公开(公告)号：CN117516741A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202210892302.9

申请日：2022-07-27

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 余开浩 ,  万露红 ,  叶好华

IPC: G01K7/16 ,  H01L23/544

Abstract: 一种热电阻器件结构及其热电阻获取方法，其中，热电阻器件结构包括：衬底；位于所述衬底上的若干栅极结构；位于所述衬底上若干电连接结构，各电连接结构位于相邻两个栅极结构之间，且各电连接结构的两端分别与相邻两个栅极结构电连接；与至少部分栅极结构的至少一端电连接的若干栅极连接结构；与部分栅极结构一端电连接的电压连接结构。对于多栅极的场效应晶体管，所述热电阻器件结构及其热电阻获取方法提升了晶体管的热电阻测量的准确性。

公开(公告)号：CN117936509A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202211247504.4

申请日：2022-10-12

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 王晓东 ,  王西宁 ,  钱蔚宏 ,  吴轶超 ,  万露红

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/64 ,  H10N97/00

Abstract: 一种电容结构，所述第一电极结构、所述第一极板、所述中间绝缘层、所述第二极板和所述第二电极结构依次层叠于所述衬底上，也就是说，位于所述中间绝缘层下方的第一极板通过更下方的第一电极结构与外部电路相连，即所述第一极板和所述第一电极结构位于所述中间绝缘层的同一侧，所述第一电极结构和所述第一极板之间的连接面积充裕，能够有效降低连接电阻，有利于品质因数Q值的提高。

公开(公告)号：CN117524898A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202210894040.X

申请日：2022-07-27

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 余开浩 ,  万露红 ,  叶好华 ,  胡梅丽 ,  朱辰东

IPC: H01L21/66 ,  H01L23/544 ,  G01K7/16

Abstract: 一种热效应器件结构、热效应器件结构的形成方法以及热电阻获取方法，其中，热效应器件结构包括：衬底，所述衬底包括第一器件区；位于所述第一器件区上的第一栅极结构，所述第一栅极结构包括P型晶体管功函数层；位于所述第一栅极结构两侧的第一源漏区，所述第一源漏区内具有N型掺杂离子或P型掺杂离子。所述热效应器件结构、热效应器件结构的形成方法以及热电阻获取方法提升了晶体管的热电阻测量的准确性。

公开(公告)号：CN117393545A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202210763567.9

申请日：2022-06-30

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 王晓东 ,  钱蔚宏 ,  王西宁 ,  万露红

IPC: H01L23/64 ,  H01L23/522 ,  H10N97/00

Abstract: 一种电容器及其形成方法，其中电容器包括：衬底；位于衬底上的第一电极层；位于第一电极层上的介电层；位于介电层上若干相互分立的第二电极层；位于第一电极层上的第一引线结构，第一引线结构沿竖直方向贯穿介电层与第一电极层连接，且第一引线结构包围若干第二电极层；位于每个第二电极层上的第二引线结构，每个第二引线结构与对应的第二电极层连接；位于第一引线结构和第二引线结构上的第三引线结构，第三引线结构与若干第二引线结构连接。通过并联形式连接第一电极层以及若干第二电极层，使得流经第一电极层和第二电极层的电阻降低，使得电容器的品质因数增加。另外无需额外增加第一电极层的面积，进而不会使得器件结构的集成度降低。