公开(公告)号：CN115295538A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202210950215.4

申请日：2022-08-09

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 施村成 ,  李恋恋 ,  都安彦

IPC分类号： H01L23/64 ,  H01L49/02

摘要： 本发明涉及一种MIM电容及其制备方法。一种MIM电容，其包括：半导体衬底；所述半导体衬底上设有至少一条沟槽，所述沟槽的边缘呈棘状突出结构；所述沟槽内部由下至上依次填充有第一导电层、介质层、第二导电层和金属填充层，并且所述第一导电层覆盖所述沟槽的所有底表面。本发明没有类似传统平面MIM电容需要经历刻蚀的问题，也不会产生应力而导致的分层隆起问题，还可以根据需要进行电容量扩展，提高集成度。