适用于真空器件的金属零件处理装置及处理方法

    公开(公告)号:CN115305473B

    公开(公告)日:2024-02-23

    申请号:CN202210841936.1

    申请日:2022-07-18

    Abstract: 本公开提供了一种适用于真空器件的金属零件处理装置和处理方法,处理装置包括:密封腔室,设置有抽气口;旋转托盘,转动设置在密封腔室内,旋转托盘用于承载待处理的金属零件;电子枪,设置在密封腔室内,电子枪设置在旋转托盘的斜上方,电子枪朝向旋转托盘,电子枪用于发出电子束以对金属零件进行轰击处理;真空泵,与抽气口连接;以及磁场线圈,套设在密封腔室外侧,磁场线圈用于提供磁场以改变电子束的直径。通过旋转托盘能够使得金属零件的各个侧面均匀的被电子束轰击,提高了金属零件的去气效果,降低了金属零件的出气量,配合磁场线圈

    一种测试阴极耐电子轰击能力的装置及方法

    公开(公告)号:CN112798650A

    公开(公告)日:2021-05-14

    申请号:CN202011643244.3

    申请日:2020-12-30

    Abstract: 本公开提供一种测试阴极耐电子轰击能力的装置,包括:待测阴极;电子束阴极,用于提供持续轰击待测阴极的电子束,并在测试过程中接收待测阴极发射的电子所形成的发射电流;阳极,接收电子束阴极发射的电子所形成的阳极电流;测试电源单元,为所述的测试阴极耐电子轰击能力的装置供电;以及电流监测部件,用于监测所述发射电流的强度,根据所述发射电流的强度随时间的变化,从而能够得到所述待测阴极的耐电子轰击能力。

    一种光电阴极及其制备方法

    公开(公告)号:CN112420467A

    公开(公告)日:2021-02-26

    申请号:CN202011316694.1

    申请日:2020-11-20

    Abstract: 本发明提供了一种光电阴极及其制备方法,该光电阴极包括:光电阴极基体,锑碱金属化合物,光电阴极基体的表面为经过离子束轰击表面改性处理后的;锑碱金属化合物,制备在光电阴极基体的表面上。该制备方法包括:在光电阴极基体表面实施离子束轰击表面改性处理,得到离子束轰击表面改性处理后的光电阴极基体;利用第一加热体将离子束轰击表面改性处理后的光电阴极基体加热至预设温度;利用第二加热体加热锑源使锑蒸汽蒸发至离子束轰击表面改性处理后的光电阴极基体的表面,形成锑膜;利用第二加热体加热碱金属源,使碱金属蒸汽蒸发至离子束轰击表面改性处理后的光电阴极基体的表面,与锑膜发生反应,生成锑碱金属化合物,完成光电阴极的制备。

    适用于真空器件的金属零件处理装置及处理方法

    公开(公告)号:CN115305473A

    公开(公告)日:2022-11-08

    申请号:CN202210841936.1

    申请日:2022-07-18

    Abstract: 本公开提供了一种适用于真空器件的金属零件处理装置和处理方法,处理装置包括:密封腔室,设置有抽气口;旋转托盘,转动设置在密封腔室内,旋转托盘用于承载待处理的金属零件;电子枪,设置在密封腔室内,电子枪设置在旋转托盘的斜上方,电子枪朝向旋转托盘,电子枪用于发出电子束以对金属零件进行轰击处理;真空泵,与抽气口连接;以及磁场线圈,套设在密封腔室外侧,磁场线圈用于提供磁场以改变电子束的直径。通过旋转托盘能够使得金属零件的各个侧面均匀的被电子束轰击,提高了金属零件的去气效果,降低了金属零件的出气量,配合磁场线圈能够提高电子束的利用率,缩短了去气的时间。

    一种光电阴极及其制备方法

    公开(公告)号:CN112420467B

    公开(公告)日:2024-07-02

    申请号:CN202011316694.1

    申请日:2020-11-20

    Abstract: 本发明提供了一种光电阴极及其制备方法,该光电阴极包括:光电阴极基体,锑碱金属化合物,光电阴极基体的表面为经过离子束轰击表面改性处理后的;锑碱金属化合物,制备在光电阴极基体的表面上。该制备方法包括:在光电阴极基体表面实施离子束轰击表面改性处理,得到离子束轰击表面改性处理后的光电阴极基体;利用第一加热体将离子束轰击表面改性处理后的光电阴极基体加热至预设温度;利用第二加热体加热锑源使锑蒸汽蒸发至离子束轰击表面改性处理后的光电阴极基体的表面,形成锑膜;利用第二加热体加热碱金属源,使碱金属蒸汽蒸发至离子束轰击表面改性处理后的光电阴极基体的表面,与锑膜发生反应,生成锑碱金属化合物,完成光电阴极的制备。

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