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公开(公告)号：CN105990429A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510086614.0
申请日：2015-02-17
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/16 , H01L21/336
摘要： 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述半导体器件，包括：半导体衬底；后部栅极，位于所述半导体衬底上；第一栅极介电层，位于所述后部栅极上；沟道层，位于所述第一栅极介电层上，其中所述沟道层包括至少一层硅烯；第二栅极介电层，位于所述沟道层上；前部栅极，位于所述第二栅极介电层上。在所述半导体器件中所述硅烯具有单层二维蜂窝状网格结构，和石墨烯类似的结构和性质，由于所述硅烯极薄因此制备得到的硅烯场效应晶体管尺寸更小，具有更短的沟道长度以及更高速度，避免遭遇短沟道效用的不利影响。
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公开(公告)号：CN103065997B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201110319207.1
申请日：2011-10-19
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人： 徐依协
IPC分类号： H01L21/673
CPC分类号： H01L21/6833 , H01L21/67288
摘要： 一种晶圆承载设备及晶圆承载的方法，其中晶圆承载设备包括：静电卡盘，所述静电卡盘具有若干区域；能量供给单元，所述能量供给单元独立控制所述静电卡盘若干区域施加能量；控制单元，所述控制单元用于控制所述能量供给单元，使得所述能量供给单元向对应的区域施加能量或停止施加能量，且所述控制单元独立地控制每一所述能量供给单元施加或停止施加能量。本发明的晶圆承载设备及晶圆承载的方法能够改善承载晶圆的表面平坦度和降低卡紧或放松放松晶圆时颗粒污染的风险。
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公开(公告)号：CN103296005A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201210046598.9
申请日：2012-02-27
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L23/525
CPC分类号： H01L2224/16145 , H01L2224/16225
摘要： 本发明提供用于硅芯片间互连的冗余互连结构，包括：多个主互连通道，其下端连接到通过焊点与焊球连接的所述硅芯片下表面的焊盘，上端连接到与所述硅芯片上表面的焊盘连接的金属互连线；多个冗余互连通道，所述多个冗余互连通道中的每个形成于所述多个主互连通道中的每个的旁边；多个反熔丝元件，所述多个反熔丝元件中的每个形成于所述多个主互连通道中的每个的上端与所述多个冗余互连通道中的每个的上端之间的所述金属互连线中；多个熔丝元件，所述多个熔丝元件中的每个形成于所述多个主互连通道中的每个的下端与连接所述硅芯片下表面的焊盘和所述焊球的焊点之间的所述焊盘中。根据本发明，可以简化电路结构，更好地与现有半导体制造工艺相兼容。
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公开(公告)号：CN103065997A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201110319207.1
申请日：2011-10-19
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人： 徐依协
IPC分类号： H01L21/673
CPC分类号： H01L21/6833 , H01L21/67288
摘要： 一种晶圆承载设备及晶圆承载的方法，其中晶圆承载设备包括：静电卡盘，所述静电卡盘具有若干区域；能量供给单元，所述能量供给单元独立控制所述静电卡盘若干区域施加能量；控制单元，所述控制单元用于控制所述能量供给单元，使得所述能量供给单元向对应的区域施加能量或停止施加能量，且所述控制单元独立地控制每一所述能量供给单元施加或停止施加能量。本发明的晶圆承载设备及晶圆承载的方法能够改善承载晶圆的表面平坦度和降低卡紧或放松放松晶圆时颗粒污染的风险。
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公开(公告)号：CN106505004B
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201510564059.8
申请日：2015-09-07
摘要： 本发明提供一种检测晶圆中铁(Fe)含量异常的装置及其方法，包括晶圆承载台、注入腔体、光照腔体、热处理腔体和少子寿命测量腔体，晶圆可以在各个腔体之间进行传递。本发明中，在基准晶圆和待测晶圆表面形成第一掺杂层和第二掺杂层，掺杂离子与Fe离子在光照下形成第一复合体和第二复合体，使晶圆的少子寿命降低，对晶圆进行热处理之后，第一复合体和第二复合体分解，晶圆的少子寿命又恢复为初始值。因此，通过测量不同时刻晶圆的少子寿命，将待测晶圆与基准晶圆的少子寿命下降的数值进行对比，从而判断待测晶圆中铁含量是否异常。此外，铁含量越高，形成的第一复合体和第二复合体越多，晶圆的少子寿命越小，半定量得出不同晶圆之间铁含量的差异。
