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公开(公告)号：CN103522188A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201210225955.8
申请日：2012-07-02
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: B24B53/017 , B24B37/00
Abstract: 本发明公开了一种研磨垫整理方法，在对晶圆进行研磨时，研磨盘下压对研磨垫进行整理，在研磨完一片晶圆后至开始进行下一片晶圆研磨之前的过程中，研磨盘以零压力停留在研磨垫上。还公开了一种用于如上所述的研磨垫整理方法中的研磨垫整理器，包括研磨盘和驱动轴，所述驱动轴驱动所述研磨盘转动。还公开了一种研磨机台，包括研磨垫，还包括如上述的研磨垫整理器，所述研磨垫整理器设置于所述研磨垫上。研磨盘可以在研磨批次晶圆的整个过程中始终停留在研磨垫上，而无需返回到清洗区域，避免了研磨盘进行反复的上行和下移运动，一方面，可以避免研磨盘碰伤晶圆，另外一方面，可以避免因碰擦其他部件而产生的颗粒物质污染晶圆。
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公开(公告)号：CN101446768A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200710171089.8
申请日：2007-11-27
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Abstract: 一种零层对准标记的制作方法，包括：提供依次带有垫氧化层、腐蚀阻挡层和光刻胶层的半导体衬底；在光刻胶层上定义出零层对准标记图形和浅沟槽图形；以光刻胶层为掩膜，刻蚀腐蚀阻挡层、垫氧化层和半导体衬底，形成零层对准标记沟槽和浅沟槽；去除光刻胶层后，在零层对准标记沟槽和浅沟槽内壁形成衬氧化层；在零层对准标记沟槽和浅沟槽内填充满绝缘介质层，形成零层对准标记和浅沟槽隔离结构；去除腐蚀阻挡层。本发明还提供一种零层对准标记，简化了工艺步骤。
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公开(公告)号：CN101330036A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200710042344.9
申请日：2007-06-21
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明公开的一种浅沟槽隔离结构的制造方法，包括：提供一半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成垫氧化层和垫氮化层；刻蚀所述垫氧化层、垫氮化层和半导体衬底形成沟槽；在所述沟槽和衬底表面沉积第一介质层；执行第一热退火步骤；在所述第一介质层表面沉积第二介质层；执行第二热退火步骤；研磨所述第一介质层和第二介质层至所述垫氮化层；移除所述垫氮化层和垫氧化层。本发明的STI隔离结构及其制造方法能够实现高深宽比STI隔离沟槽的无空隙和无缺陷填充。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101330035B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200710042155.1
申请日：2007-06-18
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明公开了一种浅沟槽隔离结构的制造方法，包括：提供一半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成垫氧化层和垫氮化层；刻蚀所述垫氧化层、垫氮化层和半导体衬底形成沟槽；以第一高密度等离子化学气相淀积工艺在所述沟槽和衬底表面沉积第一介质层；进行高温热退火并通入氧气，从而在所述第一介质层表面形成氧化硅层；以第二高密度等离子化学气相淀积工艺在所述氧化硅层表面沉积第二介质层；快速热退火；研磨所述第一介质层和第二介质层至所述垫氮化层；移除所述垫氮化层和垫氧化层。本发明的STI隔离结构及其制造方法能够实现高深宽比STI隔离沟槽的无空隙和无缺陷填充。
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公开(公告)号：CN101458443A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200710094458.8
申请日：2007-12-13
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Abstract: 一种光掩模版制作方法，包括：将布局对准标记图案写入光掩模版上，形成掩模版对准标记图案；将布局半导体器件图案写入所述光掩模版上，形成与所述掩模版对准标记图案相邻的掩模版半导体器件图案。本发明还提供一种光掩模版和图形化的方法。本发明将掩模版半导体器件图案和掩模版对准标记图案做在同一光掩模版上，在晶圆半导体器件区域将光掩模版上掩模版半导体器件图案与之对准并曝光，在晶圆对准标记区域将光掩模版上的掩模版对准标记图案与之对准并曝光。简化了光刻步骤，节省了工艺时间及光掩模版材料。
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公开(公告)号：CN101330035A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200710042155.1
申请日：2007-06-18
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明公开了一种浅沟槽隔离结构的制造方法，包括：提供一半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成垫氧化层和垫氮化层；刻蚀所述垫氧化层、垫氮化层和半导体衬底形成沟槽；以第一高密度等离子化学气相淀积工艺在所述沟槽和衬底表面沉积第一介质层；进行高温热退火并通入氧气，从而在所述第一介质层表面形成氧化硅层；以第二高密度等离子化学气相淀积工艺在所述氧化硅层表面沉积第二介质层；快速热退火；研磨所述第一介质层和第二介质层至所述垫氮化层；移除所述垫氮化层和垫氧化层。本发明的STI隔离结构及其制造方法能够实现高深宽比STI隔离沟槽的无空隙和无缺陷填充。
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公开(公告)号：CN103522188B
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201210225955.8
申请日：2012-07-02
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: B24B53/017 , B24B37/00
Abstract: 本发明公开了一种研磨垫整理方法，在对晶圆进行研磨时，研磨盘下压对研磨垫进行整理，在研磨完一片晶圆后至开始进行下一片晶圆研磨之前的过程中，研磨盘以零压力停留在研磨垫上。还公开了一种用于如上所述的研磨垫整理方法中的研磨垫整理器，包括研磨盘和驱动轴，所述驱动轴驱动所述研磨盘转动。还公开了一种研磨机台，包括研磨垫，还包括如上述的研磨垫整理器，所述研磨垫整理器设置于所述研磨垫上。研磨盘可以在研磨批次晶圆的整个过程中始终停留在研磨垫上，而无需返回到清洗区域，避免了研磨盘进行反复的上行和下移运动，一方面，可以避免研磨盘碰伤晶圆，另外一方面，可以避免因碰擦其他部件而产生的颗粒物质污染晶圆。
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公开(公告)号：CN100576491C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200710042344.9
申请日：2007-06-21
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明公开的一种浅沟槽隔离结构的制造方法，包括：提供一半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成垫氧化层和垫氮化层；刻蚀所述垫氧化层、垫氮化层和半导体衬底形成沟槽；在所述沟槽和衬底表面沉积第一介质层；执行第一热退火步骤；在所述第一介质层表面沉积第二介质层；执行第二热退火步骤；研磨所述第一介质层和第二介质层至所述垫氮化层；移除所述垫氮化层和垫氧化层。本发明的STI隔离结构及其制造方法能够实现高深宽比STI隔离沟槽的无空隙和无缺陷填充。
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