公开(公告)号：CN118571928A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202410749518.9

申请日：2024-06-11

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 张青竹 ,  蒋任婕 ,  桑冠荞 ,  曹磊 ,  李恋恋 ,  张渼菏

IPC分类号： H01L29/775 ,  H01L21/335 ,  H01L29/417 ,  H01L29/06

摘要： 本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、电子设备，该半导体器件包括衬底、沟道层堆栈部、环绕式栅极、源漏功能部和侧墙结构，沟道层堆栈部形成于衬底一侧，包括沿衬底的厚度方向排列的多个沟道层，沟道层的长度方向垂直于衬底的厚度方向，沟道层包括沿长度方向排列的第一端、中间段和第二端；环绕式栅极环绕中间段；侧墙结构，包括第一侧墙和第二侧墙，第一侧墙位于相邻沟道层的第一端之间以及相邻沟道层的第二端之间，第一侧墙包括空腔；第二侧墙位于沟道层堆栈部背离衬底一侧，且沿长度方向位于环绕式栅极两侧，第一侧墙的材质的介电常数高于第二侧墙的材质的介电常数。本申请提供的半导体器件可实现寄生电容与驱动性能的兼顾。