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公开(公告)号：CN103811347B
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201210454774.2
申请日：2012-11-13
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/265
摘要： 一种晶体管的形成方法，包括：提供具有栅极结构的半导体衬底；在栅极结构两侧的半导体衬底内形成开口；在所述开口内形成第一应力层；对所述第一应力层进行离子注入；形成填充满所述开口的第二应力层。本发明的晶体管形成方法形成的晶体管性能佳。
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公开(公告)号：CN106505004A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201510564059.8
申请日：2015-09-07
CPC分类号： H01L22/12 , H01L21/67242
摘要： 本发明提供一种检测晶圆中铁(Fe)含量异常的装置及其方法，包括晶圆承载台、注入腔体、光照腔体、热处理腔体和少子寿命测量腔体，晶圆可以在各个腔体之间进行传递。本发明中，在基准晶圆和待测晶圆表面形成第一掺杂层和第二掺杂层，掺杂离子与Fe离子在光照下形成第一复合体和第二复合体，使晶圆的少子寿命降低，对晶圆进行热处理之后，第一复合体和第二复合体分解，晶圆的少子寿命又恢复为初始值。因此，通过测量不同时刻晶圆的少子寿命，将待测晶圆与基准晶圆的少子寿命下降的数值进行对比，从而判断待测晶圆中铁含量是否异常。此外，铁含量越高，形成的第一复合体和第二复合体越多，晶圆的少子寿命越小，半定量得出不同晶圆之间铁含量的差异。
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公开(公告)号：CN103779220B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201210406252.5
申请日：2012-10-22
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/7853
摘要： 一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，所述形成方法包括：形成鳍部结构后，在所述鳍部结构顶部表面形成第一凹槽，所述第一凹槽侧壁的鳍部结构形成第一鳍部；在所述第一凹槽底部表面形成第二凹槽，所述第二凹槽侧壁的鳍部结构形成第二鳍部；将所述第一鳍部、第二鳍部的顶角变成圆弧形。由于所述鳍部结构的顶部表面被刻蚀形成若干个第一鳍部和第二鳍部，使得最终形成的鳍部结构的表面积远远大于现有的剖面形状为矩形的鳍部的表面积，有利于提高鳍式场效应晶体管的沟道区面积，从而有利于提高驱动电流。且所述第一鳍部、第二鳍部的顶角变成圆弧形，能有效地避免部分沟道区的电流过大导致器件过热。
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公开(公告)号：CN103378030B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201210115869.1
申请日：2012-04-18
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人： 徐依协
IPC分类号： H01L23/48
CPC分类号： H01L23/481 , H01L23/522 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 一种硅通孔结构，包括：衬底；至少一个的硅通孔阵列，所述硅通孔阵列包括多个贯穿衬底的硅通孔；连接多个硅通孔的第一导电线和第二导电线，且第一导电线和第二导电线互相连接，其中，所述第一导电线沿第一方向连接多个硅通孔，所述第二导电线沿第二方向连接多个硅通孔，且第一方向不同于第二方向。本发明提供的硅通孔结构应力小，封装质量佳。
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公开(公告)号：CN103066000B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201110319210.3
申请日：2011-10-19
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人： 徐依协
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/687
CPC分类号： H01L21/67288 , H01L21/6833
摘要： 一种晶圆承载设备及晶圆承载的方法，其中，晶圆承载设备包括：静电卡盘，所述静电卡盘具有矩阵排列的若干区域；若干能量供给单元，所述能量供给单元独立对所述静电卡盘若干区域施加能量；控制单元，所述控制单元用于控制所述若干能量供给单元，使得所述若干能量供给单元向对应的区域施加能量或停止施加能量，且所述控制单元独立地控制每一所述能量供给单元施加或停止施加能量。本发明的晶圆承载设备及晶圆承载的方法能够改善承载晶圆的表面平坦度和降低卡紧或放松晶圆时颗粒污染的风险。
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