局部热量集中的问题。
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公开(公告)号：CN102800636A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210311618.0
申请日：2012-08-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
CPC classification number: H01L21/568 , H01L2224/04105 , H01L2224/16225 , H01L2224/19 , H01L2224/2518 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73259 , H01L2224/73267 , H01L2224/92224 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种电子元件封装体结构，包括位于封装体内部的耦合在一起的热电制冷单元和有源元件。所述热电制冷单元包括串联连接的至少一个N型制冷元件和至少一个P型制冷元件。相应地，还提供了两种该电子元件封装体结构的制作方法。通过将单个或者多个热电制冷单元串联埋入到多层封装基板中，为有源元件埋入技术提供了有效的散热。解决了三维系统封装，特别是有源器件埋入封装技术中热量无法带出的问题，增加了芯片的散热性能。
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公开(公告)号：CN102386129A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110233186.1
申请日：2011-08-15
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Inventor： 宋崇申
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76898
Abstract: 本发明公开了一种同时制备垂直导通孔和第一层再布线层的方法，包括：在半导体衬底表面制作介质层；对所述介质层进行图形化刻蚀；对所述图形化刻蚀掉所述介质层而没有所述介质层覆盖区域的半导体衬底进行图形化刻蚀，以在所述半导体衬底上的形成孔或槽结构；在所述半导体衬底表面沉积绝缘层；实施导电材料填充工艺，使导电材料填充所述半导体衬底上的孔或槽结构；对所述半导体衬底进行平坦化处理，同时获得垂直导通孔和第一层再布线层。使用本发明提供的方法能够缩减工艺步骤、降低工艺成本，并提供工艺优化的更多自由度，保证最终产品的性能。
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公开(公告)号：CN102208363A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201110123312.8
申请日：2011-05-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Inventor： 宋崇申
IPC: H01L21/768 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种形成穿透硅通孔的方法，属于半导体制造、微电子封装和三维集成技术领域。所述方法包括在硅衬底正面刻蚀环形槽的步骤；对所述环形槽进行热氧化处理的步骤；在所述硅衬底正面制作电互连层的步骤；从所述硅衬底背面减薄所述硅衬底的步骤；刻蚀所述被氧化硅层封闭的环形槽内部的硅衬底，使其被全部移除，在所述环形槽内侧形成深孔的步骤；向所述深孔中填充导电材料，形成穿透硅通孔的步骤。使用本发明提供的方法能够获得同时使用高质量厚氧化硅层、金属作为侧壁隔离和导电填充材料的穿透硅通孔，提高穿透硅通孔的可靠性和电学性能。
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公开(公告)号：CN102208362A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201110113880.X
申请日：2011-05-04
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种穿透硅通孔背部连接端的制备方法，包括：从半导体衬底背面减薄该半导体衬底，使预先在该半导体衬底中制备的穿透硅通孔从该半导体衬底背面露出；化学机械抛光所述半导体衬底背面，使所述穿透硅通孔背部表面低于所述半导体衬底背部表面；在所述穿透硅通孔背部表面形成辅助金属层，所述辅助金属层与填充所述穿透硅通孔的主金属在穿透硅通孔背部表面形成金属叠层结构；刻蚀所述半导体衬底背面，使所述金属叠层结构凸出于所述半导体衬底背部表面，形成穿透硅通孔的背部连接端。本发明利用化学机械抛光工艺的凹陷效应，以免掩模、低温制备的方式，在穿透硅通孔背部表面叠加辅助金属层，提高了使用穿透硅通孔实现多层微电子芯片堆叠集成的可实施性和成品率。
