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公开(公告)号：CN100538383C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200610024311.7
申请日：2006-03-02
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Abstract: 本发明的仿真方法在仿真系统中添加补偿电阻网络，拟合仿真曲线与实测曲线。补偿电阻的值与实测系统中外部寄生电阻值相当，使得外部寄生电阻的分压作用被加入仿真模型中，仿真过程中施加在栅极上的电压更接近实测时施加在MOS晶体管栅极上的电压，因此得到的栅极电压-漏极电流仿真曲线更接近于实测曲线。
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公开(公告)号：CN100468731C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200610024666.6
申请日：2006-03-14
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L27/00 , H01L27/02 , H01L27/06 , H01L27/102 , H01L27/108 , H01L29/92
Abstract: 本发明公开了一种半导体叠层电容器，其特征在于包括：在半导体器件上形成的至少一层金属层；填充在所述金属层之间电介质层；所述金属层之间具有至少一个金属互连孔。本发明的半导体叠层电容器相对于MIM电容器减少了一次掩膜工艺，从而大大降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN101770966A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200810205261.1
申请日：2008-12-31
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 一种随机静态存储器中晶体管的测试结构，包括半导体衬底、第一堆叠栅与第二堆叠栅、第一至第四掺杂区域、介质层以及第一、第二和第三接触电极，所述第二接触电极与第二堆叠栅之间不相互连接。本发明的优点在于，除了缩短第二接触电极的长度，使其不与第二堆叠栅连接之外，并未对实际电路的设计结构进行改动，仍然保留了其余的掺杂区域和堆叠栅，在降低漏电电流的同时，可以尽量避免由于测试结构同实际电路的设计结构差别过大而导致测试结果不具有参考价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101770966B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200810205261.1
申请日：2008-12-31
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 一种随机静态存储器中晶体管的测试结构，包括半导体衬底、第一堆叠栅与第二堆叠栅、第一至第四掺杂区域、介质层以及第一、第二和第三接触电极，所述第二接触电极与第二堆叠栅之间不相互连接。本发明的优点在于，除了缩短第二接触电极的长度，使其不与第二堆叠栅连接之外，并未对实际电路的设计结构进行改动，仍然保留了其余的掺杂区域和堆叠栅，在降低漏电电流的同时，可以尽量避免由于测试结构同实际电路的设计结构差别过大而导致测试结果不具有参考价值。
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公开(公告)号：CN101029916A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200610024311.7
申请日：2006-03-02
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Abstract: 本发明的仿真方法在仿真系统中添加补偿电阻网络，拟合仿真曲线与实测曲线。补偿电阻的值与实测系统中外部寄生电阻值相当，使得外部寄生电阻的分压作用被加入仿真模型中，仿真过程中施加在栅极上的电压更接近实测时施加在MOS晶体管栅极上的电压，因此得到的栅极电压－漏极电流仿真曲线更接近于实测曲线。
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公开(公告)号：CN102194691A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201010118016.4
申请日：2010-03-03
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Inventor： 何佳
IPC: H01L21/336 , G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种多栅结构MOSFET模型的建模方法，所述方法包括：测量多栅结构MOSFET元件的SA、SB和SD参数，所述SA和SB分别为所述MOSFET元件两侧边缘分别到与其相邻最近的栅之间的距离，所述SD为相邻两根栅之间的距离；根据所述SA、SB、SD参数获取等效模型参数，根据所述等效模型参数建立所述多栅结构MOSFET模型。本发明的多栅结构MOSFET模型的建模方法可以正确建立多栅结构MOSFET模型，提高多栅结构MOSFET模型的仿真结果与实际MOSFET元件的电路参数的一致性。
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公开(公告)号：CN102194691B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201010118016.4
申请日：2010-03-03
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
Inventor： 何佳
IPC: H01L21/336 , G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种多栅结构MOSFET模型的建模方法，所述方法包括：测量多栅结构MOSFET元件的SA、SB和SD参数，所述SA和SB分别为所述MOSFET元件两侧边缘分别到与其相邻最近的栅之间的距离，所述SD为相邻两根栅之间的距离；根据所述SA、SB、SD参数获取等效模型参数，根据所述等效模型参数建立所述多栅结构MOSFET模型。本发明的多栅结构MOSFET模型的建模方法可以正确建立多栅结构MOSFET模型，提高多栅结构MOSFET模型的仿真结果与实际MOSFET元件的电路参数的一致性。
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公开(公告)号：CN101373203A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200710045074.7
申请日：2007-08-21
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明揭示了一种环形振荡器速度测试结构，一小尺寸输出电路直接连接于环形振荡器电路，输出振荡器波形，其中，小尺寸输出电路的寄生电容足够小，使得环形振荡器电路的输出能够直接驱动小尺寸输出电路。采用本发明的技术方案，使用较小的输出电路，这样寄生电容也较小，使得环形振荡器电路的输出能够直接驱动输出电路，省去了缓存的使用，也不必再对环形振荡器电路的输出波形进行放大，有效提高了测试结果的准确性。
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