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公开(公告)号：CN114975232A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110206308.1
申请日：2021-02-24
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 本申请公开了一种半导体器件的金属布线，包括：在基板上并排排列的多条金属线图案，多条金属线图案包括用于传输控制信号的第一金属线和用于传输电源信号的第二金属线；在第一金属线之间的空余区域、第一金属线与第二金属线之间的空余区域均设置有齿状虚设金属图案；在第二金属线之间的空余区域设置有条状虚设金属图案。本申请考虑金属线图案传输的信号类型，进而对金属线图案周围的虚设金属图案形状进行多样化配置，由于齿状虚设金属图案能够减少与第一金属线之间的相邻面，因此可减少金属线和虚设金属图案之间的信号串扰，同时还可以加强周围使用的电源信号；针对用于传输电源信号的金属线之间的空余区域仍配置版图设计及制备工艺简单的条状虚设金属图案。
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公开(公告)号：CN115050403A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202110255576.2
申请日：2021-03-09
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC分类号： G11C11/4074
摘要： 本发明公开了一种电源控制装置及其控制方法，包括：第一延时模块、第二延时模块、与非门、第一非门至第三非门、输入端和输出端；输入端通过第一非门与第一延时模块的输入和第二延时模块的输入电连接；第一延时模块的输出与与非门的一个输入电连接，第二延时模块的输出通过第二非门与与非门的另一个输入电连接；与非门的输出通过第三非门与输出端电连接；输入端用于与存储器的刷新控制端电连接，输出端用于与存储器的电源装置电连接，以控制电源装置的启动与关闭。在刷新控制端与电源装置之间通过增设电源控制装置，以在自刷新动作周期内，只有一部分时间内电源装置提供电源，在实际不执行自刷新动作的另一部分时间内电源装置关闭，减少电流消耗。
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公开(公告)号：CN115036299A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202110250082.5
申请日：2021-03-08
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
摘要： 半导体结构及电子设备。本申请公开了一种存储器芯片，包括硅通孔以及堆叠在一起的若干裸片，每一裸片内均包含存储区域、控制区域和压焊点，硅通孔贯穿每一裸片的压焊点从而连接所有裸片的压焊点。本申请实施例的存储器芯片不需要额外设置控制芯片，所以制造相同容量的存储器芯片，本申请实施例的存储器芯片中的裸片数量要比现有技术的存储器芯片中的裸片数量少一个，这样厚度就比现有技术的存储器芯片更薄，具有工艺步骤操作简单，成本低的优点。
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公开(公告)号：CN114446335A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202011218188.9
申请日：2020-11-04
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC分类号： G11C5/06
摘要： 本申请公开了一种堆叠式存储器及其存储裸片的重置方法，包括：多个存储裸片；每一存储裸片设置有重置电路，具有独立的熔断信息，所述熔断信息是将存储裸片中设置的多组熔丝中的一组熔丝，按照一种熔断排列组合方式熔断获得，存储裸片所使用的熔断排列组合方式是根据堆叠式存储器制造过程依序确定的；每一存储裸片由包含熔断信息的信号单独选择和控制。也即，本申请堆叠式存储器中的存储裸片可以沿水平方向来区分选择和控制，通过在每一存储裸片中设置重置电路，在需要将存储裸片取下来重复利用时，可通过重置电路重置其上的熔断信息，使得存储裸片中剩余未被使用的熔丝组可以被使用，从而达到存储裸片能够被再次使用的目的，提高了芯片的活用性。
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公开(公告)号：CN114628382A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202011435924.6
申请日：2020-12-10
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
摘要： 本申请公开了一种用于防止图案歪曲的半导体装置及其形成方法，半导体装置包括：位于中心区域的多个依次排列的条型图案、位于中心区域的两个相对边缘的虚设图案，条型图案与虚设图案的形成条件均相同，每个条型图案的两端分别与各自对应的第一金属电连接，每个虚设图案的两端分别与各自对应的第二金属电连接，且第二金属用于连接电源；条型图案和虚设图案属于半导体装置的第一膜层，第一金属和第二金属属于半导体装置的第二膜层。由于第二金属与虚设图案一起作为一个半导体结构接入电源，为电源导入阱偏置电压，其效果不仅仅能减少条型图案的歪曲现象，还能为电源导入阱偏置电压，进而通过灵活运用虚设图案可以为半导体集成度的发展提供便利条件。
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公开(公告)号：CN114446334A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202011218164.3
申请日：2020-11-04
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC分类号： G11C5/06
摘要： 本申请公开了一种堆叠式存储器及其制造方法，包括：多个存储裸片，每一存储裸片具有独立的熔断信息，熔断信息是将存储裸片中设置的预设数量的熔丝，按照熔丝的熔断排列组合方式熔断获得，每一存储裸片中预设数量熔丝的熔断排列组合方式是根据堆叠式存储器制造过程依序确定的；每一存储裸片可由包含熔断信息的信号单独选择和控制。本申请在去除逻辑裸片的基础上，在堆叠式存储器制造过程中，依序为每一存储裸片确定一种熔断排列组合方式，以获得一个独立的熔断信息，从而每一存储裸片可由包含熔断信息的信号单独选择和控制，从而每一存储裸片上也就不需要硅通孔来区分存储分区，进而可以达到减少硅通孔、节省成本的效果。
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